一种阵列基板及阵列基板的扫描线修补方法技术

技术编号:13749316 阅读:59 留言:0更新日期:2016-09-24 09:37
本发明专利技术提出一种阵列基板及阵列基板的扫描线修补方法,其中阵列基板包括间隔设置的多条扫描线以及平行于扫描线的至少两条第一公共电极线,其中相邻设置的两条扫描线之间设置至少两条第一公共电极线,扫描线修补方法包括:根据扫描线的断裂位置从至少两条第一公共电极线中选择至少一条第一公共电极线作为修补线;利用修补线桥接断裂位置两侧的扫描线。本发明专利技术阵列基板扫描线的修补方法成功率高。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
,特别是涉及一种阵列基板及阵列基板的扫描线修补方法
技术介绍
当前显示技术发展迅速,显示面板的分辨率越来越高,相应的其中阵列基板的扫描线数量也越来越多。例如现有的4k显示面板,其阵列基板的扫描线有2160根,大量的扫描线容易出现断裂情况。现有的扫描线修补方法是移除像素电极ITO,生成连接扫描线断裂位置两侧的钨层。该方式存在的问题是像素电极ITO容易出现移除不彻底的情况,导致修补失败,扫描线修补成功率较低。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种阵列基板及阵列基板的扫描线修补方法,以解决现有技术中扫描线修补成功率低的问题。为解决上述问题,本专利技术提出一种阵列基板的扫描线修补方法,其中阵列基板包括间隔设置的多条扫描线以及平行于扫描线的至少两条第一公共电极线,其中相邻设置的两条扫描线之间设置至少两条第一公共电极线,扫描线修补方法包括:根据扫描线的断裂位置从至少两条第一公共电极线中选择至少一条第一公共电极线作为修补线;利用修补线桥接断裂位置两侧的扫描线。其中,扫描线与第一公共电极同层设置。其中,利用修补线桥接断裂位置两侧的扫描线的步骤包括:从修补线中截取部分第一公共电极线;利用修补层将断裂位置两侧的扫描线电
连接至部分第一公共电极线。其中,阵列基板进一步包括位于相邻的两条扫描线之间且与第一公共电极线垂直连接的多条第二公共电极线;从作为修补线的至少一条第一公共电极线中截取部分第一公共电极线的步骤进一步包括:从第二公共电极线中截取与部分第一公共电极线连接的部分第二公共电极线;利用修补层将断裂位置两侧的扫描线电连接至部分第一公共电极线的步骤包括:利用修补层将断裂位置两侧的扫描线电连接至部分第二公共电极线。其中,第一公共电极线、第二公共电极线和扫描线同层设置。其中,部分第二公共电极线的一端相较于部分第一公共电极线更靠近存在断裂位置的扫描线,修补层设置于部分第二公共电极线的一端与断裂位置两侧的扫描线之间。其中,根据扫描线的断裂位置从至少两条第一公共电极线中选择至少一条第一公共电极线作为修补线的步骤包括:保留至少两条第一公共电极线中的至少一条第一公共电极线来保持未被截取的第二公共电极线之间的电连接。为解决上述技术问题,本专利技术提出一种阵列基板,包括间隔设置的多条扫描线以及平行于扫描线的至少两条第一公共电极线,相邻设置的两条扫描线之间设置至少两条第一公共电极线,其中至少一条第一公共电极线被截取出部分第一公共电极线,且截取的部分第一公共电极线电连接至断裂位置两侧的扫描线。其中,阵列基板进一步包括位于相邻的两条扫描线之间且与第一公共电极线垂直连接的多条第二公共电极线,其中第二公共电极线被截取出与截取的部分第一公共电极线连接的部分第二公共电极线,其中截取的部分第一公共电极线电连接至断裂位置两侧的扫描线。为解决上述技术问题,本专利技术还提出一种阵列基板,该阵列基板包括间隔设置的多条扫描线、平行于扫描线的至少两条第一公共电极线以及位于相邻的两条扫描线之间且与第一公共电极线垂直连接的多条第二公共电极线,其中相邻设置的两条扫描线之间设置至少两条第一公共
电极线。本专利技术阵列基板的扫描线修补方法中的阵列基板包括间隔设置的多条扫描线以及平行于扫描线的至少两条第一公共电极线,其中相邻设置的两条扫描线之间设置至少两条第一公共电极线,扫描线的修补方法则包括:根据扫描线的断裂位置从至少两条第一公共电极中选择至少一条第一公共电极线作为修补线,利用作为修补线的第一公共电极线桥接断裂位置两侧的扫描线。每两条扫描线之间设置至少两条第一公共电极线,相较通常只设置一条公共电极线的情况,本专利技术阵列基板中的多条公共电极线增大了公共电极线与扫描线之间的存储电容,并且利用公共电极线作为修补线,生成较少的钨层即可连接扫描线断裂位置两侧,实现对断裂处进行修补。附图说明图1是本专利技术阵列基板的扫描线修补方法第一实施方式的流程示意图;图2是图1所示扫描线修补方法中阵列基板的结构示意图;图3是本专利技术阵列基板的扫描线修补方法第二实施方式的流程示意图;图4是图3所示扫描线修补方法中阵列基板的结构示意图;图5是图3所示扫描线修补方法中交叉处扫描线断裂的修补示意图;图6是图3所示扫描线修补方法中非交叉处扫描线断裂的修补示意图;图7是本专利技术阵列基板第一实施方式的结构示意图;图8是本专利技术阵列基板第二实施方式的结构示意图。具体实施方式为使本领域的技术人员更好地理解本专利技术的技术方案,下面结合附图和具体实施方式对专利技术所提供的一种阵列基板及阵列基板的扫描线修补方法做进一步详细描述。请参阅图1,图1是本专利技术阵列基板的扫描线修补方法第一实施方
式的流程示意图。首先本实施方式中阵列基板的结构请参阅图2,图2是图1所示扫描线修补方法中阵列基板的结构示意图。该阵列基板200包括间隔设置的多条扫描线21以及平行于扫描线21的多条第一公共电极线22,其中相邻设置的两条扫描线21之间设置至少两条第一公共电极线22,本实施方式阵列基板200中设置了两条第一公共电极线22,其他实施方式中设置三条或以上第一公共电极的阵列基板中扫描线的修补方法均可同理推出。该阵列基板200中扫描线的修补方法包括以下步骤:S101:根据扫描线的断裂位置从至少两条第一公共电极线中选择至少一条第一公共电极线作为修补线。S102:利用作为修补线的第一公共电极线桥接断裂位置两侧的扫描线。对于阵列基板200来说,扫描线21的断裂情况可分为两种,一是断裂位置A在与数据线的交叉处(参阅图2中的(1)),二是断裂位置在与数据线的非交叉处(参阅图2中的(2))。对扫描线21进行修补,即是将断裂位置A的两侧的扫描线重新连接起来。本实施方式中,选择两条中的一条第一公共电极线22作为修补线;将其在h1和h2处切断,h1到h2之间的部分第一公共电极线22作为桥梁;然后形成修补层23,一般为钨层,将部分第一公共电极线22连接到扫描线21;所形成修补层23及部分第一公共电极线22桥接断裂位置两侧的扫描线21。本实施方式中利用第一公共电极线的一部分来桥接断裂位置两侧的扫描线,因此生成较少的钨层即能连接断裂位置两侧的扫描线,相应的能够在一定程度上提高修补的成功率。请参阅图3和图4,图3是本专利技术阵列基板的扫描线修补方法第二实施方式的流程示意图,图4是图3所示扫描线修补方法中阵列基板的结构示意图。图4中的阵列基板400包括间隔设置的多条扫描线41以及平行于扫描线的多条第一公共电极线43,其中相邻设置的两条扫描线41之间设置至少两条第一公共电极线43,阵列基板100中还包括位于相邻的两条扫描线41之间且与第一公共电极线43垂直连接的多条第二公共电极线44。一般来说,阵列基板400中还包括间隔设置且与扫描线41垂直的数据线42,扫描线41与数据线42分割出各个像素单元,每个像素单元中设置有像素电极45,像素电极45呈四周发散的形状。且从垂直于阵列基板400的方向观察,第二公共电极线44与像素电极45没有重合部分。其中,第一公共电极线43、第二公共电极线44和扫描线41在阵列基板上同层设置。即在阵列基板100制造过程中,第一公共电极线43、第二公共电极线44和扫描线41通过光刻工艺形成在同一层,继而依次形成绝缘层、数据线42、另本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种阵列基板的扫描线修补方法,其特征在于,所述阵列基板包括间隔设置的多条扫描线以及平行于所述扫描线的至少两条第一公共电极线,其中相邻设置的两条所述扫描线之间设置至少两条所述第一公共电极线,所述扫描线修补方法包括:根据所述扫描线的断裂位置从所述至少两条第一公共电极线中选择至少一条所述第一公共电极线作为修补线;利用所述修补线桥接所述断裂位置两侧的所述扫描线。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的扫描线修补方法,其特征在于,所述阵列基板包括间隔设置的多条扫描线以及平行于所述扫描线的至少两条第一公共电极线,其中相邻设置的两条所述扫描线之间设置至少两条所述第一公共电极线,所述扫描线修补方法包括:根据所述扫描线的断裂位置从所述至少两条第一公共电极线中选择至少一条所述第一公共电极线作为修补线;利用所述修补线桥接所述断裂位置两侧的所述扫描线。2.根据权利要求1所述的扫描线修补方法,其特征在于,所述扫描线与所述第一公共电极同层设置。3.根据权利要求1所述的扫描线修补方法,其特征在于,所述利用所述修补线桥接所述断裂位置两侧的所述扫描线的步骤包括:从所述修补线中截取部分所述第一公共电极线;利用修补层将所述断裂位置两侧的所述扫描线电连接至所述部分第一公共电极线。4.根据权利要求3所述的扫描线修补方法,其特征在于,所述阵列基板进一步包括位于相邻的两条所述扫描线之间且与所述第一公共电极线垂直连接的多条第二公共电极线;所述从作为所述修补线的所述至少一条第一公共电极线中截取部分所述第一公共电极线的步骤进一步包括:从所述第二公共电极线中截取与所述部分第一公共电极线连接的部分所述第二公共电极线;所述利用修补层将所述断裂位置两侧的所述扫描线电连接至所述部分第一公共电极线的步骤包括:利用所述修补层将所述断裂位置两侧的所述扫描线电连接至所述部分第二公共电极线。5.根据权利要求4所述的扫描线修补方法,其特征在于,所述第一公共电极线、所述第二公共电极线和所述扫描线同层设置。6.根据权利要求4所述的扫描线修补方法,其...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈建超
申请(专利权)人:深圳市华星光电技术有限公司
类型:发明
国别省市:广东;44

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