式（Y1）或式（Y2）（式中，RX为可被取代的碳环低级烷基等）所示的化合物或其盐的制造方法，其使用了式（X4）（式中，R1d为氢、卤素等，R2d为氢、可被取代基组E取代的低级烷基等，R4d为可被取代基组E取代的低级烷基等，以及R6d为可被取代基组E取代的低级烷基等）所示的吡啶酮衍生物的新的制造方法，。
【技术实现步骤摘要】
本申请是2011年8月4日申请的专利技术名称为“具有HIV整合酶抑制活性的化合物的制造方法”、国家申请号为201180048343.X的专利技术专利申请的分案申请。
本专利技术涉及使用了吡喃酮和吡啶酮衍生物的新的制造方法的、具有HIV整合酶抑制活性的化合物的制造方法。
技术介绍
专利文献1中记载了作为抗HIV药有用的式：[化1]所示的化合物（I）和化合物（II）等。作为化合物（I）的制造方法，记载了以下的反应式。[化2]另外，专利文献2～6中作为化合物（I）的改良制法，记载了以下的反应式。[化3]但是，对于这些文献中记载的制造方法，作为工业上的制造方法不是令人满意的方法，这是因为：用于得到化合物（I）的反应步骤数分别为16个步骤或11个步骤，非常长，总收率低，无效率；使用了毒性高、伴有危险的反应；使用了昂贵的反应试剂；以及使用了环境上有害的试剂等。因此，人们期望开发更高效率地、工业上大量生产化合物（I）和化合物（II）、以及它们的类似化合物的方法。非专利文献1和2中记载了制造吡喃-4-酮和吡啶-4-酮的方法。专利文献7和非专利文献3中记载了制造烯胺酮衍生物的方法。但是，这些文献中，没有记载本专利技术的吡喃酮二酯和吡啶酮二酯的制造方法。进一步地，没有记载通过进行本专利技术的制造方法、而制造具有HIV整合酶抑制活性的化合物的方法。专利文献8是申请人的国际专利申请。其中记载了与本申请相同的吡喃酮二酯和吡啶酮二酯的制造方法，但没有关于具有HIV整合酶抑制活性的化合物和抗HIV药的记载。现有技术文献专利文献专利文献1 : 国际公开第2006/116764号小册子专利文献2 : 国际公开第2010/011812号小册子专利文献3 : 国际公开第2010/011819号小册子专利文献4 : 国际公开第2010/068262号小册子专利文献5 : 国际公开第2010/067176号小册子专利文献6 : 国际公开第2010/068253号小册子专利文献7 : 美国专利4769380A专利文献8 : 国际申请PCT/JP2010/055316非专利文献非专利文献1 : Journal of Organic Chemistry，1991，Vol.56，No.16，pp4963-4967非专利文献2 : Science of Synthesis，2005，Vol.15，pp285-387非专利文献3 : Journal of Chemical Society Parkin Transaction.1，1997，Issue.2，pp163-169。
技术实现思路
本专利技术的目的是通过使用新型的吡喃酮和吡啶酮衍生物、它们的制造方法、以及它们的使用方法，而高效率地制造作为具有HIV整合酶抑制活性的抗HIV药有用的化合物（Y1）和化合物（Y2）所示的化合物、或其制药上可接受的盐或它们的溶剂化物，[化4]（式中，RX是可被取代基组E取代的碳环基、可被取代基组E取代的杂环基、可被取代基组E取代的碳环低级烷基、或可被取代基组E取代的杂环低级烷基，取代基组E：卤素、氰基、羟基、羧基、甲酰基、氨基、氧代、硝基、低级烷基、卤代低级烷基、低级烷基氧基、可被取代基组F取代的碳环基、可被取代基组F取代的杂环基、可被取代基组F取代的碳环低级烷基氧基、可被取代基组F取代的杂环低级烷基氧基、可被取代基组F取代的碳环低级烷基硫基、可被取代基组F取代的杂环低级烷基硫基、可被取代基组F取代的碳环低级烷基氨基、可被取代基组F取代的杂环低级烷基氨基、可被取代基组F取代的碳环氧基、可被取代基组F取代的杂环氧基、可被取代基组F取代的碳环羰基、可被取代基组F取代的杂环羰基、可被取代基组F取代的碳环氨基羰基、可被取代基组F取代的杂环氨基羰基、卤代低级烷基氧基、低级烷基氧基低级烷基、低级烷基氧基低级烷基氧基、低级烷基羰基、低级烷基氧基羰基、低级烷基氧基羰基氨基、低级烷基氨基、低级烷基羰基氨基、低级烷基氨基羰基、低级烷基磺酰基、和低级烷基磺酰基氨基；取代基组F：卤素、羟基、羧基、氨基、氧代、硝基、低级烷基、卤代低级烷基、低级烷基氧基、和氨基保护基）。本专利技术提供与以下的反应式所示的制造方法相关的以下的项目：[化5]（项目1）式（Y1）或式（Y2）所示的化合物或其盐的制造方法，其包含以下的步骤：（步骤B）使式（X2）所示的化合物与式（V2）所示的化合物反应而得到式（X3）所示的化合物或其盐的步骤，[化6]（式中，R1d为氢、卤素、可被取代基组E取代的低级烷基氧基、可被取代基组E取代的碳环低级烷基氧基、可被取代基组E取代的杂环低级烷基氧基、或-OSi（R1e）3，R1e分别独立地为可被取代基组E取代的低级烷基、可被取代基组E取代的碳环基、可被取代基组E取代的杂环基、可被取代基组E取代的碳环低级烷基、或可被取代基组E取代的杂环低级烷基，R2d为氢、可被取代基组E取代的低级烷基、可被取代基组E取代的碳环低级烷基、或可被取代基组E取代的杂环低级烷基，R3d为氢、可被取代基组E取代的低级烷基氧基、-N（R3e）2、或-OR3e，R3e分别独立地是可被取代基组E取代的低级烷基，或-N（R3e）2中2个R3e可与相邻的N原子一起形成杂环基，以及波状线表示E型和/或Z型或它们的混合物，取代基组E：卤素、氰基、羟基、羧基、甲酰基、氨基、氧代、硝基、低级烷基、卤代低级烷基、低级烷基氧基、可被取代基组F取代的碳环基、可被取代基组F取代的杂环基、可被取代基组F取代的碳环低级烷基氧基、可被取代基组F取代的杂环低级烷基氧基、可被取代基组F取代的碳环低级烷基硫基、可被取代基组F取代的杂环低级烷基硫基、可被取代基组F取代的碳环低级烷基氨基、可被取代基组F取代的杂环低级烷基氨基、可被取代基组F取代的碳环氧基、可被取代基组F取代的杂环氧基、可被取代基组F取代的碳环羰基、可被取代基组F取代的杂环羰基、可被取代基组F取代的碳环氨基羰基、可被取代基组F取代的杂环氨基羰基、卤代低级烷基氧基、低级烷基氧基低级烷基、低级烷基氧基低级烷基氧基、低级烷基羰基、低级烷基氧基羰基、低级烷基氧基羰基氨基、低级烷基氨基、低级烷基羰基氨基、低级烷基氨基羰基、低级烷基磺酰基、和低级烷基磺酰基氨基；取代基组F：卤素、羟基、羧基、氨基、氧代、硝基、低级烷基、卤代低级烷基、低级烷基氧基、和氨基保护基）；[化7]（式中，R4d为可被取代基组E取代的低级烷基、可被取代基组E取代的碳环低级烷基、或可被取代基组E取代的杂环低级烷基，R5d为氢、卤素、可被取代基组E取代的低级烷基氧基、或-O-SO2-R5e，R5e为可被取代基组E取代的低级烷基、可被取代基组E取代的碳环基、可被取代基组E取代的杂环基、可被取代基组E取代的碳环低级烷基、或可被取代基组E取代的杂环低级烷基，以及取代基组E的定义与上述相同）；[化8]（式中，各符号的定义与上述相同）；[化9]（式中，RX为可被取代基组E取代的碳环基、可被取代基组E取代的杂环基、可被取代基组E取代的碳环低级烷基、或可被取代基组E取代的杂环低级烷基，以及取代基组E的定义与上述相同）。（项目2）式（Y1）或式（Y2）所示的化合物或其盐的制造方法，其包含以下的步骤：（步骤C）使式（X3）所示的化合物或其盐与式（V3）所本文档来自技高网...
【技术保护点】
（U1）所示的化合物或其溶剂化物的晶体，其在粉末X射线衍射光谱中，在衍射角度（2θ）：11.2±0.2°、17.2±0.2°、17.7±0.2°、20.5±0.2°、22.0±0.2°、26.1±0.2°具有峰，[化43]（式中，Me表示甲基，和Bn表示苄基）。
【技术特征摘要】
2010.08.05 JP 2010-175899;2010.12.14 JP 2010-277711.（U1）所示的化合物或其溶剂化物的晶体，其在粉末X射线衍射光谱中，在衍射角度（2θ）：11.2±0.2°、17.2±0.2°、17.7±0.2°、20.5±0.2°、22.0±0.2°、26.1±0.2°具有峰，[化43]（式中，Me表示甲基，和Bn表示苄基）。2.（U2）所示的化合物或其溶剂化物的晶...
【专利技术属性】
技术研发人员：隅野幸仁，冈本和也，柳井盛泰，山田大辅，五十岚史也，
申请(专利权)人：盐野义制药株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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