用于超高纯度(UHP)二氧化碳纯化的系统和方法技术方案

本发明专利技术在第一方面涉及超高纯度(UHP)二氧化碳纯化系统(20)以及在第二方面涉及UHP二氧化碳纯化方法。本发明专利技术利用负载型镍氧化物(23)和负载型钯氧化物(24)，其中所述纯化系统(20)的上部(211)至少部分地填充有负载型镍氧化物(23)，并且其下部(212)至少部分地填充有负载型钯氧化物(24)，并且其中所述纯化系统(20)的上部和下部(211，212)物理分离但流体连通。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】本专利技术涉及超高纯度(UHP)二氧化碳纯化系统，以及涉及用于将高纯度(HP)二氧化碳纯化以获得超高纯度(UHP)二氧化碳的方法。UHP二氧化碳具有许多工业用途，在这些工业用途中需要精确控制气体中的杂质水平。从纯度的角度来看，气态CO2的最苛刻的用途是半导体制造工艺，特别提及设想使用气态和/或临界和/或超临界CO2的光刻装置制作工艺。可从国际专利申请WO 2004/081666，“Immersion lithography methods using carbon dioxide”和国际专利申请WO 2006/084641，“Immersion liquid,exposure apparatus,and exposure process”获得另外的细节和信息。在这些方法中使用高能紫外光束。烃(例如甲烷)的存在可改变这些光束的透射特性，并且可导致在装置上形成含碳沉积物，改变和损害装置的功能。其他受关注的气体是含硫化合物，既由于其对最终产品的干扰和有害作用，还由于其对纯化介质能力的干扰，对于需要除去含硫化合物，参见例如美国专利5674463。在所有这些应用中，所需的出口纯度常常为ppb(p本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种超高纯度(UHP)二氧化碳纯化系统(10；20)，其具有入口(16；261)和出口(17；272)，其特征在于，所述纯化系统的靠近所述入口(16；261)的上部至少部分地填充有负载型镍氧化物，并且所述纯化系统的靠近所述出口(17；272)的下部至少部分地填充有负载型钯氧化物，其中所述纯化系统的所述上部和所述下部物理分离但流体连通。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.03.14 IT MI2014A0004151.一种超高纯度(UHP)二氧化碳纯化系统(10；20)，其具有入口(16；261)和出口(17；272)，其特征在于，所述纯化系统的靠近所述入口(16；261)的上部至少部分地填充有负载型镍氧化物，并且所述纯化系统的靠近所述出口(17；272)的下部至少部分地填充有负载型钯氧化物，其中所述纯化系统的所述上部和所述下部物理分离但流体连通。2.根据权利要求1所述的超高纯度二氧化碳纯化系统(10)，其中所述物理分离和流体连通借助介于所述上部和所述下部之间的以下中的一种或更多种来实现：金属网、多孔隔板、网栅、颗粒过滤器(12)或穿孔的金属板。3.根据权利要求1所述的超高纯度二氧化碳纯化系统(20)，其中所述物理分离和流体连通借助至少部分地填充有负载型镍氧化物并且具有入口(261)和出口(271)的第一容器(211)来实现，所述出口(271)与至少部分地填充有负载型钯氧化物的第二容器(212)的入口(262)连通。4.根据权利要求3所述的超高纯度二氧化碳纯化系统(20)，其中所述第一容器(211)的所述出口(271)直接连接至所述第二容器(212)的所述入口(262)，所述直接连接优选地包括位于所述容器(211，212)之间的一个或更多个关闭阀(28’，28”)。5.根据前述权利要求中任一项所述的超高纯度二氧化碳纯化系统(10；20)，其中所述负载型镍氧化物相对于所述负载型钯氧化物的重量比为10至0.1，优选5至0.2。6.根据前述权利要求中任一项所述的超高纯度二氧化碳纯化系统(10；20)，其中至少20％的上部体积填充有负载型镍氧化物，至少20％的下部体积填充有负载型钯氧化物。7.根据前述权利要求中任一项所述的超高纯度二氧化碳纯化系统(10；20)，其中所述系统(10；20)至少配备有一个加热器和一个温度探测装置。8.根据权利要求3所述的超高纯度二氧化碳纯化系统(20)，其中所述第一容器(211)和所述第二容器(212)各自配备有加热器和一个或更多个温度探测装置。9.根据前述权利要求中任一项所述的超高纯度二氧化碳纯化系统(10；20)...

【专利技术属性】
技术研发人员：马尔科·苏奇，克里斯蒂安·兰多尼，萨拉·福格特，查尔斯·H·阿普尔加思，
申请(专利权)人：工程吸气公司，
类型：发明
国别省市：意大利;IT