【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于太阳电池和半导体器件领域。涉及太阳电池的器件设计和制备技术。
技术介绍
P型PERC（passivated emitter and rear contacts,PERC）太阳电池的光致衰减大成为了目前限制其推广应用的瓶颈所在，其衰减远远大于p型全铝背场晶硅太阳电池。专利技术一种能有效抑制其光致衰减的方法成为了目前PERC电池性能提升的关键。目前较为有效的方法有：从原材料的角度，将硅片中的掺杂元素由硼改为镓，可完全消除光致衰减；从制造技术的角度，在太阳电池片制造完成或者中间过程中进行热处理或光热处理，可部分抑制光致衰减。但种种技术都因成本、技术难度等原因无法推广实施。
技术实现思路
本专利技术的目的是从器件结构设计的角度提出了一种抑制p型PERC电池光致衰减的方法，并专利技术配套制备技术，以期进一步提高太阳电池的性能。本专利技术是通过以下技术方案实现的。一种抑制p型PERC太阳电池光致衰减的方法。其特征是在PERC太阳电池的p型硅片与氧化铝钝化层之间插入一层重掺杂p型晶体硅层。所述的重掺杂p型晶体硅层的厚度优选范围为5-500纳米。所述的重掺杂p型晶体硅层掺杂元素的分布优选为从硅片表面向硅片内部逐步减少的梯度分布。所述的重掺杂p型晶体硅层可由扩散法制备，也可由外延法或离子注入法制备，优选扩散法制备。所述重掺杂p型晶体硅层的掺杂元素可为硼、镓或铝，优选硼。进一步，所述的扩散法，在选择用硼作为掺杂元素时，具体包括溴化硼液态源扩散法、氧化硼固态源扩散法或低温气相沉积法制备的掺硼氧化硅作为固态源的扩散法，优选低温气相沉积法制备的掺硼氧化物作为固态源扩散法...
【技术保护点】
一种抑制p型PERC太阳电池光致衰减的方法，其特征是在PERC太阳电池的p型硅片与氧化铝钝化层之间插入一层重掺杂p型晶体硅层。
【技术特征摘要】
1.一种抑制p型PERC太阳电池光致衰减的方法，其特征是在PERC太阳电池的p型硅片与氧化铝钝化层之间插入一层重掺杂p型晶体硅层。2.根据权利要求1所述的抑制p型PERC太阳电池光致衰减的方法，其特征是所述的重掺杂p型晶体硅层的厚度为5-500纳米。3.根据权利要求1所述的抑制p型PERC太阳电池光致衰减的方法，其特征是所述的重掺杂p型晶体硅层掺杂元素的分布为从硅片表面向硅片内部逐步减少的梯度分布。4.根据权利要求1所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄海宾，周浪，岳之浩，高超，
申请(专利权)人：南昌大学，
类型：发明
国别省市：江西;36
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