积体电感制造技术

本发明专利技术提出了一种积体电感包含图案式接地防护层、内侧围栏以及电感。图案式接地防护层配置于第一方向上。内侧围栏藕接于图案式接地防护层，并配置于积体电感内侧及第二方向上，第一方向垂直于第二方向。电感配置于图案式接地防护层之上。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种半导体结构，且特别是有关于一种积体电感。
技术介绍
随著科技的进步，积体电感(integrated inductor)的制程已朝向28纳米(nm)及20纳米发展。在此微型尺寸下，存在诸多因微型尺寸所致的负面影响，例如，因积体电感内的氧化层厚度较薄，而导致电容值较高，因积体电感内采用的重配置层(redistribution layer,RDL)较厚，而在RDL层状结构间产生较高的电容值等，这些状况皆会对电感的品质因素产生影响。由此可见，上述现有的方式，显然仍存在不便与缺陷，而有待改进。为了解决上述问题，相关领域莫不费尽心思来谋求解决之道，但长久以来仍未发展出适当的解决方案。
技术实现思路

技术实现思路
旨在提供本揭示内容的简化摘要，以使阅读者对本揭示内容具备基本的理解。此
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并非本揭示内容的完整概述，且其用意并非在指出本专利技术实施例的重要/关键元件或界定本专利技术的范围。本
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的一目的是在提供一种积体电感，藉以改善先前技术的问题。为达上述目的，本
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的一技术态样是关于一种积体电感，此积体电感包含图案式接地防护层、内侧围栏以及电感。图案式接地防护层配置于第一方向上。内侧围栏藕接于图案式接地防护层，并配置于积体电感内侧及第二方向上，上述第一方向垂直于第二方向。电感配置于图案式接地防护层之上。为达上述目的，本
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的另一技术态样是关于一种积体电感，此积体电感包含图案式接地防护层、保护环、外侧围栏及电感。图案式接地防护层配置于第一方向上。保护环藕接于图案式接地防护层，并配置于积体电感外侧。
外侧围栏藕接于保护环，并配置于积体电感外侧及第二方向上，上述第一方向垂直于第二方向。电感配置于图案式接地防护层之上。因此，根据本专利技术的
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，本专利技术实施例藉由提供一种积体电感，以改善电感的品质因素下降的问题。在参阅下文实施方式后，本专利技术所属
中具有通常知识者当可轻易了解本专利技术的基本精神及其他专利技术目的，以及本专利技术所采用的技术手段与实施态样。附图说明为让本专利技术的上述和其他目的、特征、优点与实施例能更明显易懂，所附图式的说明如下：图1是依照本专利技术一实施例绘示一种积体电感的示意图。图2是依照本专利技术另一实施例绘示一种如图1所示的积体电感的局部剖面示意图。图3是依照本专利技术又一实施例绘示一种如图1所示的积体电感的局部剖面示意图。图4是依照本专利技术再一实施例绘示一种如图2所示的积体电感剖面图的另一视角图。图5是依照本专利技术又一实施例绘示一种积体电感的示意图。图6是依照本专利技术另一实施例绘示一种如图5所示的积体电感的局部放大图。图7是依照本专利技术再一实施例绘示一种如图6所示的积体电感的剖面图。图8是依照本专利技术又一实施例绘示一种如图5所示的积体电感的局部放大图。图9是依照本专利技术另一实施例绘示一种如图8所示的积体电感的剖面图。图10是依照本专利技术再一实施例绘示一种积体电感结构的实验数据图。根据惯常的作业方式，图中各种特征与元件并未依比例绘制，其绘制方式是为了以最佳的方式呈现与本专利技术相关的具体特征与元件。此外，在不同图式间，以相同或相似的元件符号来指称相似的元件/部件。【符号说明】100、100A：积体电感110：图案式接地防护层112：开口120：内侧围栏122：底端124：顶端130：电感140：保护环150：图案式防护层161～165：条状部170：外侧围栏172、174、176、178：条状部180～185：条状部910、920、930：区块具体实施方式为了使本揭示内容的叙述更加详尽与完备，下文针对了本专利技术的实施态样与具体实施例提出了说明性的描述；但这并非实施或运用本专利技术具体实施例的唯一形式。实施方式中涵盖了多个具体实施例的特征以及用以建构与操作这些具体实施例的方法步骤与其顺序。然而，亦可利用其他具体实施例来达成相同或均等的功能与步骤顺序。除非本说明书另有定义，此处所用的科学与技术词汇的含义与本专利技术所属
中具有通常知识者所理解与惯用的意义相同。此外，在不和上下文冲突的情形下，本说明书所用的单数名词涵盖该名词的复数型；而所用的复数名词时亦涵盖该名词的单数型。另外，关于本文中所使用的「藕接」，可指二或多个元件相互直接作实体或电性接触，或是相互间接作实体或电性接触，亦可指二或多个元件相互操作或动作。图1是依照本专利技术一实施例绘示一种积体电感的示意图。如图所示，积体电感100包含底层基板(图中未示)、图案式接地防护层(patterned ground shield)110、内侧围栏120、电感130及保护环(guard ring)140。于结构配置上，图案式接地防护层110配置于底层基板上，且配置于第一方向上。内侧围栏120藕接于图案式接地防护层110，并配置于积体电感100内侧及第二方向上。上述第一方向垂直于第二方向，举例而言，上述第一方向可为XY平面上的任意方向，而第二方向可为垂直于XY平面的Z方向，换言之，图案式接地防护层110配置于XY平面上，而内侧围栏120配置于Z方向上，两者相互垂直。此外，电感130则配置于图案式接地防护层110之上。为使本专利技术实施例的积体电感100的结构易于理解，请参阅图2，其是依照本专利技术另一实施例绘示一种如图1所示的积体电感的局部剖面示意图。需说明的是，图2所示的局部剖面示意图是由图1的标号910处进行剖面所产生。由图中可以清楚地看出，内侧围栏120是由图案式接地防护层110垂直向上延伸。请回头参阅图1，于积体电感100运作时，电感130内圈产生的磁场会影响其品质因素。然而，由于内侧围栏120采用垂直于图案式接地防护层110的方式配置，而于电感130内圈形成围栏结构，此围栏结构能够有效地干扰电感130内圈产生的磁场，因此，得以改善电感130的品质因素并具有电磁场屏蔽的效果。需说明的是，本专利技术实施例的积体电感100包含第一金属层M1至第八金属层M8，其排列方式是由积体电感100的底层开始依序向上排列，亦即由积体电感100的底层开始分别为第一金属层M1、第二金属层M2、…、第七金属层M7、第八金属层M8。举例而言，图案式接地防护层110位于第一金属层M1或第二金属层M2，而电感130位于第七金属层M7或第八金属层M8。请参阅图1，在另一实施例中，图案式接地防护层110包含开口112。此开口112配置于积体电感100内侧及图案式接地防护层110的中心。由图中可知，内侧围栏120绕著开口112而配置。需说明的是，熟习此技艺者可选择性地依照实际需求而配置元件于开口112内，诸如配置金属-绝缘
体-金属(metal insulator metal,MIM)电容、金属-氧化物-金属(metal oxide metal,MOM)电容及/或金属-氧化物-半导体(metal oxide semiconductor,MOS)电容于开口112内，上述元件亦可受到本专利技术实施例的积体电感100的内侧围栏120架构的保护，而避免受到电感130内圈产生的磁场及电场的影响。图3是依照本专利技术又一实施例绘示一种如图1所示的积体电感的局部剖面示意图。此图3所示的局部剖面示意图是由图1的标号920处进行剖面所产生。如图所示，图案式接地防护层110及其开口112位于第一金属层M1或第二金属层M2，而本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种积体电感，包含：一图案式接地防护层(patterned ground shield)，配置于一第一方向上；一内侧围栏，藕接于该图案式接地防护层，并配置于该积体电感内侧及一第二方向上，其中该第一方向垂直于该第二方向；以及一电感，配置于该图案式接地防护层之上。

【技术特征摘要】
1.一种积体电感，包含：一图案式接地防护层(patterned ground shield)，配置于一第一方向上；一内侧围栏，藕接于该图案式接地防护层，并配置于该积体电感内侧及一第二方向上，其中该第一方向垂直于该第二方向；以及一电感，配置于该图案式接地防护层之上。2.根据权利要求1所述的积体电感，其中该图案式接地防护层包含：一开口，配置于该积体电感内侧及该图案式接地防护层的中心，其中该内侧围栏是绕著该开口而配置。3.根据权利要求2所述的积体电感，其中该内侧围栏由该开口处垂直向上延伸至该电感的下端，并于该电感的下端处封闭。4.根据权利要求2所述的积体电感，其中该内侧围栏包含：一底端，藕接于该开口周围；以及一顶端；其中该积体电感更包含：一图案式防护层，藕接于该顶端以使该内侧围栏封闭。5.根据权利要求1所述的积体电感，更包含：复数个条状部，该些条状部的每一者分别藕接于该内侧围栏，并配置于该第一方向上。6.根据权利要求1所述的积体电感，更包含：一保护环(guard ring)，藕接于该图案式接地防护层，并配置于该积体电感外侧；以及一外侧围栏，藕接于该保护环，并配置于该积体电感外侧及该第二方向上。7.根据权利要求6所述的积体电感，更包含：复数个条状部，该些条状部的每一者分别藕接于该外侧围栏，并配置于该第一方向上。8.根据权利要求6所述的积体电感，其中该积体电感包含一第一金属
\t层至一第六金属层，该第一金属层至该第六金属层是由该积体电感的底层开始依序向上排列，其中该图案式接地防护层配置于该第一金属层，该保护环...

【专利技术属性】
技术研发人员：颜孝璁，简育生，叶达勋，
申请(专利权)人：瑞昱半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71