【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种气相沉积设备反应腔体,特别涉及金属有机化学气相沉积设备反应腔体结构。
技术介绍
MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition,金属有机化学气相沉积)设备是宽禁带GaN基半导体材料研究和生产的关键高端设备,其决定整个LED产业外延和芯片水平。随着国内半导体产业的快速发展,特别是以半导体照明为代表的LED产业的迅猛发展,对MOCVD设备的需求量不断增加。为了制备出高质量、高均匀性、高重复性的外延材料,需要的MOCVD外延设备,目前我国具有生产小型MOCVD外延设备的成熟技术和专业厂家,但还没有涉及大型MOCVD外延设备的相关技术和生产厂家。
技术实现思路
为了解决现有技术的不足,本技术提供了一种金属有机化学气相沉积设备反应腔体结构。本技术降低生产成本,提高产量,加大设备的利用率。本技术提供了一种金属有机化学气相沉积设备腔体结构,包括用于外延片生长的衬底承载盘、进气装置、出气装置,衬底承载盘存放在壳体所设的密封腔体内,衬底承载盘通过支撑杆直立支撑,进气装置装设在密封腔体顶部,出气装置装设密封腔体底部。本技术具有以下有益效果:1)本技术提供了一种结构简单、产量高的金属有机化学气相沉积设备反应腔体,降低了生产和设计成本,提高了设备的利用率。2)技术提供了一种新型的衬底承载盘,载盘基体上设置有圆形反应槽有54个,大大提高了单炉产量。3)本技术能够实时监测反应情况,及时反馈反应信息,优化反应控制。附图说明图1为本技术的金属有机化学气相沉积设备的反应腔体结构示意图;图2为图1中衬底承载盘基体的俯视图;图3为图1中设 ...
【技术保护点】
一种金属有机化学气相沉积设备反应腔体结构一种金属有机化学气相沉积设备,其特征在于包括用于外延片生长的衬底承载盘(1)、进气装置(2)、出气装置(3),衬底承载盘(1)存放在壳体(4)所设的密封腔体内,衬底承载盘(1)通过支撑杆直立支撑,进气装置(2)装设在密封腔体顶部,出气装置(3)装设密封腔体底部。
【技术特征摘要】
1.一种金属有机化学气相沉积设备反应腔体结构一种金属有机化学气相沉积设备,其特征在于包括用于外延片生长的衬底承载盘(1)、进气装置(2)、出气装置(3),衬底承载盘(1)存放在壳体(4)所设的密封腔体内,衬底承载盘(1)通过支撑杆直立支撑,进气装置(2)装设在密封腔体顶部,出气装置(3)装设密封腔体底部。2.根据权利要求1所述的金属有机化学气相沉积设备,其特征在于上述衬底承载盘(1)包括设置的圆形反应槽(11)、载盘基体(12)、槽口(13),其中圆形反应槽(11)设置在载盘基体(12)的上部,槽口(13)设置在载盘基体(12)的底部,支撑杆的上端插装在槽口(13)上,支撑杆的上端与槽口(13)完全耦合。3.根据权利要求2所述的金属有机化学气相沉积设备,其特征在于上述圆形反应槽(11)有54个,载盘基体(12)直径范围是67-560mm,载盘基体(12)的材料为石墨并包裹碳化硅层。4.根据权利要求2所述的金属有机化学气相沉积设备,其特征在于上述槽口(13)的几何中心与载盘基体(12)的几何中心重合。5.根据权利要求2至4任一项所述的金属有机化学气相沉积设备,其特征在于上述圆形反应槽(...
【专利技术属性】
技术研发人员:邓耀华,傅雅琦,陈嘉源,吴黎明,张巧芬,
申请(专利权)人:广东工业大学,
类型:新型
国别省市:广东;44
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