高分子材料的劣化诊断方法及高分子材料的劣化诊断装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种高分子材料的劣化诊断方法及高分子材料的劣化诊断装置，本发明专利技术的高分子材料的劣化诊断方法，进行用于电气设备的高分子材料的劣化诊断，对诊断对象的所述高分子材料照射1GHz～50GHz内的任意的频率的电波，由基于所照射的电波的来自所述高分子材料的出射波测定复介电常数，并根据所述介电常数的至少实数部的值进行所述高分子材料的劣化诊断。藉此，可容易且适当地进行诊断对象的高分子材料的劣化诊断。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种高分子材料的劣化诊断方法、及高分子材料的劣化诊断装置。
技术介绍
作为用于例如开关、变压器、断路器等电气设备的环氧树脂等模具材(高分子材料)的劣化诊断，已提出有各种方法。例如，在专利文献1中所揭示的高分子材料的劣化诊断方法中，切出用于电气设备的诊断对象的高分子材料的一部分(显现部分放电的风险的部位)，并进行该切出部位的表面电阻值的测定。另一方面，事先针对与用于电气设备者相同的高分子材料，利用表面电阻值进行劣化评价，并根据该劣化评价与先前的测定值的比较来进行实际的电气设备的高分子材料的劣化诊断。另外，在专利文献2中所揭示的高分子材料的劣化诊断方法中，进行用于电气设备的诊断对象的高分子材料的表面的光反射率的测定，并根据该测定值与事先对相同的高分子材料进行的利用光反射率的劣化评价的比较，进行实际的电气设备的高分子材料的劣化诊断。[现有技术文献][专利文献][专利文献1]日本专利第5495232号公报[专利文献2]日本专利第4710701号公报
技术实现思路
[专利技术所要解决的课题]然而，在专利文献1的劣化诊断方法中，必须切出电气设备的高分子材料。另外，表面电阻值容易受到湿本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高分子材料的劣化诊断方法，其进行用于电气设备的高分子材料的劣化诊断，其特征在于：对诊断对象的所述高分子材料照射1GHz～50GHz内的任意的频率的电波，由基于所照射的电波的来自所述高分子材料的出射波测定复介电常数，并根据所述介电常数的至少实数部的值进行所述高分子材料的劣化诊断。

【技术特征摘要】
2015.02.13 JP 2015-0265671.一种高分子材料的劣化诊断方法，其进行用于电气设备的高分子材料的劣化诊断，其特征在于：对诊断对象的所述高分子材料照射1GHz～50GHz内的任意的频率的电波，由基于所照射的电波的来自所述高分子材料的出射波测定复介电常数，并根据所述介电常数的至少实数部的值进行所述高分子材料的劣化诊断。2.根据权利要求1所述的高分子材料的劣化诊断方法，其特征在于：仅根据所述复介电常数的实数部的值进行所述劣化诊断。3.根据权利要求1或2所述的高分子材料的劣化诊断方法，其特征在于：将照射至所述高分子材料的电波固定为1个频率，并利用由所述1个频率的电波照射所获得的所述复介电常数的至少实数部的值进行所述劣化诊断。4.根据权利要求1或2所述的高分子材料的劣化诊断方法，其特征在于：将照射至所述高分子材料的电...

【专利技术属性】
技术研发人员：冈田直喜，大木秀人，藤根正义，宇都宫里佐，
申请(专利权)人：日新电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP