一种移相单元及其构成的太赫兹反射式液晶移相器制造技术

本发明专利技术公开了一种移相单元及其构成的太赫兹反射式液晶移相器，移相单元包括介质基板、电极结构和液晶层，介质基板包括相对固定且相互平行的两块介质基片，电极结构包括两片微带贴片电极和一片金属反射电极，两片微带贴片电极分别设置在两块介质基片的相对面上，两片微带贴片电极呈镜像对称布置，金属反射电极设置在其中一块介质基片的另一面上，每片微带贴片电极的两侧边分别连接一根金属连接线，两块介质基片之间间隙中设有液晶层；太赫兹反射式液晶移相器包括数个移相单元，且每个移相单元添加不同的直流偏置电压。本发明专利技术提高了移相单元的性能，大大提高了移相范围，同时结构简单，制作工艺易实现，所需偏置电压较小，制作成本较低。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于太赫兹卫星通信、相控阵雷达
中的元器件
，具体的说，是涉及一种移相单元及其构成的太赫兹液晶移相器。技术背景 由于太赫兹频段的波长远小于通常的微波及毫米波波段的波长，其穿透性强，分辨率高，带宽大等特点，因此具有很好的时间分辨率和空间分辨率。因此太赫兹雷达系统更有利于实现目标的高分辨率成像，且物体运动引起的多普勒效应更为明显，更利于检测目标的运动特征。 移相器作为相控阵天线中的重要组件，其成本、性能直接影响相控阵雷达系统的造价和性能。目前的移相器有依靠材料特性设计的移相器，如铁氧体材料；有依靠PIN二极管或FET场效应管开关来实现；还有借助先进工艺技术的微机电系统（MEMS）移相器和InP基底移相器。 不同类型的移相器却有着其制约因素和技术难度。铁氧体材料移相器具有优良的性能，但是其制造成本昂贵，体积大，又不易集成；而PIN二极管或者FET开关移相器功耗较大；半导体开关的损耗以及线性度等问题抑制了移相器向更高频率和更高性能的发展；同时MEMS移相器随着频率上升后，器件尺寸减小、器件性能对工艺的敏感度上升；InP移相器由于采用有源器本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种移相单元，其特征在于：包括介质基板、电极结构和液晶层，所述介质基板包括相对固定且相互平行的两块介质基片，所述电极结构包括两片微带贴片电极和一片金属反射电极，两片微带贴片电极分别设置在两块介质基片的相对面上，两片微带贴片电极呈镜像对称布置，金属反射电极设置在其中一块介质基片的另一面上，每片微带贴片电极的两侧边分别连接一根金属连接线，两块介质基片之间间隙中设有液晶层。

【技术特征摘要】
1.一种移相单元，其特征在于：包括介质基板、电极结构和液晶层，所述介质基板包括相对固定且相互平行的两块介质基片，所述电极结构包括两片微带贴片电极和一片金属反射电极，两片微带贴片电极分别设置在两块介质基片的相对面上，两片微带贴片电极呈镜像对称布置，金属反射电极设置在其中一块介质基片的另一面上，每片微带贴片电极的两侧边分别连接一根金属连接线，两块介质基片之间间隙中设有液晶层。2.根据权利要求1所述的一种移相单元，其特征在于：所述每片微带贴片电极上覆有聚...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨军，叶明旭，尹治平，邓光晟，陆红波，
申请(专利权)人：合肥工业大学，
类型：发明
国别省市：安徽;34