新型片层二硫化钼基纳米免疫佐剂及其制备方法与应用技术

技术编号:13509452 阅读:60 留言:0更新日期:2016-08-11 10:15
本发明专利技术涉及一种新型片层二硫化钼基纳米免疫佐剂及其制备方法与应用,该免疫佐剂是由CpG和PEG对二硫化钼纳米片层进行修饰得到的产物,制备方法包括将二硫化钼纳米片层进行超声处理;然后与CpG和PEG混合,在摇床中温控孵育;离心去除游离的CpG和PEG而得到。本发明专利技术纳米免疫佐剂粒径小、尺寸均一、比表面积大,具有较强的近红外区光热转换能力,联合红外激光照射可以很大程度上提高免疫激活相关细胞因子的分泌水平。此外,本发明专利技术所述的纳米免疫佐剂具有较低的细胞毒性。本发明专利技术具有原料成本低,制备工艺简单,重复性好,性能稳定等优点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于新型纳米免疫佐剂的制备领域,涉及一种片层二硫化钼基纳米免疫佐剂及其制备方法与用途,尤其涉及一种CpG修饰的具有较高光热转换效率的片层二硫化钼纳米免疫佐剂及其制备方法与应用。
技术介绍
免疫疗法作为一种新的治疗策略,已发展成为继手术、放疗和化疗之后的第四种肿瘤治疗手段,由于其基于机体自身免疫系统的监测和清除功能,通过激发和增强机体的免疫功能杀伤肿瘤细胞,展现了良好的应用前景。同时,由于大部分重组疫苗免疫原性较差,难以诱导良好的免疫应答效果,必须添加免疫佐剂来辅助疫苗发挥作用。铝盐是目前FDA批准的唯一人用无机盐免疫佐剂,广泛应用于乙肝疫苗和甲肝疫苗等商品化疫苗中。但是由于自身的一系列缺点,铝免疫佐剂目前的研究水平已经不能满足疫苗飞速发展的需要,因此,新型免疫免疫佐剂的开发就显得尤为重要。相比微米级颗粒,纳米粒子作为疫苗免疫佐剂具有自身的一些优势,纳米粒子具有比表面积大、表面活性中心多、反应活性高、吸附和催化能力强,有助于提高免疫激活相关的细胞因子分泌水平,而下调免疫抑制相关的细胞因子分泌水平;可作为疫苗输送载体,提高抗原被巨噬细胞摄取的能力等。纳米片层二硫化钼属于过渡金属二硫化物,其片层结构具有比表面积大的特点,对抗原或免疫佐剂具有较强的吸附效果,可以介导抗原或免疫佐剂被巨噬细胞识别和摄取,而且在近红外区有明显的光热转换能力,可以促进抗原或免疫佐剂在体内的释放,提高疫苗的效应。
技术实现思路
本专利技术目的在于提供一种新型片层二硫化钼基纳米免疫佐剂及其制备方法与应用。本专利技术提供的新型片层二硫化钼基纳米免疫佐剂具有的特点比表面积
>大,对抗原或免疫佐剂具有较强的吸附效果,而且在近红外区有明显的光热转换能力,可以促进抗原或免疫佐剂在体内的释放。本专利技术的目的之一是提供一种新型片层二硫化钼基纳米免疫佐剂,是由CpG(即未甲基化寡聚核苷酸)和PEG(即聚乙二醇)对二硫化钼纳米片层进行修饰得到的产物,所述二硫化钼纳米片层与CpG的摩尔比为100-300:1;所述二硫化钼纳米片层与PEG的摩尔比为10-30:1。所述新型片层二硫化钼基纳米免疫佐剂粒径为50-200nm。其中,所述二硫化钼纳米片层与CpG的摩尔比可为100:1,200:1,300:1,优选为300:1;所述二硫化钼纳米片层与PEG的摩尔比可为10:1,20:1,30:1,优选为30:1。作为优选,所述PEG的分子量为2000-10000,进一步优选为5000。作为优选,所述二硫化钼纳米片层为1-10层。优选地,所述二硫化钼纳米片层结构通过使用剥离剂将二硫化钼液相剥离获得。优选地,所述剥离剂选自正丁基锂和/或氯化锂。本专利技术采用CpG和PEG对二硫化钼纳米片层进行修饰,能够提升二硫化钼纳米片层在溶液中的稳定性,得到分散性和稳定性均较好的二硫化钼片层结构。因此,本专利技术片层二硫化钼基纳米免疫佐剂提供加入PEG大大提高了材料的稳定性、分散性和生物相容性。且该新型片层二硫化钼基纳米免疫佐剂粒径小、尺寸均一,比表面积大。本专利技术的目的之二在于提供上述新型片层二硫化钼基纳米免疫佐剂的制备方法,包括将大尺寸二硫化钼纳米片层结构在冰浴条件下经超声破碎制备尺寸较小的纳米片层结构,将超声后的二硫化钼片层结构和CpG(即未甲基化寡聚核苷酸)和PEG(即聚乙二醇)在溶液中混合,摇床中温控孵育后离心去除游离的CpG和PEG,得到粒径小、尺寸均一、比表面积大的片层二硫化钼基纳米免疫佐剂。具体地,上述新型片层二硫化钼基纳米免疫佐剂的制备方法,包括以下步骤:在冰浴条件下将二硫化钼纳米片层进行超声处理;然后与CpG和PEG混合,
在摇床中温控孵育;离心去除游离的CpG和PEG,即得所述片层二硫化钼基纳米免疫佐剂。作为优选,所述超声功率为50-900W,进一步优选为150-300w,例如150w,200w,300w;作为优选,所述超声处理时间为10分钟-10小时,进一步优选30分钟-1小时,例如30分钟、1小时;作为优选,所述二硫化钼纳米片层与CpG的摩尔比为100-300:1,例如100:1,200:1,300:1,进一步优选为300:1;作为优选,所述二硫化钼纳米片层与PEG的摩尔比为10-30:1,例如10:1,20:1,30:1,进一步优选30:1;作为优选,所述PEG的分子量为2000-10000,进一步优选为5000;作为优选,所述摇床转速为50-500rpm/min,进一步优选50-150rpm/min;更优选100rpm/min;作为优选,所述孵育温度控制为4-37℃,优选为20-25℃;作为优选,所述摇床孵育时间为1h-24h,优选10-14h。作为优选,离心速率为5000-20000rpm/min,优选16000rpm/min。作为优选,本专利技术所述二硫化钼纳米片层为1-10层的纳米片。优选地,所述二硫化钼纳米片层结构通过使用剥离剂将二硫化钼液相剥离获得。更具体地,上述新型片层二硫化钼基纳米免疫佐剂的制备方法,包括以下步骤:在冰浴条件下将液相剥离的1-10层的二硫化钼纳米片层进行超声处理30分钟-1小时,所述超声功率为150-300w;然后与CpG和PEG混合,在摇床中20-25℃温控孵育10h-14h;离心去除游离的CpG和PEG,即得所述片层二硫化钼基纳米免疫佐剂;其中,所述二硫化钼纳米片层与CpG的摩尔比为100-300:1,所述二硫化钼纳米片层与PEG的摩尔比为10-30:1。本专利技术对于二硫化钼纳米片的制备方法不做具体限定,任何能够制备得到
呈负电位的二硫化钼纳米片的方法均可用于本专利技术。作为优选技术方案,所述二硫化钼纳米片层的制备方法包括以下步骤:(1)保护性气氛下,向二硫化钼粉末中加入剥离剂分散液,进行液相剥离反应;(2)反应完毕,向反应液中加入溶剂,分层取沉淀;(3)将步骤(2)所得沉淀分散在一定溶剂中,超声,离心,取上清液进行透析,得到二硫化钼纳米片层水溶液。上述二硫化钼纳米片层结构的制备方法,其中:优选地,所述保护性气氛为非氧化气氛,优选氮气气氛、氦气气氛、氖气气氛或氩气气氛中的任意1种或至少2种的组合。优选地,所述剥离剂选自正丁基锂和/或氯化锂。所述二硫化钼和剥离剂的摩尔比优选为1:2-10,例如1:2.2、1:2.5、1:2.8、1:3.4、1:3.9、1:4.6、1:5.7、1:6.2、1.7、1:7.6等,进一步优选为3:8。优选地,所述剥离剂分散液的分散溶剂选自正己烷、环己烷、苯等饱和烃溶液中的一种或几种的混合液;所述混合液例如正己烷和苯的混合液,环己烷和正己烷的混合液,正己烷、环己烷和苯的混合液等。优选地,所述液相剥离反应的温度为4-37℃,例如22℃、25℃、27℃等,优选室温;反应时间1-144h,例如8h、15h、33h、75h、95h、125h、142h等,优选48h。优选地,步骤(2)所述溶剂与步骤(1)所述剥离剂分散液互溶。优选地,步骤(3)所述溶剂选自去离子水、甲醇、乙醇、异丙醇等中的一种或几种的混合液;所述混合液例如甲醇和乙醇的混合液,乙醇和异丙醇的混合液,水和异丙醇的混合液,甲醇、乙醇和水的混合液等;优选去离子水。优选地,步骤(3)所述透析的分子截留量为14kDa;透析时本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种片层二硫化钼基纳米免疫佐剂,是由CpG和PEG对二硫化钼纳米片层进行修饰得到的产物,所述二硫化钼纳米片层与CpG的摩尔比为100‑300:1;所述二硫化钼纳米片层与PEG的摩尔比为10‑30:1。

【技术特征摘要】
1.一种片层二硫化钼基纳米免疫佐剂,是由CpG和PEG对二硫化钼纳米片层进行修饰得到的产物,所述二硫化钼纳米片层与CpG的摩尔比为100-300:1;所述二硫化钼纳米片层与PEG的摩尔比为10-30:1。2.根据权利要求1所述的片层二硫化钼基纳米免疫佐剂,其特征在于,其粒径为50-200nm。3.根据权利要求1或2所述的片层二硫化钼基纳米免疫佐剂,其特征在于,所述二硫化钼纳米片层与CpG的摩尔比为300:1;所述二硫化钼纳米片层与PEG的摩尔比为30:1。4.根据权利要求1或2所述的片层二硫化钼基纳米免疫佐剂,其特征在于,所述二硫化钼纳米片层为通过使用剥离剂将二硫化钼液相剥离获得;优选地,所述剥离剂选自正丁基锂和/或氯化锂;和/或,所述二硫化钼纳米片层为1-10层。5.一种片层二硫化钼基纳米免疫佐剂的制备方法,包括以下步骤:在冰浴条件下将二硫化钼纳米片层进行超声处理;然后与CpG和PEG混合,在摇床中温控孵育;离心去除游离的CpG和PEG,即得。6.根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于,所述超声功率为50-900W,处理时间为10分钟-10小时;所述摇床转速为50-500rpm/min,所述孵育温度为4-37℃,孵育时间为1h-24h;优选地,所述超声功率为150-300w,处理时间为30分钟-1小时;所述摇床转速为50-150rpm/min;所述孵育温度为20-25℃,孵育时间为10-14h。7.根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于,所述二硫化钼纳米片层与CpG的摩尔比为100-300:1;所述二硫化钼纳米片...

【专利技术属性】
技术研发人员:韩秋森杨蓉王新环王琛
申请(专利权)人:国家纳米科学中心
类型:发明
国别省市:北京;11

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