用于AlGaN光电器件的多量子阱结构及制备方法技术

一种用于AlGaN光电器件的多量子阱结构及制备方法，该用于AlGaN光电器件的多量子阱结构包括：一衬底；一AlN缓冲层，其制作在衬底上；一AlN模板层，其制作在AlN缓冲层上；一AlGaN应力释放层，其制作在AlN模板层上；一N型AlGaN层，其制作在AlGaN应力释放层上；一AlGaN多量子阱层，其制作在N型AlGaN层上；一P型AlGaN/GaN层，其制作在AlGaN/AlGaN多量子阱层上。本发明专利技术其可以提高多量子阱光电器件的内量子效率。

【技术实现步骤摘要】
201610222440

【技术保护点】
一种用于AlGaN光电器件的多量子阱结构，包括：一衬底；一AlN缓冲层，其制作在衬底上；一AlN模板层，其制作在AlN缓冲层上；一AlGaN应力释放层，其制作在AlN模板层上；一N型AlGaN层，其制作在AlGaN应力释放层上；一AlGaN多量子阱层，其制作在N型AlGaN层上；一P型AlGaN/GaN层，其制作在AlGaN/AlGaN多量子阱层上。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘雅丽，金鹏，王占国，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11