半导体装置制造方法及图纸

在半导体装置(100)中，主端子(22)及与同一个半导体芯片(11)对应的多个控制端子(31)从封固部(50)的一面(50c)突出，包括多个上述控制端子在内的多个信号路径与上述主端子在第1方向上排列配置。在多个上述信号路径中，分别成对设有相同功能的中继部件，包括成对的上述中继部件的一方的第1中继群(71)和包括另一方的第2中继群(72)在上述第1方向上相邻配置，并且上述第1中继群和上述第2中继群的排列顺序为镜像反转的关系。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】相关申请的相互参照本公开基于2014年3月26日提出的日本专利申请第2014－64195号主张优先权，这里引用其全部内容。
本公开涉及半导体装置。
技术介绍
以往，作为主端子及与相同的半导体芯片对应的多个控制端子从封固部的一面突出、包括该控制端子的信号路径在第1方向上排列配置、并且在第1方向上主端子在信号路径中排列配置的半导体装置，已知有专利文献1中记载的结构。专利文献1所记载的半导体装置具有用来构成三相转换器的6个半导体元件(半导体芯片)。在该半导体芯片的集电极电极及发射极电极上连接着配线部件(主端子)。另一方面，在栅极电极上，经由接合线(中继部件)连接着配线部件(控制端子)。这些主端子及控制端子从树脂模制部(封固部)突出。此外，例如各相的输出用的主端子和各相的控制端子从封固部的同一面突出，在控制端子排列的第1方向上，按照每个相而排列配置控制端子和主端子。如上述那样，控制端子经由中继部件与控制电极电连接，包括中继部件及控制端子而形成信号路径。即，在第1方向上，多个信号路径和主端子排列配置。在这样的结构中，如果发生短路而在与控制端子排列设置的主端子与别的主端子之间瞬间流过大电流，则通过排列设置的主端子与信号路径的磁耦合而发生噪声，有可能噪声在信号路径中传输而发生误动作。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2012－146919号公报
技术实现思路
本公开的目的是提供一种能够抑制因短路发生时的噪声造成的误动作的半导体装置。有关本公开的一技术方案的半导体装置具备至少一个半导体芯片、封固部、多个主端子、多个中继部件和多个控制端子。上述半导体芯片形成有开关元件，具有成对的主电极和多个控制电极。上述封固部将上述半导体芯片封固。多个上述主端子与上述主电极电连接，从上述封固部突出。多个上述中继部件分别与上述控制电极连接。多个上述控制端子经由上述中继部件与上述控制电极电连接，与对应的上述中继部件一起成为信号路径，从上述封固部突出。多个上述主端子具有从上述封固部的一面突出的第1主端子、和从与上述一面不同的面突出的第2主端子。与同一个上述半导体芯片对应的多个上述控制端子从上述一面突出，包括上述控制端子在内的上述信号路径在第1方向上排列配置，并且在上述第1方向上，上述第1主端子与上述信号路径排列而配置。在与上述第1主端子排列配置的多个上述信号路径中，分别成对设有相同功能的上述中继部件。包括成对的上述中继部件的一方的第1中继群和包括另一方的第2中继群在第1方向上相邻配置，并且上述第1中继群和上述第2中继群的排列顺序为镜像反转的关系。由噪声造成的误动作不是取决于在各信号路径中发生的噪声自身的绝对的大小，而是如果在排列设置的各信号路径中噪声电压的差较大则发生误动作。根据上述半导体装置，成对的上述中继部件的一方和上述第1主端子的互感、与上述中继部件的另一方与上述第1主端子的互感合成后的互感在各信号路径中大致相等。因而，即使发生短路而在第1主端子与第2主端子之间瞬间流过大电流，也能够抑制因噪声造成的误动作。有关本公开的另一技术方案的半导体装置备至少一个半导体芯片、封固部、多个主端子、多个中继部件和多个控制端子。上述半导体芯片形成有开关元件，具有成对的主电极和多个控制电极。上述封固部将上述半导体芯片封固。多个上述主端子与上述主电极电连接，从上述封固部突出。多个上述中继部件分别与上述控制电极连接。多个上述控制端子经由上述中继部件与上述控制电极电连接，与对应的上述中继部件一起成为信号路径，从上述封固部突出。多个上述主端子具有从上述封固部的一面突出的第1主端子、和从与上述一面不同的面突出的第2主端子。与同一个上述半导体芯片对应的多个上述控制端子从上述一面突出，包括上述控制端子的上述信号路径在第1方向上排列配置，并且在上述第1方向上，上述第1主端子与上述信号路径排列而配置。成对地设有相同功能的上述第1主端子，成对的上述第1主端子在上述第1方向上以中间夹着多个上述信号路径的方式配置在多个上述信号路径的两侧。如上述那样，由噪声造成的误动作不是取决于在各信号路径中发生的噪声自身的绝对的大小，而是如果在排列设置的各信号路径中噪声电压的差较大则发生误动作。根据上述半导体装置，成对的上述第1主端子的一方和上述信号路径的互感、与上述第1主端子的另一方和上述信号路径的互感合成后的互感在各信号路径中大致相等。因而，即使发生短路而在第1主端子与第2主端子之间瞬间流过大电流，也能够抑制因噪声造成的误动作。附图说明一边参照下述附图一边根据以下的详细说明使本公开的上述的或其他的目的、结构、优点变得更清楚。在附图中，图1是有关第1实施方式的半导体装置的电路图。图2是表示图1所示的半导体装置的概略结构的立体图。图3是在图2中将封固部及绝缘片省略的图。图4是在图3中将散热器的一部分省略的图。图5是将在图4中用虚线表示的区域V放大的图。图6是在图5中将接合线周边放大的图。图7是用来说明误动作抑制的效果的等价电路图，对应于图5。图8是将第1变形例的接合线周边放大的图。图9是表示有关第2变形例的半导体装置的概略结构的立体图。图10是表示有关第3变形例的半导体装置的平面图。图11是表示有关第4变形例的半导体装置的平面图。图12是表示有关第5变形例的半导体装置的平面图。图13是表示有关第6变形例的半导体装置的平面图。图14是表示有关第7变形例的半导体装置的平面图。图15是表示有关第2实施方式的半导体装置的概略结构的平面图。图16是在图15中将封固部、绝缘片及散热器的一部分省略的图。图17是将在图16中用虚线表示的区域XVII放大的图。图18是用来说明误动作抑制的效果的等价电路图，对应于图17。图19是表示有关第8变形例的半导体装置的平面图。图20是表示有关第9变形例的半导体装置的平面图。具体实施方式以下，参照附图说明本公开的实施方式。另外，在以下的各图相互间，对于相互相同或等同的部分赋予相同的标号。此外，将半导体芯片的厚度方向表示为Z方向。此外，将与Z方向正交且控制端子的延伸设置方向表示为Y方向。此外，将与Y方向及Z方向的两方向正交的方向表示为X方向。此外，所谓平面形状，只要没有特别否定，就表示沿着由X方向及Y方向规定的面的形状。(第1实施方式)首先，基于图1～图6对有关本实施方式的半导体装置100的结构进行说明。如图1所示，半导体装置100为了驱动作为负载的马达200，具有三相的连接在直流电源201的正极(高电位侧)与负极(低电位侧)之间的上下臂。这样，半导体装置100构成为三相转换器，将直流电力变换为三相交流，向马达200输出。这样的半导体装置100被搭载在例如电动汽车或混合动力车中。另外，图1所示的标号202是平滑用的电容器。构成各臂的半导体芯片具有IGBT或MOSFET等功率类开关元件和与该开关元件逆并联连接的FWD元件。另外，也可以将功率类开关元件和FWD元件构成在不同芯片上。在本实施方式中，半导体装置100具备作为开关元件而采用n沟道型的IGBT元件的6个半导体芯片10～15。并且，将半导体芯片10作为上臂侧，将半导体芯片11作为下臂侧而构成U相的上下臂。同样，将半导体芯片12作为上臂侧，将半导体芯片13作为下臂侧而构成V相的上下臂。将半导体芯片14作为上臂本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，具备：至少一个半导体芯片(10～15)，形成有开关元件，具有成对的主电极和多个控制电极；封固部(50)，将上述半导体芯片封固；多个主端子(20～24)，与上述主电极电连接，从上述封固部突出；多个中继部件(70)，分别与上述控制电极连接；以及多个控制端子(30～35)，经由上述中继部件而与上述控制电极电连接，与对应的上述中继部件一起形成信号路径，并从上述封固部突出，多个上述主端子具有从上述封固部的一面突出的第1主端子、和从与上述一面不同的面突出的第2主端子，与同一个上述半导体芯片对应的多个上述控制端子从上述一面突出，包括上述控制端子在内的上述信号路径在第1方向上排列配置，并且在上述第1方向上，上述第1主端子与上述信号路径排列配置，上述半导体装置中，在与上述第1主端子排列配置的多个上述信号路径中，分别成对地设有相同功能的上述中继部件，包括成对的上述中继部件的一方在内的第1中继群(71)和包括另一方在内的第2中继群(72)在第1方向上相邻配置，并且上述第1中继群和上述第2中继群的排列顺序为镜像反转的关系。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.03.26 JP 2014-0641951.一种半导体装置，具备：至少一个半导体芯片(10～15)，形成有开关元件，具有成对的主电极和多个控制电极；封固部(50)，将上述半导体芯片封固；多个主端子(20～24)，与上述主电极电连接，从上述封固部突出；多个中继部件(70)，分别与上述控制电极连接；以及多个控制端子(30～35)，经由上述中继部件而与上述控制电极电连接，与对应的上述中继部件一起形成信号路径，并从上述封固部突出，多个上述主端子具有从上述封固部的一面突出的第1主端子、和从与上述一面不同的面突出的第2主端子，与同一个上述半导体芯片对应的多个上述控制端子从上述一面突出，包括上述控制端子在内的上述信号路径在第1方向上排列配置，并且在上述第1方向上，上述第1主端子与上述信号路径排列配置，上述半导体装置中，在与上述第1主端子排列配置的多个上述信号路径中，分别成对地设有相同功能的上述中继部件，包括成对的上述中继部件的一方在内的第1中继群(71)和包括另一方在内的第2中继群(72)在第1方向上相邻配置，并且上述第1中继群和上述第2中继群的排列顺序为镜像反转的关系。2.如权利要求1所述的半导体装置，上述主端子具有与高电位侧的电源线路连接的高电位侧电源端子、与低电位侧的电源线路连接的低电位侧电源端子、和用来向负载输出的三相的输出端子，上述半导体芯片具有连接上述高电位侧电源端子的三相的上臂半导体芯片、和连接上述低电位侧电源端子的三相的下臂半导体芯片，与上述上臂半导体芯片及上述下臂半导体芯片的一方连接的各相的上述控制端子和各相的上述输出端子从上述封固部的同一面突出，各相的上述输出端子作为上述第1主端子，分别成对地设有对应的相的接合线。3.一种半导体装置，具备：至少一个半导体芯片(10～15)，形成有开关元件，具有成对的主电极和多个控制电极；封固部(50)，将上述半导体芯片封固；多个主端子(20～24)，与上述主电极电连接，从上述封固部突出；多个中继部件(70)，分别与上述控制电极连接；以及多个控制端子(30～35)，经由上述中继部件而与上述控制电极电连接，与对应的上述中继...

【专利技术属性】
技术研发人员：岩渕明，金森淳，小野田宪司，大前翔一朗，
申请(专利权)人：株式会社电装，
类型：发明
国别省市：日本;JP