一种高功率容量带背腔的双分支螺旋天线制造技术

技术编号:13831807 阅读:154 留言:0更新日期:2016-10-14 10:37
本发明专利技术公开了一种高功率容量带背腔的双分支螺旋天线,包括同轴内导体、与同轴内导体的上端相接的竖直延长段,与竖直延长段的侧壁相接且以竖直延长段轴线为中心螺旋的第一螺旋分支,与竖直延长段顶部相接且以竖直延长段轴线为中心螺旋的第二螺旋分支,设于同轴内导体外围的同轴外导体,与同轴外导体的顶部相接并设于同轴内导体外围的背腔底板,与背腔底板的顶部相接并设于竖直延长段外围的背腔侧壁。本发明专利技术采用双分支螺旋串联的形式实现微波辐射,巧妙地在竖直延长段上不同位置处分别引出两端螺旋分支,从而将高频电流分流成两部分,有效地解决了原来单分支螺旋天线中的电场集中问题,通过优化设计,可以显著提高螺旋天线的功率容量。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于微波辐射领域,特别是高功率容量微波辐射天线领域,具体涉及一种高功率容量带背腔的双分支螺旋天线
技术介绍
高功率微波辐射技术是高功率微波技术的重要组成部分,高功率微波辐射天线的研究越来越受到人们的重视。高功率径向线螺旋阵列天线是近年来提出并发展起来的一种新型高功率微波辐射天线,它可以实现高功率微波的定向辐射,具有高功率容量、高效率、小型化、阵列化等优点。在高功率径向线螺旋阵列天线中,采用轴向模辐射的螺旋天线作为单元天线。前述相关研究已经表明,单元天线是实现整个阵列天线功率容量要求的核心环节。因此为了提高阵列天线的功率容量,探索实现具有更高功率容量的单元天线具有重要的意义。根据高功率径向线螺旋阵列天线的特点,其单元天线需要满足的要求包括:具有较高的功率容量,能够实现椭圆极化,采用同轴波导馈电等。在前述相关研究中,所采用的螺旋天线均为单分支的形式,其基本结构为:天线由同轴内导体馈电,同轴内导体向上延伸一段距离后与一水平方向的横杆相连,横杆末端连接一段与同轴波导共轴的少匝数螺旋线。研究表明,在同轴内导体延伸段与横杆连接处、横杆与螺旋线连接处,由于结构突变,容易成为电场集中的位置,使得单元天线的功率容量降低,一般情况下都会成为阵列天线的功率容量瓶颈。国内外学者对同轴馈电的螺旋天线进行了大量的研究,但都没有关注其功率容量,因此尚没有能够满足更高功率容量需求的螺旋天线的
报道。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种高功率容量带背腔的双分支螺旋天线,该螺旋天线在满足同轴波导馈电、椭圆极化辐射的前提下,可较大幅度地提高单元天线的功率容量,可用于解决高功率径向线螺旋阵列天线中单元天线功率容量不足的问题,也可用于其它要求高功率容量的应用场合。为了实现上述目的,本专利技术采用的技术方案如下:一种高功率容量带背腔的双分支螺旋天线,包括同轴内导体、与同轴内导体的上端相接的竖直延长段,与竖直延长段的侧壁相接且以竖直延长段轴线为中心螺旋的第一螺旋分支,与竖直延长段顶部相接且以竖直延长段轴线为中心螺旋的第二螺旋分支,设于同轴内导体外围的同轴外导体,与同轴外导体的顶部相接并设于同轴内导体外围的背腔底板,与背腔底板的顶部相接并设于竖直延长段外围的背腔侧壁。本专利技术的工作原理是:微波由同轴波导输入,在同轴内导体上激励起高频电流,该高频电流通过竖直延长段分流至第一个螺旋分支和第二个螺旋分支;第一个螺旋分支和第二个螺旋分支均采用轴向模工作的短螺旋天线形式,分别在其轴向辐射椭圆极化波。通过采用背腔结构,降低相邻螺旋天线之间的互耦影响。本专利技术采用双分支螺旋串联的形式实现微波辐射,巧妙地在竖直延长段上不同位置处分别引出两端螺旋分支,从而将高频电流分流成两部分,有效地解决了原来单分支螺旋天线中的电场集中问题,通过优化设计,可以显著提高螺旋天线的功率容量。具体地,所述同轴内导体、竖直延长段、第一螺旋分支、第二螺旋分支、
同轴外导体、背腔底板以及背腔侧壁的轴线重合。进一步地,所述第一螺旋分支的起始点与第二螺旋分支的起始点在初始方向上存在夹角。第一个螺旋分支的起始点与第二个螺旋分支的起始点在初始方向上呈一定角度,从而通过空间相位差来补偿两个螺旋分支因馈电点不同引起的馈电相位差,使其在空间实现同相叠加。更进一步地,所述第二螺旋分支的螺旋半径比第一螺旋分支的螺旋半径略小。以使第一个螺旋分支实现良好的辐射。作为优选,所述第一螺旋分支和第二螺旋分支均包括一次成型的三段导线,其中,第一段均为具有升角的圆弧形导线,第二段均为平滑过渡段,第三段均为少匝数、小螺距的螺旋线。所述竖直延长段顶部、第一螺旋分支的末端、第二螺旋分支的末端为球缺结构。这样可以尽量平滑螺旋天线中的结构突变,有利于提高天线的功率容量。作为优选,所述同轴外导体的内表面、背腔底板的内表面、背腔侧壁的内表面均为圆筒形。背腔侧壁的外表面、背腔底板的外表面的形状与该天线使用环境的允许形状相同。这样使得该天线可以应用于各种栅格形式的阵列天线中。所述同轴外导体和背腔底板的内径相同均大于同轴内导体的外径且小于第一螺旋分支的外径,背腔侧壁的内径大于第一螺旋分支的外径。另外,所述同轴内导体、竖直延长段、第一个螺旋分支、第二个螺旋分支、同轴外导体内壁、背腔底板上表面、背腔侧壁均由金属制成,或由介质材料表面镀金属膜制成。整个螺旋天线可通过现有加工方式容易地实现。附图说明图1为本专利技术-实施例双分支螺旋天线的局部结构示意图。图2为本专利技术-实施例的剖视结构示意图。图3为本专利技术-实施例用于一高功率径向线螺旋阵列天线中的阵面示意图。图4为本专利技术-实施例单个螺旋天线的连接结构示意图。图5为本专利技术-实施例用于一高功率径向线螺旋阵列天线的轴比图。其中,附图中标记对应的零部件名称为:1—同轴内导体,2—竖直延长段,2b—竖直延长段顶部,3—第一螺旋分支,3a—第一螺旋分支第一段,3b—第一螺旋分支第二段,3c—第一螺旋分支第三段,4—第二螺旋分支,4a—第二螺旋分支第一段,4b—第二螺旋分支第二段,4c—第二螺旋分支第三段,5—同轴外导体,5a—同轴外导体内壁,6—背腔底板,6a—背腔底板上表面,7—背腔侧壁,7a—背腔侧壁的内表面,8—馈电系统,9—耦合探针,10—顶板。具体实施方式下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步说明。本专利技术的实施方式包括但不限于下列实施例。实施例如图1和图2所示,一种高功率容量带背腔的双分支螺旋天线,同轴内导体1、竖直延长段2、第一螺旋分支3、第二螺旋分支4、同轴外导体5、背腔底板6、背腔侧壁7;其中,竖直延长段2与同轴内导体1的上端相接,第一螺旋分支3与竖直延长段2一定高度处的侧壁相接,第二螺旋分支4与竖直延长段2顶部相接,第一螺旋分支3、第二螺旋分支4均以同轴内导体1为中心螺旋延伸,同轴外导体5设于同轴内导体1外围,背腔底板6与同轴外导体5的顶部相接并设于同轴内导体1外围,背腔侧壁7与背腔底板6的顶部相接并设于竖直延长段2外围。在本实施例中,同轴外导体5和背腔底板6的内径相同均大于同轴内导体1的外径且小于第一螺旋分支3的外径,背腔侧壁7的内径大于第一
螺旋分支3的外径,背腔底板6和背腔侧壁7的外径相同且大于同轴外导体5的外径。同轴内导体1、竖直延长段2、第一螺旋分支3、第二螺旋分支4、同轴外导体5、背腔底板6以及背腔侧壁7的轴线重合;第一螺旋分支3的起始点与第二螺旋分支4的起始点在初始方向上呈一定角度。本实施例中,同轴内导体1、竖直延长段2、第一螺旋分支3、第二螺旋分支4、同轴外导体5内壁5a、背腔底板6上表面6a、背腔侧壁7均由介质材料表面镀金属膜制成。本实施例中,第一螺旋分支3由三段导线组成,分别为第一螺旋分支第一段3a、第一螺旋分支第二段3b、第一螺旋分支第三段3c,第一螺旋分支第一段3a为有一定升角的圆弧形导线,第一螺旋分支第二段3b为平滑过渡段,第一螺旋分支第三段3c为少匝数、小螺距的螺旋线。第二螺旋分支4由三段导线组成,分别为第二螺旋分支第一段4a、第二螺旋分支第二段4b、第二螺旋分支第三段4c,第二螺旋分支第一段4a为有一定升角的圆弧形导线,第二螺旋分支第二段4b为平滑过渡段,第二螺旋分支第三段4c为少匝数、小螺距的螺旋线;本实施例的竖直延长段顶部2b本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种高功率容量带背腔的双分支螺旋天线,其特征在于,包括同轴内导体、与同轴内导体的上端相接的竖直延长段,与竖直延长段的侧壁相接且以竖直延长段轴线为中心螺旋的第一螺旋分支,与竖直延长段顶部相接且以竖直延长段轴线为中心螺旋的第二螺旋分支,设于同轴内导体外围的同轴外导体,与同轴外导体的顶部相接并设于同轴内导体外围的背腔底板,与背腔底板的顶部相接并设于竖直延长段外围的背腔侧壁。

【技术特征摘要】
1.一种高功率容量带背腔的双分支螺旋天线,其特征在于,包括同轴内导体、与同轴内导体的上端相接的竖直延长段,与竖直延长段的侧壁相接且以竖直延长段轴线为中心螺旋的第一螺旋分支,与竖直延长段顶部相接且以竖直延长段轴线为中心螺旋的第二螺旋分支,设于同轴内导体外围的同轴外导体,与同轴外导体的顶部相接并设于同轴内导体外围的背腔底板,与背腔底板的顶部相接并设于竖直延长段外围的背腔侧壁。2.根据权利要求1所述的一种高功率容量带背腔的双分支螺旋天线,其特征在于,所述同轴内导体、竖直延长段、第一螺旋分支、第二螺旋分支、同轴外导体、背腔底板以及背腔侧壁的轴线重合。3.根据权利要求1所述的一种高功率容量带背腔的双分支螺旋天线,其特征在于,所述第一螺旋分支的起始点与第二螺旋分支的起始点在初始方向上存在夹角。4.根据权利要求1所述的一种高功率容量带背腔的双分支螺旋天线,其特征在于,所述第二螺旋分支的螺旋半径比第一螺旋分支的螺旋半径略小。5.根据权利要求1所述的一种高功率容量带背腔的双分支螺旋天...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘庆想梁源李相强张健穹
申请(专利权)人:西南交通大学刘庆想梁源李相强张健穹
类型:发明
国别省市:四川;51

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