光谱纯度滤光片制造技术

本发明专利技术公开了一种光谱纯度滤光片，所述光谱纯度滤光片包括石墨烯。

【技术实现步骤摘要】
【专利说明】 本申请是于2011年3月17日递交的、专利技术名称为"光刻设备和方法"、申请号为 201180031217.3的中国专利申请以及于2014年3月5日递交的、专利技术名称为"用于EUV掩模版 的表膜和多层反射镜"、申请号为201410077948.7的中国专利申请的分案申请。 相关应用的交叉引用 本申请要求2010年6月25日递交的美国临时申请61/358,645的优先权和2010年7 月9日递交的美国临时申请61/362,981的优先权，两者通过引用全文并于此。
本专利技术涉及一种光刻设备和方法。
技术介绍
光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上，通常是衬底的目标部分上的机器。光 刻设备可用于例如集成电路（1C)制造过程中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩 模版的图案形成装置用于生成待形成在所述1C的单层上的电路图案。可以将该图案转移到 衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或更多个管芯)上。通常，通 过将图案成像到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上而实现图案的转移。通常，单 一衬底将包括相邻目标部分的网络，所述相邻目标部分被连续地图案化。 光刻术被广泛认为是制造集成电路（1C)和其他器件和/或结构的关键步骤之一。 然而，随着使用光刻术形成的特征的尺寸变得越来越小，对于实现微型的将要制造的1C或 其他器件和/或结构来说，光刻术正变成更加关键的因素。 图案印刷的极限的理论估计可以由用于分辨率的瑞利法则给出，如等式（1)所示： 其中λ是所用辐射的波长，NA是用以印刷图案的投影系统的数值孔径，1^是随工艺 变化的调节因子，也称为瑞利常数，CD是所印刷的特征的特征尺寸（或临界尺寸）。由等式 (1)知道，特征的最小可印刷尺寸减小可以由三中途径获得:通过缩短曝光波长λ、通过增大 数值孔径ΝΑ或通过减小h的值。 为了缩短曝光波长并因此减小最小可印刷尺寸，已经提出使用极紫外(EUV)辐射 源。EUV辐射是具有5-20nm范围内波长的电磁辐射，例如在13-14nm范围内波长的电磁辐射， 例如在5-10nm范围内的波长的电磁辐射，例如6 · 7nm或6 · 8nm波长的电磁辐射。可用的源包 括例如激光产生的等离子体源、放电等离子体源或基于由电子存储环所提供的同步加速器 辐射。 可以通过使用等离子体产生EUV辐射。用于产生EUV辐射的辐射系统可以包括用于 激发燃料以提供等离子体的激光器和用于包含等离子体的源收集器模块。例如可以通过引 导激光束到燃料，例如合适材料(例如锡)的颗粒或合适气体或蒸汽(例如氙气或锂蒸汽）的 流，来产生等离子体。所形成的等离子体发射输出辐射，例如EUV辐射，其通过使用辐射收集 器收集。辐射收集器可以是反射镜式正入射辐射收集器，其接收辐射并将辐射聚焦为束。源 收集器模块可以包括包围结构或腔，其布置成提供真空环境以支持等离子体。这种辐射系 统通常称为激光产生等离子体(LPP)源。 在一个替换的布置中，用于产生EUV辐射的辐射系统可以使用放电来产生等离子 体。放电通入气体或蒸汽(例如氙气、锂蒸汽或锡蒸汽），产生极高温的等离子体，其发生EUV 辐射。这种辐射系统通常称为放电产生的等离子体(DPP)源。 EUV源内的等离子体形成可能会造成从燃料产生污染物颗粒。这些污染物颗粒可 以以相对快的速度移动或以相对慢的速度移动，在相对快的速度移动情形中，污染物颗粒 趋向于大体沿着辐射束的路径移动，在相对慢的速度移动情形中，污染物颗粒自由地进行 布朗运动。在一些光刻设备中，相对慢移动的污染物颗粒可以通过光刻设备内的气体流动 输运。 相对快的移动和相对慢的移动的污染物颗粒都可以朝向光刻设备的图案形成装 置移动。如果污染物颗粒到达图案形成装置(即使是极少量），则它们会污染图案形成装置。 图案形成装置的污染可能会降低光刻设备的成像性能，并且在更为严重的情况下可能需要 更换图案形成装置。图案形成装置可能价格昂贵，因而图案形成装置的所必须更换的频率 的任何减少都是有利的。此外，图案形成装置的更换是耗时过程，在此期间光刻设备的操作 可能不得不停止。停止光刻设备的操作可能会降低光刻设备的输出，因此降低光刻设备的 效率，这是不希望的。 期望地，提供一种光刻设备，其可以捕获快移动和慢移动的污染物颗粒，使得它们 更不容易污染图案形成装置。
技术实现思路
根据一方面，提供一种光刻设备，包括:辐射源，配置成产生辐射束;和支撑件，配 置成支撑图案形成装置。所述图案形成装置配置成将图案赋予辐射束以形成图案化的辐射 束。腔，定位在辐射源和支撑件之间。所述腔包含配置成反射辐射束的至少一个光学部件。 所述腔配置成允许来自辐射源的辐射通过其中。隔膜限定腔的一部分。所述隔膜配置成允 许辐射束通过隔膜，并阻止污染物颗粒通过隔膜。颗粒捕获结构配置成允许气体沿间接路 径从腔外部流至腔的内部，颗粒捕获结构的间接路径配置成基本上阻止污染物颗粒从腔内 部到达腔外部。 根据本专利技术一方面，提供一种光刻方法，包括步骤:产生辐射束;和引导辐射束通 过包含反射辐射束的至少一个光学部件的腔。所述辐射束被引导朝向图案形成装置。所述 腔包括隔膜。所述方法包括：当辐射束从腔通过隔膜并朝向图案形成装置传递时用隔膜阻 止污染物颗粒通过;使气体从腔内部至腔外部沿间接路径通过颗粒捕获结构流动，所述间 接路径基本上阻止污染物颗粒从腔内部到达腔外部；用图案形成装置将图案赋予辐射束以 形成图案化的辐射束;和使用投影系统将图案化的辐射束投影到衬底上。 根据本专利技术一方面，提供一种光刻设备，包括:福射源，配置成产生福射束;和支撑 件，配置成支撑图案形成装置，所述图案形成装置配置成将图案赋予辐射束以形成图案化 的辐射束;其中所述支撑件设置有包括石墨烯层的表膜(pellicle)。 根据本专利技术一方面，提供一种光谱纯度滤光片，包括栅格，所述栅格配置成阻止或 减少红外辐射通过，其中所述栅格覆盖有阻止氧气到达栅格的石墨烯。石墨烯被设置作为 一个或更多个层，或可以围绕栅格的肋。 根据本专利技术一方面，提供一种光谱纯度滤光片，包括栅格，所述栅格配置成阻止或 减少红外辐射通过，所述栅格包括钨/石墨烯多层结构。 根据本专利技术一方面，提供一种光谱纯度滤光片，包括阻挡带外辐射的材料，其中光 谱纯度滤光片还包括石墨烯层，其支持所述材料。 根据本专利技术一方面，提供一种多层反射镜，包括第一材料和第二材料的交替层，其 中石墨烯设置在交替层之间。 根据本专利技术一方面，提供一种多层反射镜，包括第一材料和第二材料的交替层，其 中石墨烯的层设置为多层反射镜的外层。 根据本专利技术一方面，提供一种光刻设备，其具有石墨烯隔膜，所述石墨烯隔膜配置 成阻止污染物颗粒的通道和透过EUV辐射。【附图说明】 现在参照随附的示意性附图，仅以举例的方式，描述本专利技术的实施例，其中，在附 图中相应的附图标记表示相应的部件，且其中： 图1示出根据本专利技术一实施例的光刻设备； 图2示出图1的设备的LPP源收集器模块S0的视图； 图3示出根据本专利技术一实施例的隔膜和颗粒捕获结构的视图；图4是可以形成根据本专利技术的光刻设备的一部分的掩模版的一实施例的横截面视 图； 图5是可以形成根据本专利技术的光刻设备的一部分的掩模版的一实施例的横截面视 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光谱纯度滤光片，包括石墨烯。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：A·亚库宁，V·班尼恩，E·鲁普斯特拉，H·范德斯库特，L·史蒂文斯，M·范卡朋，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰;NL