【技术实现步骤摘要】
一种低维纳米材料的制备方法
：本专利技术涉及一种纳米结构陶瓷材料及其制备方法，特别是一种低维纳米材料的制备方法。
技术介绍
：目前我国现有的陶瓷材料一般采用烧结方法制备，其硬度高，塑性差，加工困难等很难满足微小器件的要求。纳米结构陶瓷的兴起，标志着对结构陶瓷的研究与开发已进入介于宏观和原子之间的纳米层次，开拓了结构陶瓷的超塑性和低温烧结等新的性能与工艺途径，为结构陶瓷在纳米量级的原料合成、制备、组成、结构、性能和使用功效等方面丰富了其科学内涵，成为结构陶瓷的一个研究前沿。
技术实现思路
：本专利技术的目的是针对上述技术中存在的不足，提供一种低维纳米材料的制备方法。用直流电弧等离子体法制取了Al3O3N陶瓷纳米线。氧氮化铝(Al3O3N)具有优良的光学性能及介电性能。本专利技术的目的是这样实现的：其特征是以高纯的铝为原材料作为阳极，以金属钨作为阴极，在氧气和氮气的混合条件下，O2∶N2体积比在0.2～0.8之间，总压力为100～700torr范围，电弧电流为100～300A，气体流量5～10l/s，点弧5小时制备Al3O3N陶瓷纳米线。其方法是把直径为5mm钨固定在阴极上，把Al棒放在阳极上，封闭好设备，抽真空到10-3Torr，用Ar气冲洗两遍，再充入氧气和氮气的混合气体，到压力为100～700torr，开始点弧，电弧电流为100～300A，开动循环泵，调节气体流量为5～10l/s，点弧5小时后，停弧，沉降1小时，抽真空到10-2Torr，再充入氩气到一个大气压。样品制备完成。制备出的Al3O3N陶瓷纳米线直径分布为25～200nm，长度达到0.5～30μm...
【技术保护点】
一种低维纳米材料的制备方法，其特征是以高纯的铝为原材料作为阳极，以金属钨作为阴极，在氧气和氮气的混合条件下，Ｏ↓［２］∶Ｎ↓［２］体积比在０．２～０．８之间，总压力为１００～７００ｔｏｒｒ范围，电弧电流为１００～３００Ａ，气体流量５～１０ｌ／ｓ，点弧５小时，其方法是把直径为５ｍｍ钨固定在阴极上，把Ａｌ棒放在阳极上，封闭好设备，抽真空到１０↑［－３］Ｔｏｒｒ，用Ａｒ气冲洗两遍，再充入氧气和氮气的混合气体，到压力为１００～７００ｔｏｒｒ，开始点弧，电弧电流为１００～３００Ａ，开动循环泵，调节气体流量为５～１０ｌ／ｓ，点弧５小时后，停弧，沉降１小时，抽真空到１０↑［－２］Ｔｏｒｒ，再充入氩气到一个大气压。
【技术特征摘要】
1、一种低维纳米材料的制备方法，其特征是以高纯的铝为原材料作为阳极，以金属钨作为阴极，在氧气和氮气的混合条件下，O2∶N2体积比在0.2～0.8之间，总压力为100～700torr范围，电弧电流为100～300A，气体流量5～10l/s，点弧5小时，其方法是把直径为5mm钨固定在阴极上，把Al棒放在阳极上，封闭好设备，抽真空到10-3Torr，用Ar气冲洗两遍，再充入氧气和氮气的混合气体，到...
【专利技术属性】
技术研发人员：李志杰，孙维民，贺连龙，
申请(专利权)人：沈阳工业大学，
类型：发明
国别省市：89[中国|沈阳]
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