中空型电子器件密封用片、和中空型电子器件封装件的制造方法技术

本发明专利技术的课题在于提供一种中空型电子器件密封用片，其能抑制向电子器件与被粘物之间的中空部进入的树脂的量在每个封装件中不均。本发明专利技术的解决手段在于，一种中空型电子器件密封用片，通过下述步骤的顺序测定的进入量X1为0μm以上且50μm以下、且由进入量Y1减去进入量X1后的值为50μm以下。在将模拟芯片埋入中空型电子器件密封用片的样品的步骤后，测定构成样品的树脂向模拟芯片与玻璃基板之间的中空部的进入量X1的步骤、使样品热固化而得到密封体样品的步骤和测定树脂向密封体样品中的中空部的进入量Y1的步骤。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及中空型电子器件密封用片和中空型电子器件封装件的制造方法。
技术介绍
以往，在将电子器件与基板之间成为中空结构的中空型电子器件树脂密封而制作中空型电子器件封装件时，有时使用片状的树脂作为密封树脂(例如，参照专利文献1)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2006-19714号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题作为所述封装件的制造方法，可举出下述方法：在配置于被粘物上的1个或多个电子器件上配置片状的密封树脂，接着，向使电子器件和片状的密封树脂靠近的方向加压而将电子器件埋入片状的密封树脂，之后，使片状的密封树脂热固化的方法。采用上述的方法时，密封树脂的一部分进入电子器件与被粘物之间的中空部。然而，存在其进入量的不均根据不同的封装件较大的问题。本专利技术鉴于上述课题而实施，其目的在于，提供一种中空型电子器件密封用片，其能抑制电子器件与被粘物之间的中空部进入的树脂的量在每个封装件中不均。另外，还在于提供一种中空型电子器件封装件的制造方法，其能抑制向电子器件与被粘物之间的中空部进入的树脂的量在每个封装件中不均。解决课题的方法为了达成如上的目的，本专利技术人首先对进入中空部的树脂的量根据不同的封装件不均的理由进行了深入研究。其结果，查明采用上述的方法时，将电子器件埋入密封树脂后，树脂没有进入电子器件与被粘物之间的中空部。另外查明，在之后的密封树脂的热固化时，首先，密封树脂的一部分通过热而成为低粘度等，流动而进入中空部，之后，树脂随着热固化而变为高粘度，树脂的进入停止。而且查明，热固化时的树脂的流动量根据不同的封装件而大幅不同，难以控制。本申请专利技术人等发现通过采用下述的构成，可以解决所述的课题，从而完成了本专利技术。即，本专利技术的中空型电子器件密封用片的特征在于，通过下述步骤A～步骤G的顺序测定的进入量X1为0μm以上且50μm以下、且由进入量Y1减去所述进入量X1后的值为60μm以下。步骤A，准备将下述规格的1个模拟芯片利用树脂凸块安装于玻璃基板的模拟芯片安装基板、步骤B，准备长1cm、宽1cm、厚220μm的尺寸的中空型电子器件密封用片的样品、步骤C，将所述样品配置在所述模拟芯片安装基板的所述模拟芯片上、步骤D，在下述埋入条件下，将所述模拟芯片埋入所述样品、步骤E，在所述步骤D后，测定构成所述样品的树脂向所述模拟芯片与所述玻璃基板之间的中空部的进入量X1、步骤F，在所述步骤E后，在150℃的热风干燥机中放置1小时，使所述样品热固化而得到密封体样品、和步骤G，测定所述树脂向所述密封体样品中的所述中空部的进入量Y1。<模拟芯片的规格>芯片尺寸为长3mm、宽3mm、厚200μm，形成有高50μm的树脂凸块。<埋入条件>压制方法：平板压制温度：75℃加压力：3000kPa真空度：1.6kPa压制时间：1分钟根据所述构成，由于所述进入量X1为0μm以上且50μm以下，因此在实际的中空型电子器件封装件的制造中，在将电子器件埋入中空型电子器件密封用片时，可以使树脂适度进入电子器件与被粘物之间的中空部。另外，由于由所述进入量Y1减去所述进入量X1后的值为60μm以下，因此在实际的中空型电子器件封装件的制造中，可以抑制使中空型电子器件密封用片热固化时的中空部中的树脂的流动。像这样，根据所述构成，在实际的中空型电子器件封装件的制造中，可以在容易控制树脂向中空部的进入量的埋入时使树脂进入中空部、且可以抑制难以控制的热固化时的树脂的移动量。其结果，可以抑制进入中空部的树脂的量在每个封装件中不均。所述构成中，若90℃的粘度为300kPa·s以上而为较高的粘度，则可以抑制通过热固化时的热而软化、在中空部内流动。另外，本专利技术的中空型电子器件封装件的制造方法的特征在于包括：准备利用凸块将电子器件固定在被粘物上的层叠体的工序、准备中空型电子器件密封用片的工序、将所述中空型电子器件密封用片配置在所述层叠体的所述电子器件上的工序、通过热压，将所述电子器件埋入所述中空型电子器件密封用片的工序、和在所述埋入工序后，使所述中空型电子器件密封用片热固化而得到密封体的工序，将在所述埋入工序后、且得到所述密封体的工序前的状态时的构成所述中空型电子器件密封用片的树脂向所述电子器件与所述被粘物之间的中空部的进入量设为X2，将得到所述密封体的工序后的状态时的所述树
脂向所述中空部的进入量设为Y2时，所述进入量X为0μm以上且50μm以下、且由所述进入量Y2减去所述进入量X2后的值为60μm以下根据所述构成，所述进入量X2为0μm以上且50μm以下，将电子器件埋入中空型电子器件密封用片时，使树脂适度进入电子器件与被粘物之间的中空部。另外，由所述进入量Y减去所述进入量X后的值为60μm以下，抑制了使中空型电子器件密封用片热固化时的中空部中的树脂的流动。像这样，根据所述构成，在容易控制树脂向中空部的进入量的埋入时使树脂进入中空部、且抑制了难以控制的热固化时的树脂的移动量。其结果，可以抑制进入中空部的树脂的量在每个封装件中不均。附图说明图1是本实施方式的中空型电子器件密封用片的截面示意图。图2是用于说明测定进入量X1和进入量Y1的顺序的截面示意图。图3是用于说明测定进入量X1和进入量Y1的顺序的截面示意图。图4是用于说明测定进入量X1和进入量Y1的顺序的截面示意图。图5是用于说明测定进入量X1和进入量Y1的顺序的截面示意图。图6是图5的局部放大图。图7是用于说明本实施方式的中空型电子器件封装件的制造方法的截面示意图。图8是用于说明本实施方式的中空型电子器件封装件的制造方法的截面示意图。图9是用于说明本实施方式的中空型电子器件封装件的制造方法的截面示意图。图10是用于说明本实施方式的中空型电子器件封装件的制造方法的截面示意图。图11是用于说明本实施方式的中空型电子器件封装件的制造方法的截面示意图。具体实施方式以下，对本专利技术的实施方式边参照附图边进行说明。其中，本专利技术不仅限于这些实施方式。(中空型电子器件密封用片)图1是本实施方式的中空型电子器件密封用片的截面示意图。如图1所示，中空型电子器件密封用片11(以下，也称为“密封用片11”)代表性地以层叠于聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜等隔片11a上的状态提供。此外，为了容易进行密封用片11的剥离，可以对隔片11a实施脱模处理。此外，本实施方式中，对仅在中空型电子器件密封用片的一个面层叠隔片的情况进行说明，但本专利技术不限于该例，也可以在中空型电子器件密封用片的两面层叠隔片。此时，可以在要使用前剥离一个隔片来使用。另外，本专利技术中，中空型电子器件密封用片可以不层叠于隔片而以中空型电子器件密封用片的单体提供。另外，在不违反本专利技术的主旨的范围内，也可以在中空型电子器件密封用片上层叠其他层。(中空型电子器件密封用片)密封用片11通过下述步骤A～步骤G的顺序测定的进入量X1为0μm以上且50μm以下、且由进入量Y1减去进入量X1后的值(Y1-X1)为60μm以下。所述进入量X1优选为0μm以上且20μm以下。另外，所述(Y1-X1)优选为30μm以下，更优选为10μm以下。步骤A，准备将下述规格的1个模拟芯片利用树脂凸块安装于玻璃基板的模拟芯片安装基板，步骤B，准备长1cm、宽1cm、厚220μm本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种中空型电子器件密封用片，其特征在于，通过下述步骤A～步骤G的顺序测定的进入量X1为0μm以上且50μm以下，且由进入量Y1减去所述进入量X1后的值为60μm以下，步骤A：准备将下述规格的1个模拟芯片利用树脂凸块安装于玻璃基板的模拟芯片安装基板，步骤B：准备长1cm、宽1cm、厚220μm的尺寸的中空型电子器件密封用片的样品，步骤C：将所述样品配置在所述模拟芯片安装基板的所述模拟芯片上，步骤D：在下述埋入条件下，将所述模拟芯片埋入所述样品，步骤E：在所述步骤D后，测定构成所述样品的树脂向所述模拟芯片与所述玻璃基板之间的中空部的进入量X1，步骤F：在所述步骤E后，在150℃的热风干燥机中放置1小时，使所述样品热固化而得到密封体样品，和步骤G：测定所述树脂向所述密封体样品中的所述中空部的进入量Y1，＜模拟芯片的规格＞芯片尺寸为长3mm、宽3mm、厚200μm，形成有高50μm的树脂凸块，＜埋入条件＞压制方法：平板压制温度：75℃加压力：3000kPa真空度：1.6kPa压制时间：1分钟。

【技术特征摘要】
2015.03.03 JP 2015-0410661.一种中空型电子器件密封用片，其特征在于，通过下述步骤A～步骤G的顺序测定的进入量X1为0μm以上且50μm以下，且由进入量Y1减去所述进入量X1后的值为60μm以下，步骤A：准备将下述规格的1个模拟芯片利用树脂凸块安装于玻璃基板的模拟芯片安装基板，步骤B：准备长1cm、宽1cm、厚220μm的尺寸的中空型电子器件密封用片的样品，步骤C：将所述样品配置在所述模拟芯片安装基板的所述模拟芯片上，步骤D：在下述埋入条件下，将所述模拟芯片埋入所述样品，步骤E：在所述步骤D后，测定构成所述样品的树脂向所述模拟芯片与所述玻璃基板之间的中空部的进入量X1，步骤F：在所述步骤E后，在150℃的热风干燥机中放置1小时，使所述样品热固化而得到密封体样品，和步骤G：测定所述树脂向所述密封体样品中的所述中空部的进入量Y1，＜模拟芯片的规格＞芯片尺寸为长3mm、宽3mm、厚200μm，形成有高50...

【专利技术属性】
技术研发人员：土生刚志，丰田英志，市川智昭，清水祐作，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP