电路基板及其制造方法技术

技术编号:13681522 阅读:56 留言:0更新日期:2016-09-08 11:45
一种电路基板的制造方法,其包括:基板结构体(11)的准备工序、用覆盖薄膜(14)将前述基板结构体(11)最外层的导体电路(13)覆盖的覆盖工序,在前述覆盖工序中,在覆盖薄膜(14)与热处理机构之间介由脱模材料(15)而进行热处理,前述脱模材料(15)是通过朝向热处理机构依序地至少由下述材料构成并层叠而得到的:从超高分子量聚乙烯薄膜以及聚四氟乙烯薄膜中选出的低摩擦性薄膜(16)、第1铝箔(17)、第1高密度聚乙烯薄膜(18a)、第2高密度聚乙烯薄膜(18b)、以及第2铝箔(19),而且,前述第1高密度聚乙烯薄膜(18a)以及第2高密度聚乙烯薄膜(18b)以MD方向相互垂直的状态被层叠。

【技术实现步骤摘要】
本专利技术是2011年12月16日申请的专利技术名称为“电路基板及其制造方法”的第201180062324.2号专利技术专利申请的分案申请。关联申请本申请要求日本国2010年12月27日申请的日本特愿2010-289854的优先权,以参考方式将其全体作为本申请的一部分进行引用。
本专利技术涉及电路基板及其制造方法,所述电路基板将可形成光学各向异性的熔融相的热塑性聚合物(以下,有时会将其称为热塑性液晶聚合物,或者简单地略称为液晶聚合物)用作覆盖薄膜。
技术介绍
个人电脑、服务器、路由器、存储器等信息处理设备、信息车载终端中使用的电路基板,以及构成电视、摄像机等信息家电的处理器和/或内存等中使用的电路基板,作为功能电路或者作为将功能模块之间连接的基板,发挥着极其重要的作用。但是,在这样的电路基板中,近年来,因水蒸气等水分而发生的离子迁移成为了问题。引起离子迁移时,则存在有用作布线的金属在基板上移动而最终将电路基板破坏的可能。因此,例如在专利文献1(日本特开2003-124580号公报)中,为了赋予水蒸气阻隔性,公开了一种层叠体,其通过在柔性印刷布线板的电路面上,介由粘着剂层及/或接合剂层,将由在熔融时显现光学各向异性的热塑性树脂形成的薄膜进行层叠从而形成。另外,在专利文献2(日本特开2007-19338号公报)中公开了一种电子电路基板,其通过将具有短波长紫外线照射面的液晶聚合物片材相对于在液晶聚合物片材的单面或者两面形成的电路面,在电路面与照射面接触着的状态下进行热压接而成。在这些层叠体、电子电路基板中,将液晶聚合物片材覆盖于电路面,从而可赋予电路基板以耐水性。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开2003-124580号公报专利文献2:日本特开2007-19338号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题但是,在专利文献1的电路基板中,必须使用粘接剂层,因粘接剂层而导致不仅无法提高电路基板的尺寸稳定性、介电特性,而且还使制造工序变得繁杂化。另外,在专利文献2的电路基板中,由于对由液晶聚合物形成的覆盖薄膜的粘接面照射紫外线而使薄膜软化,因而容易因热压接而使覆盖薄膜变形,不易以均匀的厚度将基板上的导体电路覆盖。因此,本专利技术的目的在于提供一种电路基板及其制造方法,所述电路基板具备由热塑性液晶聚合物形成的覆盖薄膜,并且覆盖薄膜以大致均匀的厚度并且没有间隙地将导体电路覆盖。本专利技术的另一目的在于提供不仅水阻隔性优异而且可有效抑制噪音的产生的电路基板及其制造方法。本专利技术的又一目的在于提供可以以低成本制造低损耗并且信号失真少的电路基板的方法。用于解决问题的方案本专利技术的专利技术人们为了实现上述目的进行了深入研究,结果发现了,(1)将液晶聚合物薄膜用作覆盖薄膜而进行了热熔接的情况下,为了防止电路基板的电特性(例如介电常数、损耗角正切(dielectric tangent))劣化,不仅需要用覆盖薄膜没有间隙地将构成电路基板的最外层的基板与导体电路进行充满,而且需要使覆盖薄膜以大致均匀的厚度将基板上的凹凸进行覆盖。而且发现了,(2)在以这样的均匀的厚度将熔融流动性高的液晶聚合物薄膜覆盖之时,以往用作脱模薄膜的超高分子量聚乙烯薄膜的脱模性以及耐热性虽然优异,但是分子量大,因而在熔融时分子链的移动受限制,从而阻碍对基板上的凹凸的跟随性,(3)另一方面,由铝箔将高密度聚乙烯薄膜夹持的情况下,分子链容易移动因而显示出跟随性,但是薄膜的各向异性高,因其各向异性而使得已经设置的导体电路方式变形的可能性高。基于这些见解,进一步进行了研究,结果不仅发现了,(4)将超高分子量聚乙烯薄膜与由铝箔夹持着的2张高密度聚乙烯薄膜组合,进一步使前述高密度聚乙烯薄膜的机械轴方向(以下简称为MD方向)相互垂直地用作脱模材料,从而在通过热处理将液晶聚合物薄膜作为覆盖薄膜进行了覆盖的情况下,可以使覆盖薄膜以大致均匀的厚度将基板上的导体电路覆盖;而且进一步发现了,(5)即使在使用了同样为低摩擦性的聚四氟乙烯薄膜(以下,存在有略记为PTFE薄膜的情况)来替代低摩擦性的超高分子量聚乙烯薄膜的情况下,也可实现与超高分子量聚乙烯薄膜同样的作用,从而完成本专利技术。即,本专利技术为一种电路基板,至少由基板结构体、以及覆盖薄膜构成,该基板结构体包含基板和设置于基板的至少一侧的表面上的导体电路,该覆盖薄膜将前述基板结构体的最外层之中的至少导体电路侧覆盖,前述覆盖薄膜由一种薄膜形成,该薄膜是由可形成光学各向异性的熔融相的热塑性聚合物形成的,在前述电路基板的厚度剖面,前述覆盖薄膜以大致均匀的厚度将基板结构体覆盖。在前述电路基板的厚度剖面,优选导体电路具有大致长方形形状的剖面(以下略记为长方形剖面),优选覆盖薄膜将此大致长方形剖面以左右均等的方式覆盖。例如,在这样的电路基板中,导体电路的长方形剖面具有厚度t,前述长方形剖面由基板侧左端部、基板侧右端部、覆盖薄膜侧左端部、覆盖薄膜侧右端部这4点构成,将根据覆盖薄膜侧左端部测定出的覆盖薄膜的厚度设为t1、将根据覆盖薄膜侧右端部测定出的覆盖薄膜的厚度设为t2、将根据覆盖薄膜侧中央部测定出的覆盖薄膜的厚度设为t3的情况下,覆盖薄膜的厚度偏差(单位:%)也可满足下述式(1)。[Max(t1-t3)-Min(t1-t3)]/t<30 (1)(式中,Max(t1-t3)是覆盖薄膜的厚度t1~t3之中的最大值,Min(t1-t3)是覆盖薄膜的厚度t1~t3之中的最小值,t是导体电路的厚度。)另外,导体电路也可由差动信号线构成,在此情况下,在电路基板的厚度剖面来观察的情况下,优选覆盖薄膜以大致均匀的厚度将基板结构体覆盖。例如,在此情况下,导体电路由第1差动信号线以及第2差动信号线构成,前述2根差动信号线在各自的信号线的长方形剖面分别具有厚度ta、tb,并且前述差动信号线的长方形剖面由基板侧左端部、基板侧右端部、覆盖薄膜侧左端部、覆盖薄膜侧右端部这4点构成,在第1差动信号线中,将根据覆盖薄膜侧左端部测定出的覆盖薄膜的厚度设为t1、将根据覆盖薄膜侧右端部测定出的覆盖薄膜的厚度设为t2、将根据覆盖薄膜侧中央部测定出的覆盖薄膜的厚度设为t3,在第2差动信号线中,将根据覆盖薄膜侧左端部测定出的覆盖薄膜的厚度设为t4、将根据覆盖薄膜侧右端部测定出的覆盖薄膜的厚度设为t5、将根据覆盖薄膜侧中央部测定出的覆盖薄膜的厚度设为t6,将根据第1以及第2差动信号线间的中央部测定出的覆盖薄膜的厚度设为t7的情况下,覆盖薄膜的厚度偏差(单位:%)也可满足下述式(2)。[Max(t1-t7)-Min(t1-t7)]/t<30 (2)(式中,Max(t1-t7)是覆盖薄膜的厚度t1~t7之中的最大值,Min(t1-t7)是覆盖薄膜的厚度t1~t7之中的最小值,t是信号线的厚度ta和tb的平均值。)优选为,前述覆盖薄膜的热膨胀系数αC相对于构成导体电路的导体的热膨胀系数αM可以为-2至+3(×10-6/℃)的范围内。另外,构成基板的绝缘体材料也可由可形成光学各向异性的熔融相的热塑性聚合物形成。进一步,优选构成基板的绝缘体材料与覆盖薄膜的介电常数之差为±5%以内。另外,本专利技术也包含这样的电路基板的制造方法,前述制造方法具备有如下工序:准备基板结构体的基板结构体准备工序,该基板结构体在基板的至少本文档来自技高网
...

【技术保护点】
一种电路基板,其至少由基板结构体以及覆盖薄膜构成,该基板结构体包含基板和设置于基板的至少一侧的表面上的导体电路,该覆盖薄膜将所述基板结构体的最外层之中的至少导体电路侧覆盖,所述覆盖薄膜由一种薄膜形成,所述薄膜是由能形成光学各向异性的熔融相的热塑性聚合物形成的,在所述电路基板的厚度剖面,所述覆盖薄膜以大致均匀的厚度将基板结构体覆盖,在所述电路基板的厚度剖面上,导体电路具有大致长方形形状的剖面,覆盖薄膜将该大致长方形剖面以左右均等的方式覆盖,所述覆盖薄膜通过热处理而熔接于所述基板结构体。

【技术特征摘要】
2010.12.27 JP 2010-2898541.一种电路基板,其至少由基板结构体以及覆盖薄膜构成,该基板结构体包含基板和设置于基板的至少一侧的表面上的导体电路,该覆盖薄膜将所述基板结构体的最外层之中的至少导体电路侧覆盖,所述覆盖薄膜由一种薄膜形成,所述薄膜是由能形成光学各向异性的熔融相的热塑性聚合物形成的,在所述电路基板的厚度剖面,所述覆盖薄膜以大致均匀的厚度将基板结构体覆盖,在所述电路基板的厚度剖面上,导体电路具有大致长方形形状的剖面,覆盖薄膜将该大致长方形剖面以左右均等的方式覆盖,所述覆盖薄膜通过热处理而熔接于所述基板结构体。2.根据权利要求1所述的电路基板,其中,导体电路的长方形剖面具有厚度t,所述长方形剖面由基板侧左端部、基板侧右端部、覆盖薄膜侧左端部、覆盖薄膜侧右端部这4点构成,将根据覆盖薄膜侧左端部测定出的覆盖薄膜的厚度设为t1、将根据覆盖薄膜侧右端部测定出的覆盖薄膜的厚度设为t2、将根据覆盖薄膜侧中央部测定出的覆盖薄膜的厚度设为t3的情况下,覆盖薄膜的厚度偏差满足下述式(1),[Max(t1-t3)-Min(t1-t3)]/t<30 (1)式中,Max(t1-t3)是覆盖薄膜的厚度t1~t3之中的最大值,Min(t1-t3)是覆盖薄膜的厚度t1~t3之中的最小值,t是导体电路的厚度,厚度偏差的单位为%。3.根据权利要求1或2所述的电路基板,其中,导体电路由差动信号线构成,从电路基板的厚度剖面来观察,薄膜以大致均匀的厚度将基板结构体覆盖。4.根据权利要求1或2所...

【专利技术属性】
技术研发人员:大森一行砂本辰也
申请(专利权)人:株式会社可乐丽
类型:发明
国别省市:日本;JP

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1