半导体器件生产用膜、半导体器件生产用膜的生产方法和半导体器件的生产方法技术

本发明专利技术涉及半导体器件生产用膜、半导体器件生产用膜的生产方法和半导体器件的生产方法。本发明专利技术涉及半导体器件生产用膜，其包括：隔离膜；和多个粘贴粘合剂层的切割带，所述多个粘贴粘合剂层的切割带各自包括切割带和层压在切割带上的粘合剂层，所述粘贴粘合剂层的切割带以粘合剂层粘贴至隔离膜的方式以预定间隔层压在隔离膜上，其中所述隔离膜具有沿切割带的外周形成的切口，和切口的深度为不超过所述隔离膜厚度的2/3。

【技术实现步骤摘要】
本申请是申请日为2011年06月30日、申请号为201110185003.3、专利技术名称为“半导体器件生产用膜、半导体器件生产用膜的生产方法和半导体器件的生产方法”的申请的分案申请。
本专利技术涉及半导体器件生产用膜、半导体器件生产用膜的生产方法和半导体器件的生产方法。
技术介绍
近年来，日益要求半导体器件及其封装的薄型化和小型化。因此，作为半导体器件及其封装，已经广泛地利用其中将半导体元件如半导体芯片通过倒装芯片接合(倒装芯片连接的)安装至基板上的倒装芯片型半导体器件。在此类倒装芯片连接中，半导体芯片以其中半导体芯片的电路面与基板的电极形成面相对的形式固定至基板。在这类半导体器件等中，存在其中半导体芯片的背面受保护膜保护以防止半导体芯片损坏等的情况(参见专利文献1至10)。专利文献1：JP-A-2008-166451专利文献2：JP-A-2008-006386专利文献3：JP-A-2007-261035专利文献4：JP-A-2007-250970专利文献5：JP-A-2007-158026专利文献6：JP-A-2004-221169专利文献7：JP-A-2004-214288专利文献8：JP-A-2004-142430专利文献9：JP-A-2004-072108专利文献10：JP-A-2004-063551本专利技术人研究用于保护半导体芯片背面的膜。结果，本专利技术人专利技术了通过使用半导体器件生产用膜将膜粘贴至半导体芯片背面的方法，其中各自包括层压于切割带上的粘合剂层的多个粘贴粘合剂层的切割带以预定间隔层压于隔离膜上。粘贴粘合剂层的切割带根据其要粘贴的半导体晶片的形状(例如，圆形)预切割。粘贴粘合剂层的切割带当将其粘贴至半导体晶片时从隔离膜剥离。然而，依赖于粘贴粘合剂层的切割带的物理性质和依赖于设备的条件，发生粘贴粘合剂层的切割带不能良好地从隔离膜分离的额外问题。
技术实现思路
考虑到上述问题进行了本专利技术，并且其目的在于提供半导体器件生产用膜、所述膜的生产方法和通过使用半导体器件生产用膜生产半导体器件的方法，所述半导体器件生产用膜包括隔离膜和多个粘贴粘合剂层的切割带，所述粘贴粘合剂层的切割带各自包含层压于切割带上的粘合剂层，所述粘贴粘合剂层的切割带以预定间隔层压在隔离膜上，其中粘贴粘合剂层的切割带可有利地从隔离膜剥离。本专利技术人出于解决本领域中上述问题的目的研究半导体器件生产用膜。结果，本专利技术人发现当采用以下构成时，则粘贴粘合剂层的切割带可有利地从隔离膜剥离，并完成了本专利技术。即，本专利技术提供半导体器件生产用膜，其包括：隔离膜；和多个粘贴粘合剂层的切割带，所述多个粘贴粘合剂层的切割带各自包括切割带和层压在切割带上的粘合剂层，所述粘贴粘合剂层的切割带以粘合剂层粘贴至隔离膜的方式以预定间隔层压在隔离膜上，其中所述隔离膜具有沿切割带的外周形成的切口，和其中切口的深度为不超过隔离膜厚度的2/3。根据上述构造，加工隔离膜以具有沿切割带外周形成的切口。因此，从切口开始，粘贴粘合剂层的切割带可容易地从隔离膜剥离。由于切口深度(切割深度)为不超过隔离膜厚度的2/3，所以当粘贴粘合剂层的切割带从隔离膜剥离时防止隔离膜从切口部分(切口)撕裂。结果，粘贴粘合剂层的切割带可有利地从隔离膜剥离(拾取)。此处，在本说明书中的术语\切口\是指隔离膜切割至不超出隔离膜厚度的一定厚度的部分。术语\切口\可称为\凹口(groove)\。另外，本专利技术还提供半导体器件生产用膜的生产方法，所述方法包括：制备隔离膜粘贴的膜，所述隔离膜粘贴的膜包括隔离膜和多个粘贴粘合剂层的切割带，所述粘贴粘合剂层的切割带各自包括切割带和层压在切割带上的粘合剂层，粘贴粘合剂层的切割带以粘合剂层粘贴至隔离膜的方式层压在隔离膜上，和根据对应于隔离膜粘贴的膜要粘贴的半导体晶片的尺寸切割所述隔离膜粘贴的膜，其中将所述隔离膜粘贴的膜从粘贴粘合剂层的切割带侧切割至不超过隔离膜厚度的2/3的深度。根据上述构造，当隔离膜粘贴的膜根据对应于该膜要粘贴的半导体晶片的尺寸切割时，将所述膜从切割带侧切割至不超过隔离膜厚度的2/3的深度。结果，在要生产的半导体器件生产用膜中，加工隔离膜从而具有沿切割带的外周形成的切口，和切口的深度为不超过隔离膜厚度的2/3。因此，在根据本专利技术的半导体器件生产用膜的生产方法要生产的半导体器件生产用膜中，粘贴粘合剂层的切割带可从切口开始容易地从隔离膜剥离。另外，由于切口深度为不超过隔离膜厚度的2/3，所以当粘贴粘合剂层的切割带从隔离膜剥离时防止隔离膜从切口部分(切口)撕裂。结果，粘贴粘合剂层的切割带可有利地从隔离膜剥离(拾取)。本专利技术还提供通过使用上述半导体器件生产用膜来生产半导体器件的方法，所述方法包括：从半导体器件生产用膜剥离隔离膜，和粘贴半导体晶片至粘合剂层上。本专利技术的半导体器件生产方法使用上述半导体器件生产用膜，其中在隔离膜中形成的切口深度为不超过隔离膜厚度的2/3。因此，当粘贴粘合剂层的切割带从隔离膜剥离时防止隔离膜从切口部分(切口)撕裂，和半导体晶片可有利地粘贴至粘合剂层上。本专利技术还提供半导体器件生产用膜，其包括：隔离膜；和以预定间隔层压在隔离膜上多个切割带，其中加工隔离膜从而具有沿切割带的外周形成的切口，和切口的深度为不超过隔离膜厚度的2/3。在上述构造中，加工隔离膜从而具有沿切割带的外周形成的切口。因此，从切口开始，切割带可容易地从隔离膜剥离。另外，由于切口的深度为不超过隔离膜厚度的2/3，所以当切割带从隔离膜剥离时防止隔离膜从切口部分(切口)撕裂。结果，切割带可有利地从隔离膜剥离(拾取)。本专利技术还提供半导体器件生产用膜的生产方法，所述方法包括：制备隔离膜粘贴的膜，所述隔离膜粘贴的膜包括隔离膜和层压在隔离膜上的多个切割带，和根据对应于所述隔离膜粘贴的膜要粘贴的半导体晶片的尺寸切割该膜，其中将该膜从切割带侧切割至不超过隔离膜厚度的2/3的深度。在上述构造中，当根据对应于隔离膜粘贴的膜要粘贴的半导体晶片的尺寸切割该膜时，将该膜从切割带侧切割至不超过隔离膜厚度的2/3的深度。结果，在要生产的半导体器件生产用膜中，加工隔离膜从而具有沿切割带的外周形成的切口，和切口深度为不超过隔离膜厚度的2/3。因此，在根据本专利技术的半导体器件生产用膜的生产方法要生产的半导体器件生产用膜中，从切口开始，切割带可容易地从隔离膜剥离。另外，由于切口的深度为不超过隔离膜厚度的2/3，所以当切割带从隔离膜剥离时防止隔离膜从切口部分(切口)撕裂。结果，切割带可有利地从隔离膜剥离(拾取)。本专利技术还提供通过使用上述半导体器件生产用膜来生产半导体器件的方法，所述方法包括：从半导体器件生产用膜剥离隔离膜，并粘贴半导体晶片至切割带上。本专利技术的半导体器件生产方法使用上述半导体器件生产用膜，其中由此在隔离膜中形成的切口深度为不超过隔离膜厚度的2/3。因此，当切割带从隔离膜剥离时防止隔离膜从切口部分(切口)撕裂，和半导体晶片可有利地粘贴至粘合剂层上。附图说明图1A为示出本专利技术的半导体器件生产用膜的一个实例的横截面示意图；和图1B为其部分平面图。图2A至2D为示出使用本专利技术的粘贴粘合剂层的切割带生产半导体器件的方法的一个实例的横截面示意图。附图标记说明1 粘贴粘合剂层的切本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件生产用膜，其包括：隔离膜；和多个粘贴粘合剂层的切割带，所述多个粘贴粘合剂层的切割带各自包括切割带和层压在所述切割带上的粘合剂层，所述多个粘贴粘合剂层的切割带以所述粘合剂层粘贴至所述隔离膜的方式以预定间隔层压在所述隔离膜上，其中所述隔离膜具有沿所述切割带的外周形成的切口，和其中所述切口的深度为不超过所述隔离膜厚度的2/3，所述粘合剂层添加有着色剂，并且粘贴到具有倒装芯片安装的半导体器件的半导体芯片的背面上，且所述粘合剂层的直径小于所述切割带的直径，其中，所述切割带包括基材和形成于所述基材上的压敏粘合剂层，所述压敏粘合剂层对所述粘合剂层的粘合力在0.02N/20mm至10N/20mm的范围内，所述粘合力测试条件为23℃、剥离角度为180°和剥离速率为300mm/分钟。

【技术特征摘要】
2010.07.28 JP 2010-1695561.一种半导体器件生产用膜，其包括：隔离膜；和多个粘贴粘合剂层的切割带，所述多个粘贴粘合剂层的切割带各自包括切割带和层压在所述切割带上的粘合剂层，所述多个粘贴粘合剂层的切割带以所述粘合剂层粘贴至所述隔离膜的方式以预定间隔层压在所述隔离膜上，其中所述隔离膜具有沿所述切割带的外周形成的切口，和其中所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：高本尚英，志贺豪士，浅井文辉，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP