【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种薄膜晶体管基底，所述薄膜晶体管基底包括：栅电极；沟道层，与所述栅电极叠置；源电极，与所述沟道层叠置；漏电极，与所述沟道层和所述源电极叠置；以及间隔件，设置在所述源电极和所述漏电极之间。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：柳明官，金亿洙，孙暻锡，崔昇夏，金昭娟，金贤，朴恩惠，朱炳焕，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
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