MEMS传感器制造技术

本实用新型专利技术提供了一种MEMS传感器，该装置包括玻璃基底以及形成在玻璃基底上的硅衬底，在硅衬底内形成有两个空腔，空腔顶壁的硅衬底形成梁；传感器还包括形成在硅衬底的第一结构至第八结构；还包括形成在硅衬底上位于第一结构以及第八结构之间的加热电阻；其中，第一至第八结构之间按照预设的规则导电连接；所述传感器还包括若干第一导热薄膜以及第二导热薄膜。通过第一至第八结构以及第一导热薄膜、第二导热薄膜之间的相互配合，在气流通过的时候能够一次性同时测得四种热力参数，有效减小了MEMS传感器的尺寸大小，使其更适用于在微小通道流动中测量。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及热力检测
，具体涉及一种MEMS传感器。
技术介绍
目前，MEMS传感器(Micro-Electro-Mechanical System)由于其微小集成化等特点较为广泛的应用于热力参数的测量。然而现在MEMS传感器都是测量单一的数据，如测量流量、压力、温度、热流等参数。若想要同一时间测量多个参数，则需要在MEMS上设置多个测量单元，无法集成在一起，影响MEMS的尺寸大小，违背了MEMS的微小集成化的设计初衷，使其无法应用于微小通道内流体的热力参数测量。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是：解决如何提供一种能够同时集成多个热力参数测量的MEMS传感器的问题。为实现上述的技术目的，本技术提供了一种MEMS传感器包括：包括玻璃基底以及形成在所述玻璃基底上的硅衬底，在所述硅衬底内形成有两个空腔，空腔顶壁的硅衬底形成梁；所述传感器还包括形成在硅衬底非梁区域上的第一结构、第二结构、第七结构以及第八结构；在所述梁上还形成有第三结构、第四结构、第五结构、第六结构；所述传感器还包括形成在硅衬底上位于第一结构以及第八结构之间的加热电阻；其中，第一结构与第二结构导电连接，第三结构与第四结构导本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种MEMS传感器，其特征在于，包括玻璃基底以及形成在所述玻璃基底上的硅衬底，在所述硅衬底内形成有两个空腔，空腔顶壁的硅衬底形成梁；所述传感器还包括形成在硅衬底非梁区域上的第一结构、第二结构、第七结构以及第八结构；在所述梁上还形成有第三结构、第四结构、第五结构、第六结构；所述传感器还包括形成在硅衬底上位于第一结构以及第八结构之间的加热电阻；其中，第一结构与第二结构导电连接，第三结构与第四结构导电连接，第五结构与第六结构导电连接，第七结构与第八结构导电连接，第一结构还与第八结构导电连接，第二结构还与第七结构导电连接；第一结构、第二结构、第七结构、第八结构为温敏器件，第三结构、第四结构、第五结构、...

【技术特征摘要】
1.一种MEMS传感器，其特征在于，包括玻璃基底以及形成在所述玻璃基底上的硅衬底，在所述硅衬底内形成有两个空腔，空腔顶壁的硅衬底形成梁；所述传感器还包括形成在硅衬底非梁区域上的第一结构、第二结构、第七结构以及第八结构；在所述梁上还形成有第三结构、第四结构、第五结构、第六结构；所述传感器还包括形成在硅衬底上位于第一结构以及第八结构之间的加热电阻；其中，第一结构与第二结构导电连接，第三结构与第四结构导电连接，第五结构与第六结构导电连接，第七结构与第八结构导电连接，第一结构还与第八结构导电连接，第二结构还与第七结构导电连接；第一结构、第二结构、第七结构、第八结构为温敏器件，第三结构、第四结构、第五结构、第六结构为温敏与压敏耦合器件；所述传感器还包括形成在第一结构以及第八结构上表面的第一导热薄膜，形成在第二结构以及第七结构上的第二导热薄膜，以及形成在硅衬底表面位于第五结构以及第六结构之间的第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：陶智，李秋实，李海旺，谭啸，徐天彤，余明星，
申请(专利权)人：北京航空航天大学，
类型：新型
国别省市：北京;11