Cs2LiPO4化合物、Cs2LiPO4非线性光学晶体及其制法和用途制造技术

技术编号:13514461 阅读:159 留言:0更新日期:2016-08-11 22:41
本发明专利技术涉及一种Cs2LiPO4化合物、Cs2LiPO4非线性光学晶体及其制法和用途。本发明专利技术的晶体易长大且透明无包裹体,具有生长速度较快、成本低、易于获得较大尺寸晶体等优点;所获得的晶体具有较短的紫外吸收截止边、较大的非线性光学效应、物理化学性能稳定、机械性能好、易于加工等优点;该晶体可用于制作非线性光学器件;本发明专利技术非线性光学晶体制作的非线性光学器件可用于若干军事和民用高科技领域中,例如激光致盲武器、光盘记录、激光投影电视、光计算和光纤通讯等。

【技术实现步骤摘要】
201610331423
<a href="http://www.xjishu.com/zhuanli/25/CN105839185.html" title="Cs2LiPO4化合物、Cs2LiPO4非线性光学晶体及其制法和用途原文来自X技术">Cs2LiPO4化合物、Cs2LiPO4非线性光学晶体及其制法和用途</a>

【技术保护点】
Cs2LiPO4化合物,其特征在于:所述的Cs2LiPO4化合物的化学式为Cs2LiPO4。

【技术特征摘要】
1.Cs2LiPO4化合物,其特征在于:所述的Cs2LiPO4化合物的化学式为Cs2LiPO4。2.根据权利要求1所述的Cs2LiPO4化合物的制备方法,其特征在于:包括如下步骤:将含Cs化合物、含Li化合物和含P化合物以化学计量比均匀混合后,以10~200℃/小时的速率升温到350~450℃,然后保温烧结12小时以上,降至室温后取出研磨均匀,再以10~200℃/小时的速率升温到500~700℃烧结24小时以上,即得纯相的Cs2LiPO4化合物。3.根据权利要求2所述的Cs2LiPO4化合物的制备方法,其特征在于:所述含Cs化合物为Cs2CO3或CsNO3;所述含Li化合物为Li2CO3或LiOH·H2O;所述含P化合物为NH4H2PO4或(NH4)2HPO4。4.Cs2LiPO4非线性光学晶体,其特征在于:所述的Cs2LiPO4非线性光学晶体不含对称中心,属于正交晶系Cmc21空间群。5.根据权利要求4所述的Cs2LiPO4非线性光学晶体,其特征在于:所述晶体的晶胞参数为Z=4。6.根据权利要求4或5所述的Cs2LiPO4非线性光学晶体的制备方法,其特征在于:包括如下步骤:将所述的Cs2LiPO4化合物置于晶体生长炉中,在750℃以上保温2小时以上,然后降温,得到所述晶体。7.根据权利要求4或5所述的Cs2LiPO4非线性光学晶体的制备方法,其特征在于:包括如下步骤:1)将所述的Cs2LiPO4化合物置于晶体生长炉中,在750℃以上保温2小时以上,然后...

【专利技术属性】
技术研发人员:罗军华沈耀国赵三根赵炳卿
申请(专利权)人:中国科学院福建物质结构研究所
类型:发明
国别省市:福建;35

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