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功率可调氙气灯安定器制造技术

技术编号:13908203 阅读:342 留言:0更新日期:2016-10-26 17:18
本发明专利技术公开了一种功率可调氙气灯安定器,设有桥式整流电路(3)、有源功率因数校正电路(4)、恒流降压电路(5)、全桥逆变电路(6)、触发器电路(7)、恒功率控制调节电路(8)、微处理机(9)和通讯电路(10);微处理机(9)通过所述恒功率控制调节电路(8)控制所述恒流降压电路(5)的输出电流,使得所述恒流降压电路(5)的输出电流为符合所述外部控制指令的恒定值。本发明专利技术能通过远程控制方式调节氙气灯安定器的输出功率,以实现对氙气灯的远程调光,并具有稳定性好、可靠性高的优点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种功率可调氙气灯安定器
技术介绍
照明耗电在每个国家的总发电量中占有不可忽视的比重。据权威组织统计,全世界范围内的电力消耗中,进入上世纪90年代,照明用电大约占总发电量的12%~14%。据统计,我国照明耗电大体占全国总用电量的12%,并正以每年5%的速度增长。预计到2010年,全国照明用电量将超过3000亿千瓦时。随着照明用电的不断增加,电力投资要大量的增加,不仅牵制着国民经济的发展,而且还会造成资源的浪费,同时会排放废气、尘埃和废渣,对环境造成污染。因此照明节电具有重要的意义,也成了各国政府及专业人员必须面对的棘手问题。在照明领域中,高强度气体放电(High Intensity Discharge,HID)灯是用途比较广泛的节能型电光源。HID灯主要主要是指高压汞灯、高压钠灯、金属卤化物灯和氙气灯。其中,氙气灯(Xenon lamps)作为一种高强度气体放电灯,具有效率高、灯管寿命长、色温好和聚光能力强等优点,成为绿色照明工程的首选产品。目前,氙气灯主要用于体育场馆、车站码头、道路交通、建筑工地、宾馆商场、工厂车间、庭院草坪、建筑物的泛光照明及影视舞台设备光源等领域。氙气灯采用安定器代替电感镇流器,体积和重量大大减小,在节约电能的同时又提高了发光效率。但是现有的安定器往往只能输出固定的功率,对于需要调节亮度的场合无法适应,浪费了大量的电能。发展和推广高效可调节输出功率节能电子镇流器、安定器,节约照明用电,对缓解能源紧张和保护生态环境具有重要的意义。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是:提供一种功率可调氙气灯安定器。解决上述技术问题,本专利技术所采用的技术方案如下:一种功率可调氙气灯安定器,其特征在于:所述的功率可调氙气灯安定器设有桥式整流电路、有源功率因数校正电路、恒流降压电路、全桥逆变电路、触发器电路、恒功率控制调节电路、微处理机和通讯电路;所述桥式整流电路将输入安定器的交流电转换为脉动直流电并将该脉动直流电输出到所述有源功率因数校正电路,所述有源功率因数校正电路控制所述脉动直流电的电流波形跟随其电压波形,且所述有源功率因数校正电路通过所述恒流降压电路向全桥逆变电路输出稳压直流电,所述全桥逆变电路将所述稳压直流电转换成交流方波,在安定器所接氙气灯的启动阶段,所述触发器电路在所述交流方波的驱动下产生用于击穿所述氙气灯内部高压气体的高压脉冲,在所述安定器所接氙气灯点亮后,所述微处理机通过所述通讯电路接收外部控制指令,并且,所述微处理机通过所述恒功率控制调节电路控制所述恒流降压电路的输出电流,使得所述恒流降压电路的输出电流为符合所述外部控制指令的恒定值。作为本专利技术的改进,所述的全桥逆变电路连接在地端GNDF与所述有源功率因数校正电路的输出端VBUS之间,所述恒功率控制调节电路能够受所述微处理机控制输出用于调节所述恒流降压电路输出电流的参考电压Ureg;所述的恒流降压电路为由续流二极管HF1、变压器T2、MOS管Q4、采样单元、滤波单元和驱动控制电路组成的改进型BUCK变换器电路,其中,所述采样单元由电阻R47和电容C31组成,所述滤波单元由电容C13、二极管D5、电阻R18、电阻R22和电容C14组成,所述驱动控制电路由磁珠Z1、电容C26、电阻R36、三极管Q9、电阻R35、电阻R44、电阻R46、电阻R52、电容C35、电阻R66、电容C42、电阻R61、电容C36、运算放大器U4、电容C40、电阻R62、电阻R59、电阻R63、电阻R69、电阻R64、三极管Q11、电阻R73、电阻R70、电阻C45、电容Cel、电阻R80、电阻R77、电容C47、电阻R79、电阻R82、电容C53、型号为L6562D的电源芯片U6、电容C46、电阻R76、电阻R78、电容C37、三极管Q10、电容C41、电阻R60和电阻R67组成;所述续流二极管HF1的阴极连接所述有源功率因数校正电路的输出端VBUS、阳极通过所述磁珠Z1连接所述MOS管Q4的漏极,所述变压器T2的原边绕组一端连接所述MOS管Q4的漏极、另一端接地端GNDF,所述MOS管Q4的源极通过所述电阻R47和电容C31组成的并联支路接地GND;.所述电容C13的一端连接所述有源功率因数校正电路的输出端VBUS、另一端依次通过所述电阻R18和电阻R22连接所述地端GNDF,所述二极管D5与所述电阻R18并联,且所述二极管D5的阳极与所述电阻R18和电阻R22的连接点相连,所述电容C14连接在所述地端GNDF与所述有源功率因数校正电路的输出端VBUS之间;所述变压器T2的副边绕组一端接地GND、另一端通过所述电阻R46连接所述电源芯片U6的5号引脚;所述电容C26连接在所述MOS管Q4的漏极与源极之间,所述电阻R36连接在所述MOS管Q4的栅极与源极之间,所述三极管Q9的发射极一路连接所述MOS管Q4的栅极、另一路通过所述电阻R35连接其基极,所述三极管Q9的集电极分成三路,第一路连接所述MOS管Q4的源极,第二路依次通过所述电阻R52和电容C35接地GND,且所述电阻R52和电容C35的连接点连接所述运算放大器U4的反相输入端,第三路依次通过所述电阻R82和电容C53接地GND,且所述电阻R82和电容C53的连接点连接所述电源芯片U6的4号引脚;所述电阻C45的一端接地GND、另一端作为用于接收所述微处理机所发出调压控制信号的控制信号输入端PG,所述控制信号输入端PG通过所述电阻R70连接所述三极管Q11的基极,所述电阻R73连接在所述三极管Q11的基极与地GND之间,所述三极管Q11的发射机接地GND、集电极连接所述电阻R64的一端,所述电阻R64的另一端作为用于接收所述参考电压Ureg的参考电压输入端reg,所述电阻R63和电阻R69组成的串联电路连接在所述参考电压输入端reg与三极管Q11的发射极之间,所述参考电压输入端reg一路通过所述电阻R59连接所述电源芯片U6的2号引脚、另一路通过所述电阻R62连接所述运算放大器U4的同相输入端,所述电容C40连接在所述运算放大器U4的同相输入端与地GND之间,所述电容C36连接在所述运算放大器U4的反相输入端与输出端之间,所述运算放大器U4的电源负极一路通过所述电阻R80接15V直流电源、另一端通过所述电容Cel接地GND,所述运算放大器U4的电源正极接地GND,所述运算放大器U4的输出端通过所述电阻R61连接所述电源芯片U6的3号引脚,所述电阻R66和电容C42组成的并联支路连接在所述电源芯片U6的3号引脚与地GND之间;所述电源芯片U6的1号引脚一路通过所述电容C47和电阻R79组成的并联支路连接所述2号引脚、另一路通过所述电阻R77接地GND,所述电源芯片U6的6号引脚接地GND、7号引脚通过所述电阻R44连接所述三极管Q9的基极;所述电阻R60的一端作为用于接收所述微处理机所发出关灯控制信号的控制信号输入端Shutdowm、另一端连接所述三极管Q10的基极,所述电容C41和电阻R67组成的并联支路连接在所述三极管Q10的基极与发射极之间,所述三极管Q10的发射极接地GND、集电极一路通过所述电容C37地GND、一路连接所述电源芯片U6的5号引脚、一路通过所述电阻R76连接本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种功率可调氙气灯安定器,其特征在于:所述的功率可调氙气灯安定器设有桥式整流电路(3)、有源功率因数校正电路(4)、恒流降压电路(5)、全桥逆变电路(6)、触发器电路(7)、恒功率控制调节电路(8)、微处理机(9)和通讯电路(10);所述桥式整流电路(3)将输入安定器的交流电转换为脉动直流电并将该脉动直流电输出到所述有源功率因数校正电路(4),所述有源功率因数校正电路(4)控制所述脉动直流电的电流波形跟随其电压波形,且所述有源功率因数校正电路(4)通过所述恒流降压电路(5)向全桥逆变电路(6)输出稳压直流电,所述全桥逆变电路(6)将所述稳压直流电转换成交流方波,在安定器所接氙气灯的启动阶段,所述触发器电路(7)在所述交流方波的驱动下产生用于击穿所述氙气灯内部高压气体的高压脉冲,在所述安定器所接氙气灯点亮后,所述微处理机(9)通过所述通讯电路(10)接收外部控制指令,并且,所述微处理机(9)通过所述恒功率控制调节电路(8)控制所述恒流降压电路(5)的输出电流,使得所述恒流降压电路(5)的输出电流为符合所述外部控制指令的恒定值。

【技术特征摘要】
1.一种功率可调氙气灯安定器,其特征在于:所述的功率可调氙气灯安定器设有桥式整流电路(3)、有源功率因数校正电路(4)、恒流降压电路(5)、全桥逆变电路(6)、触发器电路(7)、恒功率控制调节电路(8)、微处理机(9)和通讯电路(10);所述桥式整流电路(3)将输入安定器的交流电转换为脉动直流电并将该脉动直流电输出到所述有源功率因数校正电路(4),所述有源功率因数校正电路(4)控制所述脉动直流电的电流波形跟随其电压波形,且所述有源功率因数校正电路(4)通过所述恒流降压电路(5)向全桥逆变电路(6)输出稳压直流电,所述全桥逆变电路(6)将所述稳压直流电转换成交流方波,在安定器所接氙气灯的启动阶段,所述触发器电路(7)在所述交流方波的驱动下产生用于击穿所述氙气灯内部高压气体的高压脉冲,在所述安定器所接氙气灯点亮后,所述微处理机(9)通过所述通讯电路(10)接收外部控制指令,并且,所述微处理机(9)通过所述恒功率控制调节电路(8)控制所述恒流降压电路(5)的输出电流,使得所述恒流降压电路(5)的输出电流为符合所述外部控制指令的恒定值。2.根据权利要求1所述的功率可调氙气灯安定器,其特征在于:所述的全桥逆变电路(6)连接在地端GNDF与所述有源功率因数校正电路(4)的输出端VBUS之间,所述恒功率控制调节电路(8)能够受所述微处理机(9)控制输出用于调节所述恒流降压电路(5)输出电流的参考电压Ureg;所述的恒流降压电路(5)为由续流二极管HF1、变压器T2、MOS管Q4、采样单元、滤波单元和驱动控制电路组成的改进型BUCK变换器电路,其中,所述采样单元由电阻R47和电容C31组成,所述滤波单元由电容C13、二极管D5、电阻R18、电阻R22和电容C14组成,所述驱动控制电路由磁珠Z1、电容C26、电阻R36、三极管Q9、电阻R35、电阻R44、电阻R46、电阻R52、电容C35、电阻R66、电容C42、电阻R61、电容C36、运算放大器U4、电容C40、电阻R62、电阻R59、电阻R63、电阻R69、电阻R64、三极管Q11、电阻R73、电阻R70、电阻C45、电容Cel、电阻R80、电阻R77、电容C47、电阻R79、电阻R82、电容C53、型号为L6562D的电源芯片U6、电容C46、电阻R76、电阻R78、电容C37、三极管Q10、电容C41、电阻R60和电阻R67组成;所述续流二极管HF1的阴极连接所述有源功率因数校正电路(4)的输出端VBUS、阳极通过所述磁珠Z1连接所述MOS管Q4的漏极,所述变压器T2的原边绕组一端连接所述MOS管Q4的漏极、另一端接地端GNDF,所述MOS管Q4的源极通过所述电阻R47和电容C31组成的并联支路接地GND;.所述电容C13的一端连接所述有源功率因数校正电路(4)的输出端VBUS、另一端依次通过所述电阻R18和电阻R22连接所述地端GNDF,所述二极管D5与所述电阻R18并联,且所述二极管D5的阳极与所述电阻R18和电阻R22的连接点相连,所述电容C14连接在所述地端GNDF与所述有源功率因数校正电路(4)的输出端VBUS之间;所述变压器T2的副边绕组一端接地GND、另一端通过所述电阻R46连接所述电源芯片U6的5号引脚;所述电容C26连接在所述MOS管Q4的漏极与源极之间,所述电阻R36连接在所述MOS管Q4的栅极与源极之间,所述三极管Q9的发射极一路连接所述MOS管Q4的栅极、另一路通过所述电阻R35连接其基极,所述三极管Q9的集电极分成三路,第一路连接所述MOS管Q4的源极,第二路依次通过所述电阻R52和电容C35接地GND,且所述电阻R52和电容C35的连接点连接所述运算放大器U4的反相输入端,第三路依次通过所述电阻R82和电容C53接地GND,且所述电阻R82和电容C53的连接点连接所述电源芯片U6的4号引脚;所述电阻C45的一端接地GND、另一端作为用于接收所述微处理机(9)所发出调压控制信号的控制信号输入端PG,所述控制信号输入端PG通过所述电阻R70连接所述三极管Q11的基极,所述电阻R73连接在所述三极管Q11的基极与地GND之间,所述三极管Q11的发射机接地GND、集电极连接所述电阻R64的一端,所述电阻R64的另一端作为用于接收所述参考电压Ureg的参考电压输入端reg,所述电阻R63和电阻R69组成的串联电路连接在所述参考电压输入端reg与三极管Q11的发射极之间,所述参考电压输入端reg一路通过所述电阻R59连接所述电源芯片U6的2号引脚、另一路通过所述电阻R62连接所述运算放大器U4的同相输入端,所述电容C40连接在所述运算放大器U4的同相输入端与地GND之间,所述电容C36连接在所述运算放大器U4的反相输入端与输出端之间,所述运算放大器U4的电源负极一路通过所述电阻R80接15V直流电源、另一端通过所述电容Cel接地GND,所述运算放大器U4的电源正极接地GND,所述运算放大器U4的输出端通过所述电阻R61连接所述电源芯片U6的3号引脚,所述电阻R66和电容C42组成的并联支路连接在所述电源芯片U6的3号引脚与地GND之间;所述电源芯片U6的1号引脚一路通过所述电容C47和电阻R79组成的并联支路连接所述2号引脚、另一路通过所述电阻R77接地GND,所述电源芯片U6的6号引脚接地GND、7号引脚通过所述电阻R44连接所述三极管Q9的基极;所述电阻R60的一端作为用于接收所述微处理机(9)所发出关灯控制信号的控制信号输入端Shutdowm、另一端连接所述三极管Q10的基极,所述电容C41和电阻R67组成的并联支路连接在所述三极管Q10的基极与发射极...

【专利技术属性】
技术研发人员:郑贵林贺凌昊
申请(专利权)人:郑贵林
类型:发明
国别省市:广东;44

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