一种原位构建微纳器件的方法技术

本发明专利技术公开了一种微纳器件的原位构建方法，特别是利用无掩模光刻技术原位构建微纳器件的方法，它是将纳米材料置于电极之间并且与电极相连的一种新方法。其工艺过程为：纳米材料在基底上的分布、匀胶、通过无掩模光刻机定位纳米材料、原位设计曝光图形并曝光、显影、定影、金属层的沉积、剥离，最后形成纳米材料位于电极之下并与电极相连的原型微纳器件结构。此方法特别适合于具有复杂纳米结构的器件的原位构建。此器可以进一步构建其它结构的微纳器件，包括纳米材料场效应晶体管、微纳传感器、振荡器和相移器等器件。该方法具有原位制备的优点，成本低、工艺简单、速度快、对器件损伤小，是一种有着广泛应用前景的微纳器件单元的构建方法。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种微纳器件的原位构建方法，其特征在于，包括以下步骤：　（１）将纳米材料分布在衬底基片上；　（２）在基片上涂胶，包括匀胶；　（３）运用无掩模光刻机的显微系统查找纳米材料的位置，再运用无掩模光刻机原位设计待曝光电极的图形，使 纳米材料连接于电极图形之间；　（４）运用无掩模光刻机原位曝光，然后显影、定影；　（５）在基片上沉积金属电极层、剥离，最后得到纳米材料连接于电极之间并位于电极之下的微纳器件。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李秋红，王太宏，赵亨，
申请(专利权)人：湖南大学，
类型：发明
国别省市：43[中国|湖南]