火花塞制造技术

本发明专利技术提供一种火花塞。其中，在绝缘体的通孔内将中心电极和端子金属配件之间连接起来的连接部具有：电阻体；以及磁性体构造物，其配置在电阻体的前端侧或后端侧的、离开电阻体的位置，且该磁性体构造物包括磁性体和导电体。将电阻体和磁性体构造物中的配置在前端侧的构件设为第一构件，将电阻体和磁性体构造物中的配置在后端侧的构件设为第二构件。连接部还包括第一导电性密封部、第二导电性密封部、第三导电性密封部。第一导电性密封部配置在第一构件的前端侧，并与第一构件接触。第二导电性密封部配置在第一构件和第二构件之间，并与第一构件和第二构件接触。第三导电性密封部配置在第二构件的后端侧，并与第二构件接触。另外，也可以省略电阻体和密封部，连结部包括具有磁性体和导电体的磁性体构造物。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】本专利技术提供一种火花塞。其中，在绝缘体的通孔内将中心电极和端子金属配件之间连接起来的连接部具有：电阻体；以及磁性体构造物，其配置在电阻体的前端侧或后端侧的、离开电阻体的位置，且该磁性体构造物包括磁性体和导电体。将电阻体和磁性体构造物中的配置在前端侧的构件设为第一构件，将电阻体和磁性体构造物中的配置在后端侧的构件设为第二构件。连接部还包括第一导电性密封部、第二导电性密封部、第三导电性密封部。第一导电性密封部配置在第一构件的前端侧，并与第一构件接触。第二导电性密封部配置在第一构件和第二构件之间，并与第一构件和第二构件接触。第三导电性密封部配置在第二构件的后端侧，并与第二构件接触。另外，也可以省略电阻体和密封部，连结部包括具有磁性体和导电体的磁性体构造物。【专利说明】火花塞
本专利技术设及一种火花塞。
技术介绍
-直W来，火花塞被应用于内燃机。另外，提出有为了抑制因点火而产生的电波噪 声，在绝缘体的通孔内设置电阻体的技术。另外，还提出有在绝缘体的通孔内设置磁性体的 技术。 现有技术文献 专利文献 专利文献1:日本特开平02-284374号公报 专利文献2:日本特开昭62-150681号公报 专利文献3:日本特开昭61-230281号公报 [000引专利文献4:日本特开昭54-151736号公报 专利文献5:日本特开昭61-135079号公报 专利文献6:日本特开昭61-104580号公报 专利文献7:日本特开昭61-208768号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题 但是，实际上，针对使用磁性体来抑制电波噪声运一点而言，并没有做到充分的研 究。 本专利技术提供一种能够使用磁性体来抑制电波噪声的技术。用于解决问题的方案 本专利技术公开例如W下的技术方案。 [001引一种火花塞，该火花塞包括： 绝缘体，其具有沿轴线的方向延伸的通孔； 中屯、电极，其至少一部分插入于所述通孔的前端侧； 端子金属配件，其至少一部分插入于所述通孔的后端侧； 连接部，其在所述通孔内将所述中屯、电极和所述端子金属配件之间连接起来， 其中， 所述连接部具有： 电阻体；从及 磁性体构造物，其配置在所述电阻体的前端侧或后端侧的、离开所述电阻体的位 置，且该磁性体构造物包括磁性体和导电体， 将所述电阻体和所述磁性体构造物中的配置在前端侧的构件设为第一构件，将所 述电阻体和所述磁性体构造物中的配置在后端侧的构件设为第二构件，此时，所述连接部还包括： 第一导电性密封部，其配置在所述第一构件的前端侧，并与所述第一构件接触； 第二导电性密封部，其配置在所述第一构件和所述第二构件之间，并与所述第一 构件和所述第二构件接触； 第=导电性密封部，其配置在所述第二构件的后端侧，并与所述第二构件接触。 根据该结构，能够利用第一导电性密封部、第二导电性密封部、第S导电性密封 部，抑制电阻体的两端的电接触不良W及磁性体构造物的两端的电接触不良。由此，能够利 用电阻体和磁性体构造物运两者，适当地抑制电波噪声。 根据技术方案1所述的火花塞，其中， 所述磁性体构造物的从前端到后端的电阻值为化Q W下。 根据该结构，能够抑制磁性体构造物的发热。因此，能够抑制由磁性体构造物的发 热所引起的不良（例如，磁性体的变质等）。 根据技术方案2所述的火花塞，其中， 所述磁性体构造物的从所述前端到所述后端的电阻值为化Q W下。 根据该结构，能够进一步抑制磁性体构造物的发热。因此，能够进一步抑制由磁性 体构造物的发热所引起的不良（例如，磁性体的变质等）。 根据技术方案1-3中任一项所述的火花塞，其中， 所述导电体包括将所述磁性体的外周的至少一部分包围起来的螺旋状的线圈， 所述线圈的电阻值小于所述磁性体的电阻值。 根据该结构，能够利用线圈，抑制磁性体的发热并且适当地抑制电波噪声。 [技术方案引 根据技术方案1-3中任一项所述的火花塞，其中， 所述导电体包括沿所述轴线的方向贯穿所述磁性体的导电部。 根据该结构，能够提高耐久性并且适当地抑制电波噪声。 根据技术方案1-5中任一项所述的火花塞，其中， 所述磁性体构造物配置在所述电阻体的后端侧。 根据该结构，能够适当地抑制电波噪声。 根据技术方案1-6中任一项所述的火花塞，其中， 所述连接部还包括覆盖部，所述覆盖部覆盖所述磁性体构造物的外表面的至少一 部分，且所述覆盖部介于所述磁性体构造物和所述绝缘体之间。 根据该结构，能够抑制绝缘体和磁性体构造物直接发生接触。[005引[技术方案引根据技术方案1-7中任一项所述的火花塞，其中， 所述磁性体使用含氧化铁的强磁性材料而形成。 根据该结构，能够适当地抑制电波噪声。 根据技术方案8所述的火花塞，其中， 所述强磁性材料为尖晶石型铁氧体。 根据该结构，能够容易地抑制电波噪声。 根据技术方案1-9中任一项所述的火花塞，其中，[006引所述磁性体为Ni化铁氧体或Mn化铁氧体。 根据该结构，能够适当地抑制电波噪声。 根据技术方案1-3中任一项所述的火花塞，其中， 所述磁性体构造物包括： 1)作为所述导电体的导电性物质； 2)作为所述磁性体的含铁氧化物；W及 3)含娃(Si)、棚(B)和憐(P)中的至少一种的陶瓷， 在所述磁性体构造物的包括所述轴线的截面中， 将W所述轴线为中屯、线，且与所述轴线垂直的方向上的大小为2.5mm，所述轴线的 方向上的大小为5. Omm的矩形区域作为对象区域，此时， 在所述对象区域中，所述含铁氧化物的区域包括多个粒状区域， 在所述对象区域中，所述多个粒状区域各自的边缘的至少一部分被所述导电性物 质所覆盖， 在将所述粒状区域的所述边缘的、被所述导电性物质所覆盖的部分的长度相对于 所述粒状区域的所述边缘的全长的比例设为覆盖率时，在所述对象区域中，所述多个粒状 区域的所述覆盖率的平均值为50% W上。根据该结构，由于磁性体构造物具有特定的结构，因此能够适当地抑制噪声。 根据技术方案11所述的火花塞，其中， 在所述磁性体构造物的所述截面上的所述对象区域中的、除了所述含铁氧化物的 所述区域之外的剩余的区域中，气孔率为5% W下。 根据该结构，能够适当地抑制电波噪声。 根据技术方案11或12所述的火花塞，其中， 在所述磁性体构造物的所述截面上的所述对象区域内，处于具有与所述粒状区域 的面积相同的面积的圆的直径为400wiiW上且1500wiiW下的范围内的粒状区域的总数为6 个W上。 根据该结构，能够进一步适当地抑制电波噪声。 根据技术方案11-13中任一项所述的火花塞，其中， 在所述磁性体构造物的所述截面上的所述对象区域中，覆盖所述粒状区域的边缘 的所述导电性物质的最小厚度为1皿W上且25皿W下。 根据该结构，能够进一步适当地抑制电波噪声。 根据技术方案11-14中任一项所述的火花塞，其中， 该火花塞具有配置在所述绝缘体的径向周围的主体金属配件， 所述磁性体构造物配置在所述电阻体的后端侧， 所述磁性体构造物的后端部位于比所述主体金属配件的后端靠后端侧的位置。 根据该结构，能够进一步适当地抑制电波噪声。 -种火花塞，该火花塞包括： 绝缘体，其具有沿轴线的方向延伸的通孔； 中屯、电极，其至少一部分插入于所述通孔的前端侧； 端子金属配件，其至少一部分插入于所述通孔本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种火花塞，该火花塞包括：绝缘体，其具有沿轴线的方向延伸的通孔；中心电极，其至少一部分插入于所述通孔的前端侧；端子金属配件，其至少一部分插入于所述通孔的后端侧；连接部，其在所述通孔内将所述中心电极和所述端子金属配件之间连接起来，其中，所述连接部具有：电阻体；以及磁性体构造物，其配置在所述电阻体的前端侧或后端侧的、离开所述电阻体的位置，且该磁性体构造物包括磁性体和导电体，将所述电阻体和所述磁性体构造物中的配置在前端侧的构件设为第一构件，将所述电阻体和所述磁性体构造物中的配置在后端侧的构件设为第二构件，此时，所述连接部还包括：第一导电性密封部，其配置在所述第一构件的前端侧，并与所述第一构件接触；第二导电性密封部，其配置在所述第一构件和所述第二构件之间，并与所述第一构件和所述第二构件接触；第三导电性密封部，其配置在所述第二构件的后端侧，并与所述第二构件接触。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：高冈胜哉，黑泽和浩，田中邦治，本田稔贵，黑野启一，吉田治树，上垣裕则，
申请(专利权)人：日本特殊陶业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP