【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种具有使能控制的高压电源系统,适合于开关电源芯片,属于功率半导体
技术介绍
目前,高压启动电路如图1所示,包括晶体管M1、电阻R1、二极管D1以及VDD检测单元。其连接关系为:晶体管M1漏极与电阻R1第一端以及HV管脚相连接,晶体管M1栅极与R1第二端、二极管D1阴极、晶体管M3漏极相连接,晶体管M1源极与VDD检测单元101的输入端、VDD管脚以及VDD电容C1相连接,二极管D1阳极与晶体管M3源极相连接并接至电源地。晶体管M3栅极与VDD检测单元101的输出端相连,PWM控制模块2的输出端与驱动模块3的输入端相连接。驱动模块3的输出端与功率晶体管M2的栅极相连接,功率晶体管M2的漏极与管脚SW相连接,功率晶体管M2的源极与电阻RS的第一端相连,电阻RS的第二端与电源地相连接。其工作原理为:当电源系统启动时,晶体管M1导通,由电源芯片HV管脚流入一路较大电流IHV对VDD管脚外接电容C1快速充电,以快速启动电源系统。当VDD管脚电位充电至某一电压阈值处时,晶体管M3导通,晶体管M1栅极电位被拉低而不工作,启动过程结束,PWM控制模块2和驱动模块3进入正常工作状态,功率晶体管M2开始正常工作,电源系统开始输出能量。上述高压启动电路的工作波形如图2所示,t1时刻电源系统上电,电源进入启动状态,VDD检测单元101的输出信号VDD_OK保持为低,晶体管M3关断 ...
【技术保护点】
具有使能控制的高压电源系统,其特征在于:包含高压启动电路(1)、PWM控制模块(2)和驱动模块(3),所述高压启动电路(1)包括第一晶体管(M1)、第三晶体管(M3)、第四晶体管(M4)、电阻(R1)、二极管(D1)、VDD检测单元(101)以及I/O接口单元(102),所述第一晶体管(M1)漏极与电阻(R1)第一端以及HV管脚相连接,第一晶体管(M1)栅极与电阻(R1)第二端、二极管(D1)阴极、第三晶体管(M3)漏极、第四晶体管(M4)的漏极相连接,第一晶体管(M1)源极与VDD检测单元(101)的输入端、VDD管脚以及VDD电容(C1)相连接,二极管(D1)阳极与第三晶体管(M3)源极、第四晶体管(M4)源极相连接并接至电源地,第三晶体管(M3)栅极与VDD检测单元(101)的输出端相连,第四晶体管(M4)的栅极与I/O接口单元(102)的输入端相连接并接至EN管脚,I/O接口单元(102)的输出端与PWM控制模块(2)和驱动模块(3)相连接,PWM控制模块(2)的输出端与驱动模块(3)的输入端相连接,驱动模块(3)的输出端与功率晶体管(M2)的栅极相连接,功率晶体管(M2)的漏 ...
【技术特征摘要】
1.具有使能控制的高压电源系统,其特征在于:包含高压启动电路
(1)、PWM控制模块(2)和驱动模块(3),所述高压启动电路(1)包括
第一晶体管(M1)、第三晶体管(M3)、第四晶体管(M4)、电阻(R1)、二
极管(D1)、VDD检测单元(101)以及I/O接口单元(102),所述第一晶
体管(M1)漏极与电阻(R1)第一端以及HV管脚相连接,第一晶体管(M1)
栅极与电阻(R1)第二端、二极管(D1)阴极、第三晶体管(M3)漏极、
第四晶体管(M4)的漏极相连接,第一晶体管(M1)源极与VDD检测单元
(101)的输入端、VDD管脚以及VDD电容(C1)相连接,二极管(D1)阳
极与第三晶体管(M3)源极、第四晶体管(M4)源极相连接并接至电源地,
第三晶体管(M3)栅极与VDD检测单元(101)的输出端相连,第四晶体
管(M4)的栅极与I/O接口单元(102)的输入端相连接并接至EN管脚,
I/O接口单元(102)的输出端与PWM控制模块(2)和驱动模块(3)相连
接,PWM控制模块(2)的输出端与驱动模块(3)的输入端相连接,驱动
模块(3)的输出端与功率晶体管(M2)的栅极相连接,功率晶体管(M2)
的漏极与管脚SW相连接,功率晶体管(M2)的源极与电流采样电阻(RS)
的第一端相连,电流采样电阻(RS)的第二端与电源地相连接。
2.根据权利要求1所述的具有使能控制的高压电源系统,其特征在
于:所述高压启动电路(1)与PWM控制模块(2)、驱动模块(3)一同受
控于EN管脚输入,当EN管脚置位,高压启动电路与PWM控制模块(2)、
驱动模块(3)同时关闭,使所在电源系统进入零待机状态;当EN管脚复
...
【专利技术属性】
技术研发人员:李海松,赵倡申,刘文亮,吴之俊,易扬波,
申请(专利权)人:无锡芯朋微电子股份有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏;32
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