半导体封装组件制造技术

本发明专利技术提供半导体封装组件，半导体封装组件包含半导体芯片，第一模塑料覆盖半导体芯片的背面，重布层结构设置于半导体芯片的正面上，半导体芯片与重布层结构耦合，第二模塑料设置于半导体芯片的正面上且内嵌于重布层结构，被动组件设置于第二模塑料上且与半导体芯片耦合。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于半导体封装组件，特别是有关于具有被动组件的半导体封装组件。
技术介绍
为了确保电子产品与通讯装置的微缩化与多功能性，需要小尺寸的半导体封装以支撑多接脚连接、高速和高功能性。多功能性半导体封装通常需要将被动组件整合于其中。然而，传统的半导体封装难以提供多余的区域让被动组件安装于其上。因此，需要创新的半导体封装组件。
技术实现思路
本揭露的一些实施例提供半导体封装组件，其包含半导体芯片，第一模塑料覆盖半导体芯片的背面，重布层结构设置于半导体芯片的正面上，其中半导体芯片与重布层结构耦合，第二模塑料设置于半导体芯片的正面上，且内嵌于重布层结构，以及被动组件设置于第二模塑料上，且与半导体芯片耦合。本揭露的另一些实施例提供半导体封装组件，其包含半导体芯片，第一模塑料设置于半导体芯片的第一表面上，重布层结构设置于半导体芯片的相对于第一表面的第二表面
上，第二模塑料设置于半导体芯片的第二表面上，且内嵌于重布层结构，其中第二模塑料经由重布层结构与第一模塑料隔开，以及被动组件设置于第二模塑料上，且与半导体芯片耦合。本揭露的另一些实施例提供半导体封装组件，其包含半导体芯片，第一模塑料与半导体芯片的第一表面接触，重布层结构覆盖半导体芯片相对于第一表面的第二表面的第一部分，第二模塑料覆盖半导体芯片的第二表面的第二部分，且内嵌于重布层结构，以及被动组件覆盖半导体芯片的第二表面的第二部分，其中第二模塑料设置于半导体芯片与被动组件之间。附图说明本专利技术能藉由阅读以下说明书的详细说明并配合所附图式说明之范例而完全理解，其中：图1-4显示了根据某些实施例，半导体封装组件的剖面示意图。其中，符号说明如下：200～基座；202～芯片附着表面；300～半导体芯片；302～正面；302a、302b～部分；304～背面；306、322～侧壁表面；308、328～接垫；310～重布线结构；312、314、321a、321b～表面；316～导线；318～金属间介电层；320～第二模塑料；324～导电凸块；326～焊料；330～被动组件；332～导电结构；350a、350b、350c、350d～半导体封装；360～第一模塑料；500a、500b、500c、500d～半导体封装组件。具体实施方式以下描述用以实施本揭露的实施例。然而，此描述仅是用以说明本揭露的原理，且并非用以限制本揭露的范围。本揭露的范围以申请专利范围决定。以下的揭露内容提供许多不同的实施例或范例以及图式，然而，这些仅是用以说明本揭露的原理，且并非用以限制本揭露的范围。本揭露的范围是以申请专利范围决定。本揭露的图式仅为说明之用，且并非用以限定本揭露的范围。在图式中，为了清楚说明本揭露，部分组件的尺寸可能被放
大且并未照实际比例绘制。此尺寸以及相对的尺寸并未对应实施本揭露时的实际尺寸。图1显示根据某些实施例，半导体封装组件(semiconductor package assembly)500a的剖面示意图。在一些实施例，半导体封装组件500a为晶圆级(wafer-level)半导体封装组件，例如，覆晶(flip-chip)半导体封装组件。为清楚地显示半导体封装组件的被动组件和导电结构的排列方式，而放大被动组件和导电结构的尺寸。如图1所示，半导体封装组件500a包含至少一安装于基座(base)200上的晶圆级半导体封装(semiconductor package)350a。在此实施例，晶圆级半导体封装350a包含系统芯片(system-on-chip,SOC)封装。如图1所示，基座200例如为印刷电路板(printed circuit board,PCB)，可由聚丙烯(polypropylene,PP)制成。应该注意的是基座200可为单层或多层结构。多个接垫(未绘示)及/或导线(未绘示)设置于基座200的芯片附着(die-attach)表面202上。在一实施例，导线可包含电源段(power segment)，信号线段(signal trace segment)或接地线段(ground trace segment)，其用来作为晶圆级半导体封装350a的输入/输出(input/output,I/O)连接。此外，晶圆级半导体封装350a直接安装于导线上。在其它一些实施例，接垫设置于芯片附着表面202上，并连接至导线的不同的终端。接垫为用来让晶圆级半导体封装350a直接安装于其上。如图1所示，晶圆级半导体封装350a通过接合制程(bonding process)安装于基座200的芯片附着表面202上。晶圆级半导体封装350a经由导电结构332安装于基座200上。晶圆级半导体封装350a包含半导体芯片300及重布层(redistribution layer,RDL)结构310。半导体芯片300例如为系统芯片(SOC)，可包含含有中央处理单元(central processing unit,CPU)、图形处理单元(graphics processing unit,GPU)、动态随机存取内存(dynamic random access memory,DRAM)控制器或上述组合的逻辑芯片。如图1所示，半导体芯片300的接垫308设置于正面302以电性连接于半导体芯片300的电路(未绘示)。在一些实施例，接垫308属于半导体芯片300的内联机结构(未绘示)的最上面的(uppermost)金属层。应该注意的是，整合于半导体封装组件500a内的半导体芯片300的数目并不限定于本专利技术实施例所揭露的样态。如图1所示，晶圆级半导体封装350a更包含覆盖且围绕半导体芯片300的第一模塑料(molding compound)360。第一模塑料360设置于半导体芯片300的背面304和侧壁表面306上，且与半导体芯片300的背面304和侧壁表面306接触。在一些实施例，第一模塑料360可由非导电性材料制成，例如环氧化物(epoxy)、树脂(resin)、可塑性聚合物(moldable polymer)或相似的材料。可在大体上为液态时涂布第一模塑料360，并经由化学反应固化第一模塑料360，
例如成为环氧化物或树脂。在其它一些实施例，第一模塑料360可为紫外光(UV)或热固化聚合物的胶体或具延展性的固体，而能环绕地设置在半导体芯片300周围，且可经由UV或热固化制程来固化。第一模塑料360可使用模具(未绘示)固化。在其它一些实施例，第一模塑料360可由底部填充层取代。如图1所示，晶圆级半导体封装350a更包含重布层(RDL)结构310设置于半导体芯片300的正面302上。重布层结构310具有相对的表面312及表面314。此外，重布层结构310可具有一或多个导线316设置于一或多层的金属间介电(inter-metal dielectric,IMD)层318内。半导体芯片300连接至靠近表面314中央部分的导线316。第一模塑料360覆盖重布层结构310的表面314。此外，第一模塑料360与围绕表面314中央部分的周边部分接触。然而，应该注意的是，如图1所示的导线316的数目及重布层结构310的金属间介电层318的数目仅为一示例，且本专利技术并不将其限定。如图1所示，晶圆级半本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体封装组件，包括:一半导体芯片；一第一模塑料，覆盖该半导体芯片的一背面；一重布层结构，设置于该半导体芯片的一正面上，其中该半导体芯片与该重布层结构耦合；一第二模塑料，设置于该半导体芯片的该正面上，且内嵌于该重布层结构；以及一被动组件，设置于该第二模塑料上，且与该半导体芯片耦合。

【技术特征摘要】
2015.03.13 US 62/132,677;2016.02.03 US 15/014,6041.一种半导体封装组件，包括:一半导体芯片；一第一模塑料，覆盖该半导体芯片的一背面；一重布层结构，设置于该半导体芯片的一正面上，其中该半导体芯片与该重布层结构耦合；一第二模塑料，设置于该半导体芯片的该正面上，且内嵌于该重布层结构；以及一被动组件，设置于该第二模塑料上，且与该半导体芯片耦合。2.如权利要求1所述的半导体封装组件，更包括:一导电凸块，穿过该第二模塑料，其中该被动组件经由该导电凸块与该半导体芯片耦合。3.如权利要求1所述的半导体封装组件，其中该第二模塑料的一侧壁被该重布层结构围绕。4.如权利要求1所述的半导体封装组件，其中该第一模塑料经由该半导体芯片和该重布层结构与该第二模塑料隔开。5.如权利要求1所述的半导体封装组件，其中该被动组件内嵌于该重布层结构。6.如权利要求1所述的半导体封装组件，其中该被动组件与该第二模塑料之间的一界面与该重布层结构的一远离于该半导体芯片的第一表面对齐。7.如权利要求6所述的半导体封装组件，更包括:一导电结构，设置于该重布层结构的该第一表面上，其中该导电结构与重布层结构耦合。8.如权利要求6所述的半导体封装组件，其中该重布层结构包括一延伸至该第二模塑料内的导线。9.一种半导体封装组件，包括:一半导体芯片；一第一模塑料，设置于该半导体芯片的一第一表面上；一重布层结构，设置于该半导体芯片的一相对于该第一表面的第二表面上；一第二模塑料，设置于该半导体芯片的该第二表面上，且内嵌于该重布层结构，其中该第二模塑料经由该重布层结构与该第一模塑料隔开；以及一被动组件，设置于该第二模塑料上，且与该半导体芯片耦合。10.如权利要求9所述的半导体封装组件，其中该重布层结构和该第二模塑料覆盖该半导体芯片的该第二表面的不同部分...

【专利技术属性】
技术研发人员：林子闳，萧景文，彭逸轩，
申请(专利权)人：联发科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71