一种基于h细化的电阻层析成像有限元建模方法技术

本发明专利技术涉及一种基于h细化的电阻层析成像有限元建模方法，其包括以下步骤：1)建立可有效提高电阻层析成像正问题计算精度的有限元模型a；2)以h细化区域的起始层数、终止层数以及三角形有限元内部所插入节点的横坐标、纵坐标为变量，以敏感场均匀分布时电阻层析成像灵敏度矩阵条件数的倒数为适应度函数，利用改进粒子群算法h细化有限元模型a，得到基于h细化的有限元模型b；3)完成有限元模型b节点与有限元的编号。本发明专利技术在不影响电阻层析成像正问题计算精度的前提下，改善了敏感场均匀分布时电阻层析成像灵敏度矩阵的病态性，有效提高了电阻层析成像图像重建质量，可广泛适用于以灵敏度理论为基础的电阻层析成像图像重建算法。

【技术实现步骤摘要】
201610143207

【技术保护点】
一种基于h细化的电阻层析成像有限元模型，其特征在于，有限元模型分为采取h细化的区域与未采取h细化的区域两部分，具体是在可有效提高正问题计算精度的有限元模型a的基础上，以h细化区域的起始层数、终止层数以及三角形有限元内部所插入节点的横坐标、纵坐标为变量，以敏感场均匀分布时灵敏度矩阵条件数的倒数为适应度函数，利用改进粒子群算法h细化有限元模型a，得到基于h细化的电阻层析成像有限元模型b。

【技术特征摘要】
1.一种基于h细化的电阻层析成像有限元模型，其特征在于，有限元模型分为采取h细化的区域与未采取h细化的区域两部分，具体是在可有效提高正问题计算精度的有限元模型a的基础上，以h细化区域的起始层数、终止层数以及三角形有限元内部所插入节点的横坐标、纵坐标为变量，以敏感场均匀分布时灵敏度矩阵条件数的倒数为适应度函数，利用改进粒子群算法h细化有限元模型a，得到基于h细化的电阻层析成像有限元模型b。2.根据权利要求1所述的一种基于h细化的电阻层析成像有限元模型，其特征在于，所述基于h细化的电阻层析成像有限元模型建立的具体步骤是：步骤一：建立可有效提高电阻层析成像正问题计算精度的有限元模型a；步骤二：以h细化区域的起始层数、终止层数以及三角形有限元内部所插入节点的横坐标、纵坐标为变量，以敏感场均匀分布时灵敏度矩阵条件数的倒数为适应度函数，利用改进粒子群算法h细化有限...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖理庆，唐翔，
申请(专利权)人：肖理庆，
类型：发明
国别省市：江苏;32