AMOLED像素驱动电路及像素驱动方法技术

本发明专利技术提供一种AMOLED像素驱动电路及像素驱动方法。该AMOLED像素驱动电路采用5T1C结构，包括：第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、第四薄膜晶体管(T4)、第五薄膜晶体管(T5)、电容(C1)、及有机发光二极管(D1)，通过对第n条扫描信号(Scan(n))、第n-1条扫描信号(Scan(n-1))、与发光控制信号(Em(n))相组合，先后对应于一OLED开启电压提取阶段、一数据写入阶段、及一发光阶段，最终使得流过有机发光二极管(D1)的电流IOLED满足：IOLED∝(VData-Vref+VSS+VOLED-VDD-Vth1)2，由于有机发光二极管经长期工作劣化后的开启电压VOLED升高，IOLED随之增加，可定性的补偿有机发光二极管的亮度衰减，提升OLED显示装置的显示品质。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种AMOLED像素驱动电路及像素驱动方法。
技术介绍
有机发光二极管(OrganicLightEmittingDisplay，OLED)显示装置具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽，可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点，被业界公认为是最有发展潜力的显示装置。OLED显示装置按照驱动方式可以分为无源矩阵型OLED(PassiveMatrixOLED，PMOLED)和有源矩阵型OLED(ActiveMatrixOLED，AMOLED)两大类，即直接寻址和薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)矩阵寻址两类。其中，AMOLED具有呈阵列式排布的像素，属于主动显示类型，发光效能高，通常用作高清晰度的大尺寸显示装置。AMOLED是电流驱动器件，当有电流流经有机发光二极管时，有机发光二极管发光，且发光亮度由流经有机发光二极管自身的电流决定。大部分已有的集成电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种AMOLED像素驱动电路，其特征在于，包括：第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、第四薄膜晶体管(T4)、第五薄膜晶体管(T5)、电容(C1)、及有机发光二极管(D1)；第二薄膜晶体管(T2)的栅极接入该像素驱动电路所在行对应的第n条扫描信号(Scan(n))，源极接入数据信号(Data)，漏极电性连接于第一节点(A)；第四薄膜晶体管(T4)的栅极接入该像素驱动电路所在行的上一行对应的第n‑1条扫描信号(Scan(n‑1))，源极接入参考电压(Vref)，漏极电性连接于第一节点(A)；电容(C1)的一端电性连接于第一节点(A)，另一端电性连接于第一薄膜晶体...

【技术特征摘要】
1.一种AMOLED像素驱动电路，其特征在于，包括：第一薄膜晶体管
(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、第四薄膜晶体管
(T4)、第五薄膜晶体管(T5)、电容(C1)、及有机发光二极管(D1)；
第二薄膜晶体管(T2)的栅极接入该像素驱动电路所在行对应的第n条
扫描信号(Scan(n))，源极接入数据信号(Data)，漏极电性连接于第一节点
(A)；
第四薄膜晶体管(T4)的栅极接入该像素驱动电路所在行的上一行对应
的第n-1条扫描信号(Scan(n-1))，源极接入参考电压(Vref)，漏极电性连接
于第一节点(A)；
电容(C1)的一端电性连接于第一节点(A)，另一端电性连接于第一薄
膜晶体管(T1)的栅极(G)；
第三薄膜晶体管(T3)的栅极接入第n-1条扫描信号(Scan(n-1))，源极
电性连接于第一薄膜晶体管(T1)的栅极(G)，漏极电性连接于有机发光二
极管(D1)的阳极；
第一薄膜晶体管(T1)的栅极(G)电性连接于所述电容(C1)的另一
端，源极(S)接入电源正电压(VDD)，漏极(D)电性连接于第五薄膜晶
体管(T5)的源极；
第五薄膜晶体管(T5)的栅极接入发光控制信号(Em(n))，源极电性连
接于所述第一薄膜晶体管(T1)的漏极(D)，漏极电性连接于有机发光二极
管(D1)的阳极；
有机发光二极管(D1)的阳极电性连接于所述第五薄膜晶体管(T5)的
漏极与所述第三薄膜晶体管(T3)的漏极，阴极接入电源负电压(VSS)。
2.如权利要求1所述的AMOLED像素驱动电路，其特征在于，所述第
一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、第四
薄膜晶体管(T4)、与第五薄膜晶体管(T5)均为低温多晶硅薄膜晶体管、
氧化物半导体薄膜晶体管、或非晶硅薄膜晶体管。
3.如权利要求1所述的AMOLED像素驱动电路，其特征在于，所述参
考电压(Vref)为一恒定电压。
4.如权利要求1所述的AMOLED像素驱动电路，其特征在于，所述该
像素驱动电路所在行对应的第n条扫描信号(Scan(n))、该像素驱动电路所在
行的上一行对应的第n-1条扫描信号(Scan(n-1))、与发光控制信号(Em(n))
相组合，先后对应于一OLED开启电压提取阶段、一数据写入阶段、及一发
光阶段。
5.如权利要求4所述的AMOLED像素驱动电路，其特征在于，所述第
一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、第四
薄膜晶体管(T4)、与第五薄膜晶体管(T5)均为P型薄膜晶体管；
在所述OLED开启电压提取阶段，所述第n-1条扫描信号(Scan(n-1))
为低电位，第n条扫描信号(Scan(n))为高电位，发光控制信号(Em(n))
为高电位；
在所述数据写入阶段，所述第n-1条扫描信号(Scan(n-1))为高电位，第
n条扫描信号(Scan(n))为低电位，发光控制信号(Em(n))为高电位；
在所述发光阶段，所述第n-1条扫描信号(Scan(n-1))为高电位，第n条
扫描信号(Scan(n))为高电位，发光控制信号(Em(n))为低电位。
6.如权利要求4所述的AMOLED像素驱动电路，其特征在于，所述第
一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、第四
薄膜晶体管(T4)、与第五薄膜晶体管(T5)均为N型薄膜晶体管；
在所述OLED开启电压提取阶段，所述第n-1条扫描信号(Scan(n-1))
为高电位，第n条扫描信号(Scan(n))为低电位，发光控制信号(Em(n))
为低电位；
在所述数据写入阶段，所述第n-1条扫描信号(Scan(n-1))为低电位，第
n条扫描信号(Scan(n))为高电位，发光控制信号(Em(n))为低电位；
在所述发光阶段，所述第n-1条扫描信号(Scan(n-1))为低电位，第n条
扫描信号(Scan(n))为低电位，发光控制信号(Em(n))为高电位。
7.一种AMOLED像素驱动方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩佰祥，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44