一种迷迭香在人工光型植物工厂中的栽培方法技术

本发明专利技术涉及一种迷迭香在人工光型植物工厂中的栽培方法；属于农业种植技术领域。本发明专利技术在迷迭香在不同生长时期提供合理的相应光源，严格控制光源的光质、光强以及光周期等条件，使其与迷迭香在不同生长时期的生长需要相符合。同时，在其不同的生长时期协同控制湿度、温度和肥料等条件，延长迷迭香的营养生长期。本发明专利技术严格依照迷迭香的生长习性，通过人工光型植物工厂对其生长环境进行控制。不仅增加了迷迭香植株的质量、茎粗和叶面积，同时也提高了迷迭香内类黄酮、鼠尾草酸和鼠尾草酚的含量，更解决了季节与气候条件对迷迭香栽培的限制，对药用迷迭香的规模化室内栽培具有重要意义。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种迷迭香在人工光型植物工厂中的栽培方法；属于农业种植

技术介绍
迷迭香，唇形科灌木。性喜温暖气候，原产欧洲地区和非洲北部地中海沿岸。迷迭香的花和叶子中能提取具有优良抗氧化性的抗氧化剂和迷迭香精油。迷迭香抗氧化剂。广泛用于医药、油炸食品、富油食品及各类油脂的保鲜保质；而迷迭香香精则用于香料、空气清新剂、驱蚁剂以及杀菌、杀虫等日用化工业。迷迭香性喜温暖气候，但在中国台湾平地高温期生长缓慢，冬季没有寒流的气温较适合它的生长，水分供应方面由于迷迭香叶片本身就属于革质，较能耐旱，因此栽种的土壤以富含砂质使能排水良好较有利于生长发育，值得注意的是迷迭香生长缓慢，因此再生能力不强。由于迷迭香这些特质，它对光强度和日照时数有比较苛刻的要求，采用合适的光照条件能使该植物在较短时间内收获到较高质量的生物质。在自然环境中光照条件难以得到控制，而采用人工光型植物工厂栽培迷迭香使上述要求成为可能。目前迷迭香的人工培育都是采用在自然环境下进行种子繁殖和扦插繁殖。其中种子繁殖出芽率低，仅达到10％-20％的出芽率。扦插繁殖对季节的要求强，躲在冬季及早春进行。而在人工光型植物工厂栽培迷迭香可以克服这些问题，LED光源可使得种子发芽率提升至80％以上，对季节也不再有特殊要求。
技术实现思路
本专利技术旨在采用一种可控制的光照条件的LED灯作为光源，并协同控制其他条件因子的半封闭式的人工光型植物工厂，实现迷迭香在人工严格控制条件下短时间、大规模栽培的技术。本专利技术中所有的栽培技术均在半封闭式的室内进行，完全不受季节和气候条件的影响。在本专利技术中，主要通过对光质、光强和光周期的严格控制从而控制迷迭香的生长速度和生理活动，增加植株体内类黄酮、鼠尾草酸和鼠尾草酚的含量，使栽培的迷迭香更加符合药用的需要，提高人工栽培所得到的迷迭香的药用价值。本专利技术一种迷迭香在人工光型植物工厂中的栽培方法，从迷迭香种子萌动开始或迷迭香组织培养再分化生芽生根至植株长成，按迷迭香生长过程分为发芽期、小苗期、炼苗期、袋苗期和成熟期五个生长阶段；五个阶段采用不同的光照条件，促进迷迭香生长；所述光照条件包括：光源光谱发射峰数量、发射峰所处位置波长、半高宽、相对高度，光照强度，每天光照时间。本专利技术一种迷迭香在人工光型植物工厂中的栽培方法，迷迭香生长过程的发芽期、小苗期、炼苗期、袋苗期和成熟期五个生长阶段所采用的光源光谱发射峰数量为3个；第一个发射峰所处位置波长为430-490nm，发射峰半高宽为15-30nm，发射峰相对高度为0.2-0.7；第二个发射峰所处位置波长为565-650nm，发射峰半高宽为25-55nm，发射峰相对高度为0.2-1.0；第三个发射峰所处位置波长为620-730nm，发射峰半高宽为10-50nm，发射峰相对高度为0.1-1.0，第三个发射峰所处位置波长大于第二个发射峰所处位置波长；光照强度30-80μmol/m2/s；每天光照时间：6-14h。本专利技术一种迷迭香在人工光型植物工厂中的栽培方法，迷迭香生长过程的发芽期、小苗期、炼苗期、袋苗期和成熟期五个生长阶段的光源光谱均包含三个发射峰；光照参数为：发芽期第一个发射峰位于440-480nm处，相对高度0.2-0.4，半高宽20-30nm；第二个发射峰位于565-570nm处，相对高度0.9-1.0，半高宽30-50nm；第三个发射峰位于700-730nm处，相对高度0.1-0.2，半高宽15-20nm；光照强度：30-40μmol/m2/s；每天光照时间：6-12小时、优选为10-12小时、进一步优选为12h；小苗期第一个发射峰位于440-480nm处，相对高度0.4-0.6，半高宽15-20nm；第二个发射峰位于590-650nm处，相对高度0.9-1.0，半高宽40-50nm；第三个发射峰位于620-640nm处，相对高度0.2-0.3，半高宽30-50nm；光照强度：40-80μmol/m2/s；每天光照时间：6-12小时、优选为8-10小时、进一步优选为8h；炼苗期第一个发射位于440-480nm处，相对高度0.4-0.6，半高宽15-20nm；第二个发射峰位于580-590nm处，相对高度0.2-0.3，半高宽25-45nm；第三个发射峰位于620-640nm处，相对高度0.9-0.1，半高宽30-50nm；光照强度：60-90μmol/m2/s；每天光照时间：6-12小时、优选为8-10小时、进一步优选为10h；袋苗期第一个发射峰位于440-480nm处，相对高度0.4-0.7，半高宽15-30nm；第二个发射峰位于590-650nm处，相对高度0.7-1.0，半高宽30-50nm；第三个发射峰位于700-730nm处，相对高度0.2-0.4，半高宽15-20nm；光照强度：60-80μmol/m2/s；每天光照时间：6-12小时、优选为8-10小时、进一步优选为10h：成熟期第一个发射峰位于440-480nm处，相对高度0.4-0.7，半高宽15-30nm；第二个发射峰位于590-650nm处，相对高度0.7-1.0，半高宽30-50nm；第三个发射峰位于700-730nm处，相对高度0.2-0.4，半高宽15-20nm；光照强度：60-80μmol/m2/s；每天光照时间：8-16小时、优选为10-14小时、进一步优选为14h。本专利技术一种迷迭香在人工光型植物工厂中的栽培方法，迷迭香生长过程的发芽期、小苗期、炼苗期、袋苗期和成熟期五个生长阶段的光源均采用可调整光谱的LED植物生长灯。本专利技术一种迷迭香在人工光型植物工厂中的栽培方法，迷迭香生长过程的发芽期、小苗期、炼苗期、袋苗期和成熟期五个生长阶段，迷迭香生长环境温度为：发芽期的温度要求为：光照期间于20～24℃，黑暗条件下18-20℃；小苗期和炼苗期的温度要求为：光照期间20-25℃，黑暗条件下14-22℃；袋苗期的温度要求为：光照期间26-30℃，黑暗条件下22-26℃；成熟期的温度要求为：光照期间26-30℃，黑暗条件下5-12℃。本专利技术一种迷迭香在人工光型植物工厂中的栽培方法，迷迭香生长过程中发芽期、小苗期、炼苗期、袋苗期和成熟期五个生长阶段的环境湿度为：发芽期的湿度要求为70％-75％小苗期的湿度要求为60％-75％，炼苗期湿度要求为70％-80％，袋苗期的湿度要求为60-70％，成熟期的湿度要求为65％-75％。本专利技术一种迷迭香在人工光型植物工厂中的栽培方法，从迷迭香种子萌动开始至至植株长成的发芽期、小苗期、炼苗期、袋苗期和成熟期五个生长阶段；这五阶段的划分为：发芽期发芽期即迷迭香种子萌动发芽或迷迭香组织培养再分化生芽生根，具有1-2枚针叶止，为期15-25天；小苗期小苗期从发芽期结束时开始，至植株高4-5cm，具有3-4枚真叶时止，为期40-60天；炼苗期炼苗期从小苗期结束时开始炼苗至移入育苗袋结束，为期8-12天、优选为10天；袋苗期袋苗期从炼苗期结束开始，至植株高10-15cm时止，为期50-60天；成熟期成熟期即袋苗期后可种植至植株长成。本专利技术一种迷迭香在人工光型植物工厂中的栽培方法，迷迭香生长过程中；小苗期的施肥制度为：从发芽期结束后的第20-30天开始小苗期的施肥；所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种迷迭香在人工光型植物工厂中的栽培方法，其特征在于：从迷迭香种子萌动开始或迷迭香组织培养再分化生芽生根至植株长成，按迷迭香生长过程分为发芽期、小苗期、炼苗期、袋苗期和成熟期五个生长阶段；五个阶段采用不同的光照条件，促进迷迭香生长；所述光照条件包括：光源光谱发射峰数量、发射峰所处位置波长、半高宽、相对高度，光照强度，每天光照时间。

【技术特征摘要】
1.一种迷迭香在人工光型植物工厂中的栽培方法，其特征在于：从迷迭香种子萌动开始或迷迭香组织培养再分化生芽生根至植株长成，按迷迭香生长过程分为发芽期、小苗期、炼苗期、袋苗期和成熟期五个生长阶段；五个阶段采用不同的光照条件，促进迷迭香生长；所述光照条件包括：光源光谱发射峰数量、发射峰所处位置波长、半高宽、相对高度，光照强度，每天光照时间。2.根据权利要求1所述的一种迷迭香在人工光型植物工厂中的栽培方法，其特征在于：迷迭香生长过程的发芽期、小苗期、炼苗期、袋苗期和成熟期五个生长阶段所采用的光源光谱发射峰数量为3个；第一个发射峰所处位置波长为430-490nm，发射峰半高宽为15-30nm，发射峰相对高度为0.2-0.7；第二个发射峰所处位置波长为565-650nm，发射峰半高宽为25-55nm，发射峰相对高度为0.2-1.0；第三个发射峰所处位置波长为620-730nm，发射峰半高宽为10-50nm，发射峰相对高度为0.1-1.0，第三个发射峰所处位置波长大于第二个发射峰所处位置波长；光照强度30-80μmol/m2/s；每天光照时间：6-14h。3.根据权利要求2所述的一种迷迭香在人工光型植物工厂中的栽培方法，其特征在于：迷迭香生长过程的发芽期、小苗期、炼苗期、袋苗期和成熟期五个生长阶段的光源光谱均包含三个发射峰；光照参数为：发芽期第一个发射峰位于440-480nm处，相对高度0.2-0.4，半高宽20-30nm；第二个发射峰位于565-570nm处，相对高度0.9-1.0，半高宽30-50nm；第三个发射峰位于700-730nm处，相对高度0.1-0.2，半高宽15-20nm；光照强度：30-40μmol/m2/s；每天光照时间：6-12小时；小苗期第一个发射峰位于440-480nm处，相对高度0.4-0.6，半高宽15-20nm；第二个发射峰位于590-650nm处，相对高度0.9-1.0，半高宽40-50nm；第三个发射峰位于620-640nm处，相对高度0.2-0.3，半高宽30-50nm；光照强度：40-80μmol/m2/s；每天光照时间：6-12小时；炼苗期第一个发射位于440-480nm处，相对高度0.4-0.6，半高宽15-20nm；第二个发射峰位于580-590nm处，相对高度0.2-0.3，半高宽25-45nm；第三个发射峰位于620-640nm处，相对高度0.9-0.1，半高宽30-50nm；光照强度：60-90μmol/m2/s；每天光照时间：6-12小时；袋苗期第一个发射峰位于440-480nm处，相对高度0.4-0.7，半高宽15-30nm；第二个发射峰位于590-650nm处，相对高度0.7-1.0，半高宽30-50nm；第三个发射峰位于700-730nm处，相对高度0.2-0.4，半高宽15-20nm；光照强度：60-80μmol/m2/s；每天光照时间：6-12小时；成熟期第一个发射峰位于440-480nm处，相对高度0.4-0.7，半高宽15-30nm；第二个发射峰位于590-650nm处，相对高度0.7-1.0，半高宽30-50nm；第三个发射峰位于700-730nm处，相对高度0.2-0.4，半高宽15-20nm；光照强度：60-80μmol/m2/s...

【专利技术属性】
技术研发人员：周智，谭琛，周南，刘德权，刘晓颖，王若仲，黄升雄，罗伟，
申请(专利权)人：湖南普斯赛特光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：湖南;43