【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及中空型电子器件密封用片和中空型电子器件封装件的制造方法。
技术介绍
以往，在将电子器件与基板之间成为中空结构的中空型电子器件树脂密封而制作中空型电子器件封装件时，有时使用片状的树脂作为密封树脂(例如，参照专利文献1)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2006-19714号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题作为所述封装件的制造方法，可举出下述方法：在配置于被粘物上的1个或多个电子器件上配置片状的密封树脂，接着，向使电子器件和片状的密封树脂靠近的方向加压而将电子器件埋入片状的密封树脂，之后，使片状的密封树脂热固化的方法。采用上述的方法时，密封树脂的一部分进入电子器件与被粘物之间的中空部。然而，存在其进入量的不均根据不同的封装件较大的问题。本专利技术鉴于上述课题而实施，其目的在于，提供一种中空型电子器件密封用片，其能抑制电子器件与被粘物之间的中空部进入的树脂的量在每个封装件中不均。另外，还在于提供一种中空型电子器件封装件的制造方法，其能抑制向电子器件与被粘物之间的中空部进入的树脂的量在每个封装件中不均。解决课题的方法为了达成如上的目的，本专利技...
【技术保护点】
一种中空型电子器件密封用片，其特征在于，通过下述步骤A～步骤G的顺序测定的进入量X1为0μm以上且50μm以下，且由进入量Y1减去所述进入量X1后的值为60μm以下，步骤A：准备将下述规格的1个模拟芯片利用树脂凸块安装于玻璃基板的模拟芯片安装基板，步骤B：准备长1cm、宽1cm、厚220μm的尺寸的中空型电子器件密封用片的样品，步骤C：将所述样品配置在所述模拟芯片安装基板的所述模拟芯片上，步骤D：在下述埋入条件下，将所述模拟芯片埋入所述样品，步骤E：在所述步骤D后，测定构成所述样品的树脂向所述模拟芯片与所述玻璃基板之间的中空部的进入量X1，步骤F：在所述步骤E后，在150℃...
【技术特征摘要】
2015.03.03 JP 2015-0410661.一种中空型电子器件密封用片，其特征在于，通过下述步骤A～步骤G的顺序测定的进入量X1为0μm以上且50μm以下，且由进入量Y1减去所述进入量X1后的值为60μm以下，步骤A：准备将下述规格的1个模拟芯片利用树脂凸块安装于玻璃基板的模拟芯片安装基板，步骤B：准备长1cm、宽1cm、厚220μm的尺寸的中空型电子器件密封用片的样品，步骤C：将所述样品配置在所述模拟芯片安装基板的所述模拟芯片上，步骤D：在下述埋入条件下，将所述模拟芯片埋入所述样品，步骤E：在所述步骤D后，测定构成所述样品的树脂向所述模拟芯片与所述玻璃基板之间的中空部的进入量X1，步骤F：在所述步骤E后，在150℃的热风干燥机中放置1小时，使所述样品热固化而得到密封体样品，和步骤G：测定所述树脂向所述密封体样品中的所述中空部的进入量Y1，＜模拟芯片的规格＞芯片尺寸为长3mm、宽3mm、厚200μm，形成有高50...
【专利技术属性】
技术研发人员：土生刚志，丰田英志，市川智昭，清水祐作，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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