【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于微波技术、微波电路领域,具体涉及一种新型的正偏BE结晶体管变容电路
技术介绍
变容电路广泛地被应用于各种电子及微波器件,以实现电子调谐从而增加器件的工作带宽。在微波领域,变容电路可以应用于滤波器、放大器、相移器及振荡器等,其中振荡器由于其谐振电路的固有窄频特性,实际应用中成为最迫切需要调谐的器件,也是变容电路主要的应用器件。随着射频电路小型化、低功耗要求的日益加强,随着现代通信技术的日益发展,使用单片微波集成电路(MMIC)方案设计和制造的压控振荡器(VCO),成为包括军用器件在内的各类频率源的基本电路核心。一个宽调谐范围,大输出功率,高效率,高集成度的压控振荡器几乎决定了通信系统所能达到的最高性能。过去电压控制振荡器(VCO)中,变容电路大多采用反向偏压的变容二极管作为压控器件。然而,在用实际工艺实现电路时,会发现变容二极管常常会影响电路的性能。于是,人们便尝试采用其它的器件来代替一般的变容二极管,晶体管变容便应运而生。在高集成度的单片微波集成电路(MMIC)中,由于在基片上制作一只晶体二极管(BJT)或场效应管(MOSFET)其成本很低,因此在压控振荡器MMIC中,常用BJT的BE结来实现变容功能。晶体管的BE结相当于一个PN结,当外加反偏电压后,其势垒电容随反偏电压增大而减小。然而使用BE结作为变容管其电容值较小,单个变容管在微波低频段通常难以实现宽调谐,所以在VCO中人们常常使用多个变容管组成阵列来实现宽调谐,其结构复杂,设计和制作存在一定的困难。
技术实现思路
本专利技术的目的是为了解决晶体管变容值较小,在微波低频段通常难以实现宽调谐 ...
【技术保护点】
一种正偏BE结晶体管变容电路,其特征在于,包括偏置电压端口、通直器、限流电阻、第一电容、晶体管、第二电容、限直器及应用端口;偏置电压正极接通直器,偏置电压正极负极接地;通直器,限流电阻,第一电容,限直器依次串联连接;晶体管的集电极和发射极接地,其基极连接在限流电阻与第一电容之间;第二电容一端接地,另一端连接在第一电容与限直器之间;限直器另一端接应用端口。
【技术特征摘要】
1.一种正偏BE结晶体管变容电路,其特征在于,包括偏置电压端口、通直器、限流电阻、第一电容、晶体管、第二电容、限直器及应用端口;偏置电压正极接通直器,偏置电压正极负极接地;通直器,限流电阻,第一电容,限直器依次串联连接;晶体管的集电极和发射极接地,其基极连接在限流电阻与第一电容之间;第二电容一端接地,另一端连接在...
【专利技术属性】
技术研发人员:熊祥正,薛力源,廖成,高明均,罗杰,郭晓东,
申请(专利权)人:西南交通大学,
类型:发明
国别省市:四川;51
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