使用聚焦离子束制造碳纳米管的方法技术

本发明专利技术提供一种使用聚焦离子束（ＦＩＢ）制造碳纳米管的方法。该方法包括：准备基板、用ＦＩＢ扫描基板、以及在扫描后的基板上生长碳纳米管。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种使用聚焦离子束（ＦＩＢ）制造碳纳米管的方法，包括：准备基板；用所述ＦＩＢ扫描所述基板；及在所述扫描后的基板上生长碳纳米管。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋仁庸，裵恩珠，高朱惠，朴玩濬，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]