芳族化合物及其用途制造技术

一种有害生物防治剂具有出色的防治活性，其包含由式(1)表示的芳族化合物，其中R1表示C1‑C4烷基等；R3表示氢原子等；R7表示C1‑C3烷基等；T表示以下基团T1、T2或T3；Z2表示卤素原子等；Z3表示C1‑C3烷基等；Q表示以下基团Q1、Q2或Q3；R5表示C1‑C3烷基等；R10表示氢原子等；R11表示氢原子等；X1表示氧原子等；X2表示直接键等；且R12表示C1‑C3烷基等。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种芳族化合物及其用途。
技术介绍
迄今为止，已经开发了多种化学品以防治有害生物并供实际使用，但是在一些情况下，这些化学品可能不发挥足够的活性。同时，作为具有芳族基团的化合物，已经知道由下式(X)表示的化合物：(参见JPH07-502747-A)本专利技术提供一种针对有害生物具有出色防治活性的化合物。
技术实现思路
为了发现针对有害生物具有出色防治活性的化合物，本专利技术的专利技术人进行了深入研究，并且发现由如下所示的式(1)表示的芳族化合物针对有害生物具有出色防治活性。本专利技术如下。[1]一种由式(1)表示的芳族化合物：其中R1表示卤素原子或任选具有一个以上卤素原子的C1-C4烷基；R3表示氢原子、卤素原子、或任选具有一个以上卤素原子的C1-C4烷基；R7表示任选具有一个以上卤素原子的C1-C3烷基、氢原子、卤素原子、任选具有一个以上卤素原子的C1-C3烷氧基、或任选具有一个以上卤素原子的C3-C4环烷基；T表示以下基团T1、T2或T3；Z2和Z3各自独立地表示卤素原子、任选具有一个以上卤素原子的C1-C3烷基、或任选具有一个以上卤素原子的C1-C3烷氧基；Q表示以下基团Q1、Q2或Q3；R5表示任选具有一个以上卤素原子的C1-C3烷基；R10表示氢原子、羟基、或甲基；R11表示氢原子、羟基、甲基、或甲氧基；X1表示氧原子或硫原子；X2表示氧原子、硫原子、NR12、或直接键；并且R12表示任选具有一个以上卤素原子的C1-C3烷基、或氢原子。[2]一种由式(2)表示的芳族化合物：其中R1、R3、T和Q是与上文所定义的相同的；并且R4和R6各自独立地表示任选具有一个以上卤素原子的C1-C3烷基、氢原子、卤素原子、任选具有一个以上卤素原子的C1-C3烷氧基、或任选具有一个以上卤素原子的C3-C4环烷基。[3]根据[2]所述的芳族化合物，其中Q是基团Q1或Q3。[4]一种由式(3)表示的芳族化合物：其中R1、R3、R6、T和Q是与上文所定义的相同的。[5]根据[4]所述的芳族化合物，其中R1是任选具有一个以上卤素原子的C1-C4烷基；并且X1是氧原子。[6]一种有害生物防治剂，所述有害生物防治剂包含根据[1]至[5]中任一项所述的芳族化合物。[7]一种用于防治有害生物的方法，所述方法包括用有效量的根据[1]至[5]中任一项所述的芳族化合物处理植物或土壤。[8]根据[1]至[5]中任一项所述的芳族化合物用于防治有害生物的用途。根据本专利技术，可以防治有害生物。具体实施方式在本专利技术中，将由式(1)表示的化合物称为本专利技术化合物，并且将含有本专利技术化合物的有害生物防治剂称为本专利技术防治剂。下文将提到如本文所使用的取代基。卤素原子表示氟原子、氯原子、溴原子和碘原子。任选具有一个以上卤素原子的C1-C4烷基的实例包括：甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、氟甲基、氯甲基、二氯甲基、二氟甲基、三氟甲基、三氯甲基、2-氟乙基、2,2,2-三氟乙基、和1-三氟甲基-2,2,2-三氟乙基。任选具有一个以上卤素原子的C3-C4环烷基的实例包括：环丙基、环丁基、2,2-二氯环丙基、和2,2-二氟环丙基。C1-C3烷基表示甲基、乙基、丙基、和异丙基。任选具有一个以上卤素原子的C1-C3烷基的实例包括：甲基、乙基、丙基、异丙基、氟甲基、氯甲基、溴甲基、二氟甲基、三氟甲基、三氯甲基、2,2,2-三氟乙基、2,2,2-三氟-1-三氟甲基乙基、1,2,2,2-四氟-1-三氟甲基乙基、和3-氟丁基。C1-C3烷氧基表示甲氧基、乙氧基、丙氧基、和异丙氧基。任选具有一个以上卤素原子的C1-C3烷氧基的实例包括：甲氧基、乙氧基、丙氧基、异丙氧基、三氟甲氧基、二氟甲氧基、2-氟乙氧基、2,2,2-三氟乙氧基、和3-氯丙氧基。本专利技术化合物的方面的实例包括以下化合物。一种式(1)的芳族化合物，其中，X1是氧原子。一种式(1)的芳族化合物，其中，X1是氧原子且R5是甲基。一种式(1)的芳族化合物，其中，X1是氧原子且R5是乙基。一种式(1)的芳族化合物，其中，Q是Q1或Q3。一种式(1)的芳族化合物，其中，Q是Q1。一种式(1)的芳族化合物，其中，Q是Q2。一种式(1)的芳族化合物，其中，Q是Q3。一种式(1)的芳族化合物，其中，T是T1。一种式(1)的芳族化合物，其中，T是T2。一种式(1)的芳族化合物，其中，T是T3。一种式(1)的芳族化合物，其中，Z2和Z3各自独立地是卤素原子或C1-C3烷氧基。一种式(1)的芳族化合物，其中，Z2是卤素原子或C1-C3烷氧基。一种式(1)的芳族化合物，其中，Z2是卤素原子。一种式(1)的芳族化合物，其中，Z2是C1-C3烷氧基。一种式(1)的芳族化合物，其中，Z3是C1-C3烷基。一种式(1)的芳族化合物，其中，R1是卤素原子。一种式(1)的芳族化合物，其中，R1是任选具有一个以上卤素原子的C1-C4烷基。一种式(1)的芳族化合物，其中，R3是氢原子。一种式(1)的芳族化合物，其中，R3是任选具有一个以上卤素原子的C1-C4烷基。一种式(1)的芳族化合物，其中，R1是任选具有一个以上卤素原子的C1-C4烷基，且R3是氢原子或任选具有一个以上卤素原子的C1-C4烷基。一种式(1)的芳族化合物，其中，R7是任选具有一个以上卤素原子的C1-C3烷基、氢原子、或任选具有一个以上卤素原子的C1-C3烷氧基。一种式(1)的芳族化合物，其中，R7是任选具有一个以上卤素原子的C1-C3烷基。一种式(1)的芳族化合物，其中，R7是卤素原子。一种式(1)的芳族化合物，其中，R7是任选具有一个以上卤素原子的C1-C3烷氧基。一种式(1)的芳族化合物，其中，R7是任选具有一个以上卤素原子的C3-C4环烷基。一种式(1)的芳族化合物，其中，Q是Q1，R10是氢原子，且X1是氧原子。一种式(1)的芳族化合物，其中，Q是Q1，R10是氢原子，X1是氧原子，且X2是氧原子。一种式(1)的芳族化合物，其中，Q是Q1，R10是氢原子，且X1是硫原子。一种式(1)的芳族化合物，其中，Q是Q1，R10是羟基，且X1是氧原子。一种式(1)的芳族化合物，其中，Q是Q1，R10是羟基，且X1是硫原子。一种式(1)的芳族化合物，其中，Q是Q1，R10是甲基，且X1是氧原子。一种式(1)的芳族化合物，其中，Q是Q1，R10是甲基，且X1是硫原子。一种式(1)的芳族化合物，其中，Q是Q3，且X2是氧原子。一种式(1)的芳族化合物，其中，Q是Q3，且X2是NR12。一种式(1)的芳族化合物，其中，Q是Q3，且X2是直接键。一种式(1)的芳族化合物，其中，R1是任选具有一个以上卤素原子的C1-C4烷基，R3是氢原子，且R7是氢原子或任选具有一个以上卤素原子的烷基。一种式(1)的芳族化合物，其中，R1是甲基，R3是氢原子或甲基，且R7是氢原子或任选具有一个以上卤素原子的烷基。一种式(2)的芳族化合物，其中，X1是氧原子。一种式(2)的芳族化合物，其中，X1是氧原子，且R5是甲基。一种式(2)的芳族化合物，其中，X1是氧原子，且R5是乙基。一种式(2)的芳族化合物，其中，Q是Q1。一种式(2)的芳族化合物，其中，Q是Q3。一种式(2)的芳族化合物，其中，T本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种由式(1)表示的芳族化合物：其中R1表示卤素原子或任选具有一个以上卤素原子的C1‑C4烷基；R3表示氢原子、卤素原子、或任选具有一个以上卤素原子的C1‑C4烷基；R7表示任选具有一个以上卤素原子的C1‑C3烷基、氢原子、卤素原子、任选具有一个以上卤素原子的C1‑C3烷氧基、或任选具有一个以上卤素原子的C3‑C4环烷基；T表示以下基团T1、T2或T3；Z2和Z3各自独立地表示卤素原子、任选具有一个以上卤素原子的C1‑C3烷基、或任选具有一个以上卤素原子的C1‑C3烷氧基；Q表示以下基团Q1、Q2或Q3；R5表示任选具有一个以上卤素原子的C1‑C3烷基；R10表示氢原子、羟基、或甲基；R11表示氢原子、羟基、甲基、或甲氧基；X1表示氧原子或硫原子；X2表示氧原子、硫原子、NR12、或直接键；并且R12表示任选具有一个以上卤素原子的C1‑C3烷基、或氢原子。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.03.28 JP 2014-0679421.一种由式(1)表示的芳族化合物：其中R1表示卤素原子或任选具有一个以上卤素原子的C1-C4烷基；R3表示氢原子、卤素原子、或任选具有一个以上卤素原子的C1-C4烷基；R7表示任选具有一个以上卤素原子的C1-C3烷基、氢原子、卤素原子、任选具有一个以上卤素原子的C1-C3烷氧基、或任选具有一个以上卤素原子的C3-C4环烷基；T表示以下基团T1、T2或T3；Z2和Z3各自独立地表示卤素原子、任选具有一个以上卤素原子的C1-C3烷基、或任选具有一个以上卤素原子的C1-C3烷氧基；Q表示以下基团Q1、Q2或Q3；R5表示任选具有一个以上卤素原子的C1-C3烷基；R10表示氢原子、羟基、或甲基；R11表示氢原子、羟基、甲基、或甲氧基；X1表示氧原子或硫原子；X2表示氧原子、硫原子、NR12、或直接键；并且R12表示任选具有一个以上卤素原子的C1-C3烷基、或氢原子。2.一种由式(2)表示的芳族化合物：其中R1表示卤素原子或任选具有一个以上卤素原子的C1-C4烷基；R3表示氢原子、卤素原子、或任选具有一个以上卤素原子的C1-C4烷基；R4和R6各自独立地表示任选具有一个以上卤素原子的C1-C3烷基、氢原子、卤素原子、任选具有一个以上卤素原子的C1-C3烷氧基、或任选具有一个以上卤素原子的C3-C4环烷基；T表示以下基团T1、T2或T3；Z2和Z3各自独立地表示卤素原子、任选具有一个以上卤素原子的C1-C3烷基、或任选具有一个以上卤素原子的C1-C3烷氧基；Q表示以下基团Q1、Q2或Q3；R5表示任选具有一个以上卤素原子的C1-C...

【专利技术属性】
技术研发人员：秋冈由贵，盐田隆之，有森贞幸，
申请(专利权)人：住友化学株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP