一种大垄平台栽培芸豆的方法技术

本发明专利技术涉及一种大垄平台栽培芸豆的方法，属于芸豆栽培技术领域。秋整地起垄，在所述垄两侧设垄沟，所述垄设垄台，分别对垄沟和垄台中间部位进行深松，以起垄前的土地表面为基准，所述垄沟的深松深度为30～40cm，垄台中间的深松深度为15～30cm；整地时，将基肥施于垄台中间；将种肥施于播种位置下方；在垄台上进行芸豆的播种，所述播种共3行，形成3条苗带，所述播种的行间距为25～30cm，所述芸豆的品种为直立或半蔓生型抗倒高产芸豆品种；将追肥分别施于垄上左右两侧的苗带外侧，所述追肥施于垄台下方。本发明专利技术结合深松、播种和施肥的栽培方法，通透性好、抗逆性强，改善了芸豆群体光合作用生产效率和肥料利用率，可实现芸豆丰产优质高效生产。

A method of big ridge cultivation platform of kidney bean

The present invention relates to a method of big ridge cultivation platform of kidney bean, kidney bean belongs to the technical field of cultivation. The autumn soil ridging, furrow set in the ridge on both sides of the ridge. The ridge, ridge and furrow respectively on the middle part of the deep loose, to the land surface in front of the ridge as a benchmark, the furrow subsoiling depth is 30 ~ 40cm, the middle ridge subsoiling depth of 15 ~ 30cm; preparation, will be applied to the middle basal ridge; fertilizer in seeding will lower position; for kidney bean seeding in ridge planting, the total of 3 lines, the formation of 3 seedlings, the spacing of the plant is 25 ~ 30cm, the kidney bean varieties to erect or trailing type anti lodging and high yield of common bean varieties; top dressing are respectively applied on the ridge on the left and right sides of the strip outside, the fertilizer applied to the ridge below. The invention combines the cultivation method of subsoiling, seeding and fertilizing, good permeability, strong stress resistance, improve the production efficiency of photosynthesis beans and fertilizer utilization, can achieve high yield and high quality and efficient production of kidney bean.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及芸豆栽培
，尤其涉及一种大垄平台栽培芸豆的方法。
技术介绍
芸豆(Phaseolus vulgaris L.)学名普通菜豆，为豆科(Leguminosae)蝶形花亚科(Faboideae)菜豆属(Phaseolus)一年生草本植物，是人类主要的食用豆类之一，其籽粒含有丰富的蛋白质、膳食纤维、碳水化合物以及多种人体必需的维生素、矿物质(铜、钙、铁、镁、锰和锌)，是许多国家十分重要的植物蛋白质营养来源，为解决贫困地区营养缺乏和人类繁衍生存发挥了巨大作用，也是发达地区调节膳食结构的良好食品。近些年，芸豆被认为可以作为肉类产品的替代食物，并且其体内含有较多酚酸、类黄酮、植物性荷尔蒙(异黄素)、花青素以及凝缩类单宁等物质，具有抗氧化性强、降低糖病患者的血糖指数，增加饱腹感，预防心脑血管疾病和粥样动脉硬化、抑制肿瘤细胞发展等功效，受到医学界和人民大众的广泛重视。目前全世界有90多个国家和地区种植芸豆，总面积为290万hm2，占全部食用豆类播种面积的40％，总产量达230万吨，占全部食用豆类总产量的30％。我国芸豆种植面积约100万hm2，总产量150万吨左右，是主要的出口粮食产品。2008年以来出口量一直在70～75万吨之间，占全国粮食出口总量的20％～30％，创汇在5～7亿美元，占全国粮食出口总额的30％～40％，成为我国优势出口农产品之一。我国芸豆主要在东北、华北、西北和西南的高寒、冷凉地区种植，其中东北区的黑龙江、内蒙古是我国芸豆主产区，面积、产量占全国60％以上，出口量占全国80％以上。但与其他国家芸豆生产相比，我国芸豆产量还具有很大的上升空间，提高单产是未来芸豆产业发展的方向，产量的提升对于促进芸豆产业的可持续发展具有重要的意义。当前芸豆种植户耕作粗放，农民在芸豆生产上往往延续传统的芸豆匀密种植模式，常规的栽培模式芸豆产量低，机械化收获损失大。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种大垄平台栽培芸豆的方法。该方法中土壤通透性好，群体通风透光效果好，垄体温度更有利于芸豆的生长，本专利技术方法栽培的芸豆产量高，单株粒数和粒重显著增加。本专利技术提供了一种大垄平台栽培芸豆的方法，包括以下步骤：秋整地起垄，在所述垄两侧设垄沟，所述垄设垄台，分别对垄沟和垄台中间部位进行深松，以起垄前的土地表面为基准，所述垄沟的深松深度为30～40cm，垄台中间的深松深度为15～30cm；整地时，将基肥施于垄台中间；将种肥施于播种位置下方；在垄台上进行芸豆的播种，所述播种共3行，形成3条苗带，所述播种的行间距为25～30cm，所述芸豆的品种为直立或半蔓生型抗倒高产芸豆品种；将追肥分别施于垄上左右两侧的苗带外侧，所述追肥施于垄台下方。优选的是，所述垄的垄距为100～130cm，垄台宽度70～100cm。优选的是，所述整地起垄过程中，每平方米中最大外径尺寸≥5cm的土块不超过5个。优选的是，所述垄台的上表面与垄沟表面的垂直距离为15～25cm。优选的是，垄间行距为垄沟两侧播种位置的水平距离，所述垄间行距为40～80cm。优选的是，所述播种的株距为12～20cm；所述播种的深度为3～5cm；所述播种的密度为15～20万株/公顷。优选的是，以垄台上表面为基准，所述基肥施用深度为15～20cm；所述种肥施于播种位置下方3～5cm；所述追肥施用在垄上左右两侧的苗带外侧水平距离10～15cm，深度13～18cm处。优选的是，所述基肥、种肥和追肥施用的重量比为(2～3)：(1～2)：1。优选的是，所述芸豆的品种为龙芸4号芸豆、龙芸5号芸豆、奶白花芸豆、英国红芸豆或紫花芸豆。优选的是，所述追肥在花荚期进行。本专利技术提供了一种大垄平台栽培芸豆的方法，本专利技术提供的栽培方法土壤和群体通透性好、个体抗逆性强，大幅度增加了芸豆对水、肥、光、热等资源的利用，实现了芸豆丰产优质高效生产，通过对垄进行设计，使垄更利于储存热量；肥料的施用方式使得芸豆的肥料利用率更高；结合本专利技术栽培方法良好的土壤通透性和田间群体通风透光效果，本专利技术得到的芸豆单株粒数和粒重明显提升，芸豆产量也得到显著增加。与常规栽培模式相比，本专利技术方法栽培的芸豆增产可达14.68％，芸豆的单株荚数、单荚粒数和千粒重分别比常规栽培模式高出7.92％、5.39％、6.44％，此外，其单株分枝数也明显高于常规栽培方法。附图说明图1是本专利技术实施例1提供的芸豆栽培的大垄平台的正面剖视图；图2是本专利技术实施例1提供的芸豆栽培的大垄平台的俯视图；图3是本专利技术实施例3提供的大垄平台栽培和常规栽培模式下芸豆的单株荚数；图4是本专利技术实施例3提供的大垄平台栽培和常规栽培模式下芸豆的单荚粒数；图5是本专利技术实施例3提供的大垄平台栽培和常规栽培模式下芸豆的千粒重。具体实施方式本专利技术提供了一种大垄平台栽培芸豆的方法，包括以下步骤：秋整地起垄，在所述垄两侧设垄沟，所述垄设垄台，分别对垄沟和垄台中间部位进行深松，以起垄前的土地表面为基准，所述垄沟的深松深度为30～40cm，垄台中间的深松深度为15～30cm；整地时，将基肥施于垄台中间；将种肥施于播种位置下方；在垄台上进行芸豆的播种，所述播种共3行，形成3条苗带，所述播种的行间距为25～30cm，所述芸豆的品种为直立或半蔓生型抗倒高产芸豆品种；将追肥分别施于垄上左右两侧的苗带外侧，所述追肥施于垄台下方。本专利技术的芸豆栽培的大垄平台结构示意图如图1和图2所示，其中图1为芸豆栽培的大垄平台的正面剖视图：1表示垄沟深松部位、2表示垄台中间深松部位、3表示基肥的施用位置、4表示种肥的施用位置、5表示追肥的施用位置、6表示种子的播种位置。在本专利技术中，秋整地起垄，在所述垄两侧设垄沟，所述垄设垄台，分别对垄沟和垄台中间部位进行深松，以起垄前的土地表面为基准，所述垄沟的深松深度为30～40cm，垄台中间的深松深度为15～30cm。在本专利技术中，所述起垄的时间具体为10月中下旬，即在秋季前茬作物收获后，进行秋季耕整地、起垄夹肥连续作业。在本专利技术中，所述垄的垄距优选为100～130cm，更优选为110cm；所述垄台的宽度优选为70～100cm，更优选为80cm。所述整地起垄过程中，每平方米中最大外径尺寸≥5cm的土块不超过5个，要保证垄台平整。在本专利技术中，垄台的上表面与垄沟表面的垂直距离，即垄台的高度为15～25cm，更优选为18cm。在本专利技术中，秋整地起垄时，将基肥施于垄台中间；所述播种优选在春季进行，播种前，将种肥施于播种位置下方；在垄两侧的播种位置外侧的垄台下方施加追肥。在本专利技术中，所述基肥、种肥和追肥组成优选相同，所述肥料包括重量份为40～70份的尿素、120～150份的磷酸二铵和40～60份的硫酸钾。所述基肥、种肥和追肥的原料更优选包括55～65份的尿素、130～145份的磷酸二铵和45～55份的硫酸钾。所述基肥、种肥和追肥的施用总量优选为每公顷200～280kg，更优选为230～265kg。本专利技术对所述的尿素、磷酸二铵和硫酸钾的来源没有特殊的限定，采用本领域常规技术人员熟知的尿素、磷酸二铵和硫酸钾的市售产品即可，优选选取含N≥46％的尿素，含N≥18％、P2O5≥46％的磷酸二铵，含K2O≥50％的硫酸钾。在本专利技术中，以垄台上表面为基准，所述基肥施用深度为15～20cm，更优选为本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种大垄平台栽培芸豆的方法，包括以下步骤：秋整地起垄，在所述垄两侧设垄沟，所述垄设垄台，分别对垄沟和垄台中间部位进行深松，以起垄前的土地表面为基准，所述垄沟的深松深度为30～40cm，垄台中间的深松深度为15～30cm；整地时，将基肥施于垄台中间；将种肥施于播种位置下方；在垄台上对芸豆进行播种，所述播种共3行，形成3条苗带，所述播种的行间距为25～30cm，所述芸豆的品种为直立或半蔓生型抗倒高产芸豆品种；将追肥分别施于垄上左右两侧的苗带外侧，所述追肥施于垄台下方。

【技术特征摘要】
1.一种大垄平台栽培芸豆的方法，包括以下步骤：秋整地起垄，在所述垄两侧设垄沟，所述垄设垄台，分别对垄沟和垄台中间部位进行深松，以起垄前的土地表面为基准，所述垄沟的深松深度为30～40cm，垄台中间的深松深度为15～30cm；整地时，将基肥施于垄台中间；将种肥施于播种位置下方；在垄台上对芸豆进行播种，所述播种共3行，形成3条苗带，所述播种的行间距为25～30cm，所述芸豆的品种为直立或半蔓生型抗倒高产芸豆品种；将追肥分别施于垄上左右两侧的苗带外侧，所述追肥施于垄台下方。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于所述垄的垄距为100～130cm，垄台宽度70～100cm。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述整地起垄过程中，每平方米中最大外径尺寸≥5cm的土块不超过5个。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述垄台的上表面与垄沟表面的垂直距离为15...

【专利技术属性】
技术研发人员：于崧，张翼飞，薛盈文，郭伟，刘梦红，于立河，
申请(专利权)人：黑龙江八一农垦大学，
类型：发明
国别省市：黑龙江;23