成膜装置及其清洗方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种成膜装置及其清洗方法，其中成膜装置包括：工艺腔室；平台，提供于工艺腔室内，并且支撑基板；垫板，具有与所述平台对向的第一面、及与所述第一面相反的第二面，并且所述第一面提供有靶材；磁场形成部，提供于所述垫板的所述第二面；及保护体，提供于所述工艺腔室内，覆盖除了提供有所述基板的区域之外的区域的至少一部分。所述平台、所述垫板、及所述保护体中的至少一个包括母材及提供于所述母材的表面且含有锌的熔射膜。

Film forming device and cleaning method thereof

The invention discloses a film forming apparatus and cleaning method, the film forming device comprises a processing chamber; platform provided in the process chamber, and a support substrate; a plate, is provided with a platform to the first surface, and is opposite to the first side of the second surface and the first side to provide a target; a magnetic field forming portion of the second surface is provided on the base plate; and the protection body, provided to the process chamber, covering at least a portion of the substrate in addition to providing area. At least one of the platform, the backing plate, and the protective body comprises a base material and a film provided on the surface of the base material and containing zinc.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种成膜装置及其清洗方法，尤其涉及成膜装置和所述成膜装置的工艺腔室内的部件的清洗方法。
技术介绍
最近，因半导体、LCD(Liquid Crystal Display)、OLED(Organic Light Emitting Display)等前沿产业的商业化，大面积蒸镀技术被广泛地应用。在大面积均匀涂覆技术中，溅射(Sputtering)法被认为是最合适的技术。根据所述溅射法的成膜工艺中，来自靶材的成膜材料会堆积于成膜装置腔室内。所述堆积的成膜材料可以在所述成膜装置的腔室内被剥离而被异物(颗粒)化，并且所述异物可以在被处理基板上作为异物混入而降低被处理基板的品质。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供能够形成高品质的薄膜的成膜装置。并且，本专利技术的另一目的在于提供所述成膜装置的清洗方法。根据本专利技术的一实施例的成膜装置包括：工艺腔室；平台，提供于所述工艺腔室内，并且支撑基板；垫板，具有与所述平台对向的第一面、及与所述第一面相反的第二面，并且所述第一面提供有靶材；磁场形成部，提供于所述垫板的所述第二面；及保护体，提供于所述工艺腔室内，覆盖除了提供有所述基板的区域之外的区域的至少一部分，所述平台、所述垫板、及所述保护体中的至少一个包括母材及提供于所述母材的表面且含有锌的熔射膜。本专利技术的一实施例中，所述母材可以包括铝。本专利技术的一实施例中，熔射膜还可以包含铝，并且，此时所述熔射膜可以包含50重量％至95重量％的锌及50重量％至5重量％的铝。本专利技术的一实施例中，所述熔射膜还可以包含铜。并且，此时熔射膜还可以包含15重量％至85重量％的锌，及85重量％至15重量％的铜。本专利技术的一实施例中，所述熔射膜还可以包含锡、镍、铁中的至少一种。根据本专利技术的一实施例的成膜装置，通过把成膜装置的被污染的腔室内的部件浸泡在清洗剂里，以从母材去除熔射膜，并且在所述母材上形成包含锌的熔射膜，从而得到清洗。本专利技术的一实施例中，所述清洗剂可以是硝酸。本专利技术的一实施例中提供一种母材的损伤程度较小并且异物的产生较少的成膜装置及其清洗方法。据此，利用根据本专利技术的一实施例的成膜装置进行成膜时可提供高品质的薄膜。附图说明图1为概略地示出根据本专利技术的一实施例的成膜装置的图。符号说明BP：垫板 CHM：工艺腔室MG：磁体 SHD1、SHD2：第一及第二保护体SUB：基板 ST：平台TG：靶材具体实施方式本专利技术可加以进行多种变更且可具有多种形态，所以本说明书在附图中例示出特定实施例而进行详细地说明。但是应当认识到，这并不是要把本专利技术限定于特定的公开形态，属于本专利技术的思想及技术范围的所有变更及等同物乃至代替物均包括于本专利技术。在说明附图的时候，对类似的构成要素使用了类似的参照符号。在附图中，为了本专利技术的明确性，相比实际放大示出了结构物的尺寸。本申请中，“包括”或者“具有”等术语表示说明书中记载的特征、数字、步骤、操作、构成要素、部件或它们的组合存在，不能理解为预先排除其他的特征、数字、步骤、操作、构成要素、部件或它们的组合的存在或附加的可能性。以下，参考附图对本专利技术的优选实施例进行详细的说明。图1为概略地示出根据本专利技术的一实施例的成膜装置的图。参考图1，根据本专利技术的一实施例的成膜装置SPT包括：工艺腔室CHM、
平台ST、垫板BP、磁场形成部及保护体。所述成膜装置SPT可以是用于在基板SUB上形成金属薄膜的装置。所述基板SUB以板状被提供，并且在其上表面可以形成由薄膜组成的元件。所述元件可以是存储元件或显示元件等，并且不限制其种类。所述基板SUB可根据在其上表面形成哪种元件而由多种材料形成。例如，所述基板SUB在其上表面被提供显示元件时，可以由玻璃、石英、塑料等绝缘物质形成。或者，所述基板SUB在其上表面被提供存储元件时，可以是由硅形成的晶片。所述工艺腔室CHM为在所述基板SUB上进行成膜工序的空间。在所述工艺腔室CHM内提供有所述基板SUB。所述工艺腔室CHM可以连接有真空泵，并且可以利用所述真空泵将所述工艺腔室CHM的内部维持为真空。在所述工艺腔室CHM内提供有所述平台ST。在所述平台ST的上表面上放置有所述基板SUB，并且所述平台ST支撑所述基板SUB。虽未被图示，但是在所述平台ST还可以提供有能够固定所述基板SUB的固定器。所述垫板BP在所述工艺腔室CHM内，从所述平台ST以预定间距隔开，并且被提供成与所述平台ST对向。所述垫板BP可以被提供成具有第一面和与所述第一面相反的第二面的平板形态。所述第一面为与平台ST对向的面，即与基板对向的面，并且所述第二面是第一面的相反面。所述垫板BP可以由导电物质构成，特别是由金属构成。所述导电物质可以由Ti、Al、Cu、不锈钢或包含这些材料中的一个的合金等构成。但是，构成所述垫板BP的材料不限于此。在所述垫板BP上可以被施加直流高压电。例如，在所述垫板BP上可以被施加负的高压电。在所述第一面上可以提供靶材TG。所述靶材TG可以由欲在所述基板上成膜的材料，例如金属构成。所述金属可列举为Ti、Al、Cu、Ni、Co、Ta、Au、Ag、Cr、Nb、Pt、Mo、W等。虽未被图示，但在所述垫板BP上可以提供用于固定所述靶材TG的靶材固定器。本专利技术的一实施例中，所述垫板BP和靶材TG被图示成分离的形态，但不限于此。本专利技术的另一实施例中，所述垫板BP与所述靶材TG可被一体地提供。即，所述垫板BP和靶材TG可以是同一材料且不分离的单一体。在所述垫板BP的第二面上提供有所述磁场形成部。所述磁场形成部包
括磁体MG和支撑所述磁体MG的支撑部SP。所述磁体MG包括具有相反的极性的第一磁体部MG1和第二磁体部MG2，以在所述工艺腔室CHM内的靶材TG附近形成磁场。所述第一磁体部MG1和第二磁体部MG2可分别是永久磁体或电磁体。本专利技术的一实施例的中，将第一磁体部MG1为N极、第二磁体部MG2为S极的情形作为一例进行了示出，但是不限于此。在所述工艺腔室CHM内提供有所述保护体，所述保护体覆盖除了提供有所述基板SUB的区域之外的区域的至少一部分。所述保护体用于在进行成膜时防止成膜材料不必要地堆积到除成膜对象(即，所述基板SUB)以外的构成要素上。所述保护体可包括：第一保护体SHD1，与所述基板SUB相邻，并且沿着所述基板SUB的边缘部分中的至少一部分而设置；第二保护体SHD2，与所述靶材TG相邻，且覆盖所述靶材TG附近的其他构成要素(例如，垫板BP)。所述第一保护体SHD1阻断所述工艺腔室CHM的内壁和所述基板SUB之间的空间，从而可以防止工艺腔室CHM内壁的污染，并且所述第二保护体SHD2可以防止所述垫板BP的污染。本专利技术的一实施例的图中，示出了提供有第一保护体SHD1和第二保护体SHD2的情况，但是不限于此，可以根据需要改变所述保护体的形状、所提供的位置及个数。本专利技术的一实施例中，构成所述成膜装置的工艺腔室内的部件中至少一个包括所述母材和提供于所述母材的表面并包含锌的熔射膜。所述工艺腔室内的部件可以列举：所述平台、所述垫板、所述保护体、及用于运送所述基板的载体(carrier)、用于固定所述基板或其他构成要素的夹子、诸如螺栓和螺母之类的用于结合多种构成要素的结合部件等。所述工艺腔室内的部件可以本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种成膜装置，包括：工艺腔室；平台，提供于所述工艺腔室内，并且支撑基板；垫板，具有与所述平台对向的第一面、及与所述第一面相反的第二面，并且所述第一面提供有靶材；磁场形成部，提供于所述垫板的所述第二面；及保护体，提供于所述工艺腔室内，覆盖除了提供有所述基板的区域之外的区域的至少一部分，所述平台、所述垫板、及所述保护体中的至少一个包括母材及提供于所述母材的表面且含有锌的熔射膜。

【技术特征摘要】
2015.05.28 KR 10-2015-00751231.一种成膜装置，包括：工艺腔室；平台，提供于所述工艺腔室内，并且支撑基板；垫板，具有与所述平台对向的第一面、及与所述第一面相反的第二面，并且所述第一面提供有靶材；磁场形成部，提供于所述垫板的所述第二面；及保护体，提供于所述工艺腔室内，覆盖除了提供有所述基板的区域之外的区域的至少一部分，所述平台、所述垫板、及所述保护体中的至少一个包括母材及提供于所述母材的表面且含有锌的熔射膜。2.如权利要求1所述的成膜装置，其中，所述母材包括铝。3.如权利要求1所述的成膜装置，其中，所述熔射膜还包含铝。4.如权利要求3所述的成膜装置，其中...

【专利技术属性】
技术研发人员：金建熙，安晟伯，金玧焕，全珍，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR