数模转换电路以及数据源电路芯片制造技术

提供一种数模转换电路以及数据源电路芯片，所述数模转换电路包括：与输入的数字量位数相同个数的第一MOS管，任一第一MOS管的栅极接收一位数字量，所述任一第一MOS管的漏极连接到所述电路的输出端，所述任一第一MOS管的源极连接到第一电阻的一端，第一电阻的另一端连接到基准电压，第二电阻的一端连接到基准电压，第二电阻的另一端连接到所述电路的输出端，第二MOS管的漏极连接到所述电路的输出端，第二MOS管的源极接地，第二MOS管的栅极接收行空白信号，电容的一端连接到输出端，电容的另一端接地。采用上述电路及数据源电路芯片，可极大地减少数模转换电路中采用的MOS管的数量，以有效降低数据源电路芯片的体积和成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术总体说来涉及信号转换
，更具体地讲，涉及一种能够减少MOS管使用数量的数模转换电路，以及用于显示面板的数据源电路芯片。
技术介绍
在显示面板工作过程中，一般需要数据源电路芯片(source IC)将从控制芯片(TCON)传输过来的数字量转换成模拟电压值，然后将模拟电压值经过显示阵列上的显示数据线路对显示面板进行充放电，从而实现显示面板中的每个像素的正常显示。在现有技术中，通常是通过Source IC中的DAC模块(数模转换模块)来实现由数字量到模拟电压值的转换的，且Source IC的体积大小以及成本很大程度上是由DAC模块决定的。图1示出现有技术中source IC中的DAC模块的电路图，在本示例中，以输入为三位数字量(3bit)的DAC模块为例，为使3bit数字量能转换出8个(8step)对应的电压值，一般需要开关MOS管的数量为24(即，3×23)个。如果DAC模块的输入为8bit数字量，则一般需要开关MOS管的数量为2048(即，8×28)个。并且，source IC中每一通道均需要独立的DAC模块进行数模转换处理，即，如果一个8bit的source IC输出通道数为960个通道，那么DAC模块中需要用到开关MOS管的数量将多达1966080(即，960×2048)个。如果是10bit的source IC则需要用到的开关MOS管的数量就更多了。而MOS管的数量越多，则导致source IC的体积越大，且成本也越高。
技术实现思路
本专利技术的示例性实施例在于提供一种能够减少MOS管使用数量的数模转换电路以及数据源电路芯片，以有效减小数据源电路芯片的体积并降低成本。根据本专利技术示例性实施例的一方面，提供一种数模转换电路，所述电路包括：与输入的数字量位数相同个数的第一MOS管，其中，任一第一MOS管的栅极接收一位数字量，所述任一第一MOS管的漏极连接到所述电路的输出端，所述任一第一MOS管的源极连接到第一电阻的一端，第一电阻的另一端连接到基准电压，第二电阻，第二电阻的一端连接到基准电压，第二电阻的另一端连接到所述电路的输出端，第二MOS管，第二MOS管的漏极连接到所述电路的输出端，第二MOS管的源极接地，第二MOS管的栅极接收行空白信号，电容，电容的一端连接到输出端，电容的另一端接地。可选地，所述电路包括的第一电阻的数量可与所述第一MOS管的数量相同，且各个第一电阻的阻值随着数字量的位权的变化而变化，其中，通过第一MOS管与数字量最高位相连的第一电阻的阻值最小，通过第一MOS管与数字量最低位相连的第一电阻的阻值最大。可选地，第二电阻的阻值可大于与数字量最低位相连的第一电阻的阻值。可选地，电容的值可为固定值。可选地，所述任一第一MOS管可根据从栅极接收的数字量的值来导通所述任一第一MOS管，以将与所述任一第一MOS管相连接的第一电阻接入所述电路中，接入所述电路中的各第一电阻之间为并联连接，接入所述电路中的各第一电阻与第二电阻之间可为并联连接。可选地，一个行扫描周期可包括显示阶段和显示空白阶段，在显示阶段可根据数字量的值对电容进行充电，以将所述数模转换电路输出端的灰阶电压提供给显示面板，在显示空白阶段，所有第一MOS管均关断，第二MOS管可根据行空白信号导通，电容通过第二MOS管进行放电，以使得在每次对电容进行充电前，电容的电荷为零。可选地，接入所述电路中的各第一电阻与第二电阻并联后的阻值与所述数模转换电路输出端的灰阶电压可呈非线性变化。可选地，所述数模转换电路输出端的灰阶电压可根据以下等式计算：Vgm＝Vref-Vref·e-t/RC其中，Vgm表示所述数模转换电路输出端的灰阶电压，Vref表示基准电压，R表示接入所述电路中的各第一电阻与第二电阻并联后的阻值，C表示电容，t表示电容的充电时间。根据本专利技术示例性实施例的另一方面，提供一种数据源电路芯片，所述数据源电路芯片包括接收器、移位寄存器、行存储器、电平升压电路、根据权利要求1至8中任意一项权利要求所述的数模转换电路和放大电路。采用上述数模转换电路以及数据源电路芯片，可极大地减少数模转换电路中采用的MOS管的数量，以有效降低数据源电路芯片的体积和成本。附图说明图1示出现有技术中source IC中的DAC模块的电路图；图2示出根据本专利技术示例性实施例的数模转换电路的电路图；图3示出根据本专利技术示例性实施例的图2所示的数模转换电路的输出电压的变化曲线；图4示出根据本专利技术示例性实施例的具有图2所示的数模转换电路的数据源芯片的结构图。具体实施方式现在将详细地描述本专利技术的示例性实施例，本专利技术的示例性实施例的示例示出在附图中。下面通过参照附图描述实施例来解释本专利技术。然而，本专利技术可以以许多不同的形式实施，而不应被解释为局限于在此阐述的示例性实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是彻底的和完整的，并且这些实施例将把本专利技术的范围充分地传达给本领域技术人员。根据本专利技术示例性实施例的数模转换电路包括电容、第二电阻、第二MOS管、与输入的数字量位数相同个数的第一MOS管、与第一MOS管的数量相同个数的第一电阻。具体说来，任一第一MOS管的栅极接收一位数字量，所述任一第一MOS管的漏极连接到所述电路的输出端，所述任一第一MOS管的源极连接到第一电阻的一端，第一电阻的另一端连接到基准电压，第二电阻的一端连接到基准电压，第二电阻的另一端连接到所述电路的输出端，第二MOS管，第二MOS管的漏极连接到所述电路的输出端，第二MOS管的源极接地，第二MOS管的栅极接收行空白信号，电容的一端连接到输出端，电容的另一端接地。下面参照图2，以输入为8bit数字量的数模转换电路为例，来详细介绍本专利技术示例性实施例的数模转换电路的工作原理。图2示出根据本专利技术示例性实施例的数模转换电路的电路图。如图2所示，在本示例中，该数模转换电路的输入为8bit数字量(即，B0～B7)，其中，B7为数字量的最高位，B0为数字量的最低位，数模转换电路共包括8个第一MOS管(即，Q0～Q7)和8个第一电阻(R0～R7)，每个第一MOS管的接线方式相同，以第一MOS管Q0为例，第一MOS管Q0的栅极接收数字量B0，第一MOS管Q0的源极连接到第一电阻R0的一端，第一电阻R0的另一端连接到基准电压(Vref)，第一MOS管Q0的漏极连接到数模转换电路的输出端，这里，第一电阻R0与第一MOS管Q0串联构成一条通路。优选地，第一电阻的数量与第一MOS管的数量相同，且各个第一电阻的阻值随着数字量的位权的变化而变化。这里，如图2所示，第一电阻R0～R7的阻值逐渐减少，即，通过第一MOS管(Q7)与数字量最高位B7相连的第一电阻(R7)的阻值最小，通过第一MOS管(Q0)与数字量最低位B0相连的第一电阻(R0)的阻值最大。第二电阻(R8)的一端连接到基准电压(Vref)，第二电阻(R8)的另一端连接到数模转换电路的输出端。这里，第二电阻(R8)的阻值大于与数字量最低位B0相连的第一电阻(R0)的阻值。第二MOS管(Q8)的漏极连接到所述电路的输出端，第二MOS管(Q8)的源极接地，第二MOS管(Q8)的栅极接收行空白信号(H Blanking)，电容(C3)的一端连接到输出端，电容(C3)的另一端接地。所述任一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种数模转换电路，所述电路包括：与输入的数字量位数相同个数的第一MOS管，其中，任一第一MOS管的栅极接收一位数字量，所述任一第一MOS管的漏极连接到所述电路的输出端，所述任一第一MOS管的源极连接到第一电阻的一端，第一电阻的另一端连接到基准电压，第二电阻，第二电阻的一端连接到基准电压，第二电阻的另一端连接到所述电路的输出端，第二MOS管，第二MOS管的漏极连接到所述电路的输出端，第二MOS管的源极接地，第二MOS管的栅极接收行空白信号，电容，电容的一端连接到输出端，电容的另一端接地。

【技术特征摘要】
1.一种数模转换电路，所述电路包括：与输入的数字量位数相同个数的第一MOS管，其中，任一第一MOS管的栅极接收一位数字量，所述任一第一MOS管的漏极连接到所述电路的输出端，所述任一第一MOS管的源极连接到第一电阻的一端，第一电阻的另一端连接到基准电压，第二电阻，第二电阻的一端连接到基准电压，第二电阻的另一端连接到所述电路的输出端，第二MOS管，第二MOS管的漏极连接到所述电路的输出端，第二MOS管的源极接地，第二MOS管的栅极接收行空白信号，电容，电容的一端连接到输出端，电容的另一端接地。2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述电路包括的第一电阻的数量与所述第一MOS管的数量相同，且各个第一电阻的阻值随着数字量的位权的变化而变化，其中，通过第一MOS管与数字量最高位相连的第一电阻的阻值最小，通过第一MOS管与数字量最低位相连的第一电阻的阻值最大。3.根据权利要求2所述的电路，其特征在于，第二电阻的阻值大于与数字量最低位相连的第一电阻的阻值。4.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，电容的值为固定值。5.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述任一第一MOS管根据从栅极接收的数字量的值来导通所述任一第一MOS管，以将与所述任一第...

【专利技术属性】
技术研发人员：曾德康，徐枫程，郭东胜，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44