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一种四方相Na3SbS4钠快离子导体及其制备方法技术

技术编号:13518233 阅读:71 留言:0更新日期:2016-08-12 13:55
一种四方相Na3SbS4钠快离子导体,它是一种由含大半径原子Sb构成的SbS4基团形成刚性骨架,构建适合Na离子扩散的迁移通道,且结构中的钠位置含大量的空位的四方相结构的快离子导体。上述离子导体的制备方法主要是按摩尔比2.29~3.01:1:3.09~4.01的比例,将单质Na、Sb和S混合后,放入石英管中真空密封,在马弗炉中加热到600~900℃,保温8~24小时,冷却至室温,在手套箱中用研钵手动或用球磨机进行球磨成粉末。本发明专利技术制备工艺简单、可重复性高,制得的Na3SbS4钠快离子导体具有极高的离子电导率,其数值超过3.4×10‑3S/cm。

【技术实现步骤摘要】
201610223511

【技术保护点】
一种四方相Na3SbS4钠快离子导体,其特征在于:它是一种可用于固体电解质的快离子导体,它由含大半径原子Sb构成的SbS4基团形成刚性骨架,构建适合Na离子扩散的迁移通道,且结构中的钠位置含大量的空位的四方相结构的快离子导体。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:张隆张德超杨坤
申请(专利权)人:燕山大学
类型:发明
国别省市:河北;13

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