利用SRAM缓存降低EEPROM无效擦除写入操作的方法技术
Method for reducing invalid erase write operation of EEPROM by using SRAM cache
The present invention provides a method for reducing cache using SRAM EEPROM invalid erase write operation, which comprises the following steps: 1, the definition of cache Cache1, cache Cache2 in SRAM, and EEPROM in all application data are stored in the cache to the Cache1 and the Cache2 cache; step 2, when the need to erase write operation on the EEPROM, modify application data in the Cache1 cache; step 3, when monitoring the pressure drop of the power supply end exceeds the limit amount or operation, and compared with the Cache1 traversal cache and the cache in Cache2 of application of data location, if the application data cache and Cache1 the Cache2 cache in the corresponding position of the different application data corresponding to the updated EEPROM application data with the Cache1 in the corresponding cache.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种降低EEPROM无效擦除写入操作的方法，尤其涉及一种利用SRAM缓存降低EEPROM无效擦除写入操作的方法。
技术介绍
EEPROM是一种掉电后数据不丢失的只读存储芯片，其作为系统的一种非易失存储设备，一般是MCU直接对EEPROM进行读写操作。然而，目前工艺水平一般只能保证独立的EEPROM每个存储单元一兆次的擦除写入寿命，而嵌入式的EEPROM的一般只能保证十万次的擦除写入寿命。当EEPROM的存储单元达到擦除写入寿命时，就意味着这个EEPROM的存储单元的擦除写入的操作并不再可靠可信，因此为延长EEPROM的擦出写入寿命，需避免无为的EEPROM擦除写入次数。为了解决以上存在的问题，人们一直在寻求一种理想的技术解决方案。
技术实现思路
本专利技术的目的是针对现有技术的不足，从而提供了一种利用SRAM缓存降低EEPROM无效擦除写入操作的方法，通过在EEPROM擦除写入操作前进行必要性的有效甄别，降低了无效的EEPROM擦除写入次数。为了实现上述目的，本专利技术所采用的技术方案是：一种利用SRAM缓存降低EEPROM无效擦除写入操作的方法，包括...
【技术保护点】
一种利用SRAM缓存降低EEPROM无效擦除写入操作的方法，包括以下步骤：步骤1，在SRAM中定义缓存Cache1，并将EEPROM中所有应用数据存入至所述缓存Cache1中；在SRAM中定义缓存Cache2，并将EEPROM中所有应用数据存入至所述缓存Cache2中；步骤2，当需要对EEPROM进行擦除写入操作时，在所述缓存Cache1中修改相应的应用数据；步骤3，监测供电电源的压降是否超过限制额度或运行是否结束；当供电电源的压降超过限制额度或者运行结束后，遍历并比对所述缓存Cache1和所述缓存Cache2中所有对应位置处的应用数据，若所述缓存Cache1和所述缓存Ca...
【技术特征摘要】
1.一种利用SRAM缓存降低EEPROM无效擦除写入操作的方法，包括以下步骤：步骤1，在SRAM中定义缓存Cache1，并将EEPROM中所有应用数据存入至所述缓存Cache1中；在SRAM中定义缓存Cache2，并将EEPROM中所有应用数据存入至所述缓存Cache2中；步骤2，当需要对EEPROM进行擦除写入操作时，在所述缓存Cache1中...
【专利技术属性】
技术研发人员：王勇，郜时兴，葛苒，
申请(专利权)人：河南西瑞医疗电子技术有限公司，
类型：发明
国别省市：河南;41
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