一种化学气相沉积制备二硫化铼薄膜的方法技术

本发明专利技术公开了一种化学气相沉积制备二硫化铼薄膜的方法，该方法以铼粉和碲粉混合物形成的二元低共熔体合金为铼源，硫粉为硫源，云母为生长基底，在氩气气氛下500～900℃生长出二维二硫化铼薄膜。本发明专利技术方法相比现有制备二硫化铼的方法，对设备条件要求较低，操作流程简单，具有反应温度低、生长效率高、层数均匀、所得产品晶格质量高和可控性好的特点，实现了大面积、高质量和层数可控二硫化铼的控制生长，为二硫化铼在电子和光电子器件领域的应用提供了可靠的样品制备方法。

【技术实现步骤摘要】
201610243559

【技术保护点】
一种化学气相沉积制备二硫化铼薄膜的方法，其特征在于：以铼粉和碲粉质量比为1:3～10的混合物为铼源、硫粉为硫源、云母为生长基底，在氩气气氛下500～900℃生长5～20分钟，得到二维二硫化铼薄膜。

【技术特征摘要】
1.一种化学气相沉积制备二硫化铼薄膜的方法，其特征在于：以铼粉和碲粉质量比为1:3～10的混合物为铼源、硫粉为硫源、云母为生长基底，在氩气气氛下500～900℃生长5～20分钟，得到二维二硫化铼薄膜。2.根据权利要求1所述的化学气相沉积制备二硫化铼薄膜的方法，其特征在于：以铼粉和碲粉质量比为1:7～9的混合物为铼源。3.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐华，崔芳芳，王聪，李晓波，
申请(专利权)人：陕西师范大学，
类型：发明
国别省市：陕西;61