一种高一致性阻变存储器及其制备方法技术
High consistency resistance changing memory and preparation method thereof
The invention provides a high consistency resistance change memory device and a preparation method thereof, belonging to the technical field of the CMOS super large scale integrated circuit. The resistive memory includes a substrate and a lower electrode resistance substrate film on electrode structure, the electrode is positioned over the substrate and between the upper and lower electrodes as resistive films, the local metal doped resistive films, the doped region is 50% - 10% devices work area. The resistance variable memory in the end channel to form more easily in the localization of fuse doped region can be randomly generated and fuse conductive channel is defined in the local doped region, effectively reduce the randomness of the conductive channel, so as to improve the consistency of rram.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体(semiconductor)和CMOS超大规模集成电路(ULSI)中的非挥发性存储器(Non-volatile Memory)
，具体涉及一种具有高一致性的阻变存储器(resistive random access memory)的器件结构设计及其制备方法。
技术介绍
自晶体管专利技术以来，半导体和集成电路技术的发展推动着整个信息产业乃至科技的进步。近半个世纪以来，遵循摩尔定律的预测，基于CMOS技术的存储器件集成度以每18个月翻一倍的速度快速增长。然而随着特征尺寸不断缩小，尤其是进入纳米尺寸节点后，目前主流存储器的尺寸缩小都将达到极限。传统非挥发性存储器在尺寸持续缩小的过程中面临着越来越多的挑战，如参数的随机涨落显著增加，可靠性问题日益严峻等。占当前市场主要份额的闪存(flash)由于在尺寸缩小、功耗和速度等方面的限制，已经不能完全满足非易失性存储器发展的要求。多种新型非挥发性存储器技术应运而生，包括铁电存储器(FeRAM)、磁存储器(MRAM)、相变存储器(PRAM)，阻变存储器(RRAM)等。阻变存储器在高集成度、低功耗和读写速...
【技术保护点】
一种阻变存储器，其特征在于，包括衬底和位于衬底上的下电极‑阻变薄膜‑上电极结构，下电极位于衬底之上，上、下电极之间为阻变薄膜，所述阻变薄膜的局部掺杂金属，所述掺杂区域为器件工作区域的50％—10％。
【技术特征摘要】
1.一种阻变存储器，其特征在于，包括衬底和位于衬底上的下电极-阻变薄膜-上电极结构，下电极位于衬底之上，上、下电极之间为阻变薄膜，所述阻变薄膜的局部掺杂金属，所述掺杂区域为器件工作区域的50％—10％。2.如权利要求1所述的阻变存储器，其特征在于，所述掺杂区域位于器件工作区域的中心位置。3.如权利要求1所述的阻变存储器，其特征在于，所述下电极-阻变薄膜-上电极结构是Metal-Insulator-Metal电容结构或Metal-Semiconductor-Metal电容结构。4.如权利要求1所述的阻变存储器，其特征在于，所述阻变薄膜采用阻变特性的过渡金属氧化物。5.如权利要求3所述的阻变存储器，其特征在于，过渡金属氧化物为TaOx、HfOx、SiOx，或者SrTiO3。6.如权利要求3所述的阻变存储器，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：蔡一茂，王宗巍，黄如，康健，方亦陈，喻志臻，杨雪，
申请(专利权)人：北京大学，
类型：发明
国别省市：北京;11
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