一种共面波导宽阻带滤波器制造技术

本发明专利技术公开的一种共面波导宽阻带滤波器，由共面波导λg/4型的SIR短路支节单元结构与共面波导的缺陷结构嵌套而成。该结构是一种共面波导SIR与共面波导DGS的嵌套结构，可以产生多个邻近的谐振零点，因为该结构本质上还是一种SIR结构，具有SIR结构的优点，所以同样可以通过改变SIR结构传输线的特性阻抗之比来实现频率的变化，它十分适合于设计小型化宽阻带滤波器。本发明专利技术解决了当前设计宽阻带滤波器时，性能与体积之间存在的矛盾，其插损较小，频率选择性更好，而且体积较小，满足了滤波性能的同时也减小了体积。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及通信设备
，具体涉及一种共面波导宽阻带滤波器。
技术介绍
共面波导(CPW)结构在1969年由C.P.Wen提出来以后，用共面波导结构来实现微波滤波器也应运而生。共面波导是一种导体带与地平面同处于同一个平面上的结构，如图2所示，该结构包括有介质基片，敷设在介质基片上表面中间位置处的共面波导信号线，在共面波导信号线两侧敷设了共面波导地共面波导地。该结构便于并联外接元件，易于构成混合集成电路，由于其具有与有源器件、无源器件连接十分方便等诸多优点，以及微波和毫米波集成电路特别是单片集成电路技术的飞速发展，近些年来，共面波导结构受到了越来越多学者的关注，利用该结构设计微波滤波器也变得更加广泛。随着微波技术的发展，微波滤波器的设计已经比较成熟，如今人们在满足滤波器的通带性能要求时，已经更加注重宽阻带的实现。目前，共面波导宽阻带滤波器通常采用如下两种结构之一：一、采用阶跃阻抗谐振器(SIR)以及SIR的变形结构，如图3所示，该结构包括有图1所示的λg/4型的SIR单元结构和图2所示的共面波导结构，SIR结构一端与共面波导地相连接形成短路，另一端开路；二、缺陷地结构(DGS)，如图4所示，该结构包括有图2的共面波导结构，在共面波导地上形成了两个对称的开口比较小的矩形缺陷地；由于目前很多设计者都只是单一的利用DGS结构或SIR结构进行级联，级联个数为4、5个左右，一般级联次数越多，带来的插损会越大，故虽然获得了不错的宽阻带性能，但同时也带来了带通部分插损的增大以及器件体积的增大的缺点。
技术实现思路
本专利技术实施例的目的在于提供一种共面波导宽阻带滤波器，解决了现有技术中存在的带通部分插损大、滤波器体积大的问题。为达到上述目的，本专利技术实施例公开了：一种共面波导宽阻带滤波器，包括共面波导λg/4型的SIR短路支节单元结构，及嵌套在共面波导λg/4型的SIR短路支节单元结构中的至少一层共面波导的缺陷结构，所述的共面波导λg/4型的SIR短路支节单元结构，包括共面波导结构及嵌套在共面波导结构中的λg/4型的SIR单元结构，所述的共面波导结构，包括介质基片，在介质基片上表面中间位置处敷设有共面波导信号线，在共面波导信号线两侧敷设有共面波导地，所述的共面波导信号线和共面波导地之间留有间隙，所述的λg/4型的SIR单元结构，包括相连接的一根较粗的传输线和一根较细的传输线，所述的共面波导结构和λg/4型的SIR单元结构在嵌套成共面波导λg/4型的SIR短路支节单元结构时，所述的较细的传输线一端与所述的共面波导地连接形成短路，所述的较粗的传输线一端与共面波导地、共面波导信号线都不连接，形成开路，所述的共面波导的缺陷结构，包括所述的共面波导结构，在所述的共面波导地上分别开有矩形的缺陷地，缺陷地朝向共面波导信号线一侧，通过一开口与共面波导信号线和共面波导地之间的间隙相连通，所述的共面波导λg/4型的SIR短路支节单元结构和共面波导的缺陷结构在嵌套成共面波导宽阻带滤波器时，所述的共面波导的缺陷结构的缺陷地部分嵌套在共面波导λg/4型的SIR短路支节单元结构中较粗的传输线中。优选的，所述的共面波导λg/4型的SIR短路支节单元结构中嵌套有一层共面波导的缺陷结构，所述的共面波导的缺陷结构的缺陷地部分嵌套在共面波导λg/4型的SIR短路支节单元结构中较粗的传输线中，共面波导的缺陷结构的缺陷地部分的开口朝向所述的共面波导信号线一侧。优选的，所述的共面波导的缺陷结构的缺陷地部分为一矩形环。优选的，所述的共面波导λg/4型的SIR短路支节单元结构中嵌套有两层共面波导的缺陷结构，所述的第一层共面波导的缺陷结构的缺陷地部分嵌套在共面波导λg/4型的SIR短路支节单元结构中较粗的传输线中，第一层共面波导的缺陷结构的缺陷地部分的开口朝向所述的共面波导λg/4型的SIR短路支节单元结构中共面波导信号线一侧，第一层共面波导的缺陷结构的缺陷地部分为一矩形环，矩形环内的共面波导地不完全镂空，所述的第二层共面波导的缺陷结构的缺陷地部分嵌套在第一层共面波导的缺陷结构的缺陷地部分内的共面波导地中，第二层共面波导的缺陷结构的缺陷地部分的开口朝向所述的共面波导λg/4型的SIR短路支节单元结构中共面波导信号线一侧。优选的，所述的共面波导λg/4型的SIR短路支节单元结构中嵌套有两层共面波导的缺陷结构，所述的第一层共面波导的缺陷结构的缺陷地部分嵌套在共面波导λg/4型的SIR短路支节单元结构中较粗的传输线中，第一层共面波导的缺陷结构的缺陷地部分的开口朝向所述的共面波导λg/4型的SIR短路支节单元结构中共面波导信号线一侧，第一层共面波导的缺陷结构的缺陷地部分为一矩形环，矩形环内的共面波导地不完全镂空，所述的第二层共面波导的缺陷结构的缺陷地部分嵌套在第一层共面波导的缺陷结构的缺陷地部分内的共面波导地中，第二层共面波导的缺陷结构的缺陷地部分的开口朝向所述的共面波导λg/4型的SIR短路支节单元结构中和共面波导信号线相对平行的一侧。优选的，所述的共面波导λg/4型的SIR短路支节单元结构中嵌套有两层共面波导的缺陷结构，所述的第一层共面波导的缺陷结构的缺陷地部分嵌套在共面波导λg/4型的SIR短路支节单元结构中较粗的传输线中，第一层共面波导的缺陷结构的缺陷地部分的开口朝向所述的共面波导λg/4型的SIR短路支节单元结构中共面波导信号线一侧，第一层共面波导的缺陷结构的缺陷地部分为一矩形环，矩形环内的共面波导地不完全镂空，所述的第二层共面波导的缺陷结构的缺陷地部分嵌套在第一层共面波导的缺陷结构的缺陷地部分内的共面波导地中，第二层共面波导的缺陷结构的缺陷地部分的开口朝向所述的共面波导λg/4型的SIR短路支节单元结构中和共面波导信号线相垂直的一侧。优选的，所述的第二层共面波导的缺陷结构的缺陷地部分为一矩形环。由上述的技术方案可见，本专利技术实施例通过将共面波导λg/4型的SIR短路支节单元结构与共面波导的缺陷结构嵌套得到小型化的共面波导宽阻带滤波器，解决了当前设计宽阻带滤波器时，性能与体积之间存在的矛盾，由于本专利技术没有通过利用DGS或SIR结构进行简单的多级级联来获得多个谐振点，而是设计了一种嵌套结构来实现的，故其插损较小，而且体积较小，满足了滤波性能的同时也减小了体积。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种共面波导宽阻带滤波器，其特征在于，包括共面波导λg/4型的SIR短路支节单元结构，及嵌套在共面波导λg/4型的SIR短路支节单元结构中的至少一层共面波导的缺陷结构，所述的共面波导λg/4型的SIR短路支节单元结构，包括共面波导结构及嵌套在共面波导结构中的λg/4型的SIR单元结构，所述的共面波导结构，包括介质基片，在介质基片上表面中间位置处敷设有共面波导信号线，在共面波导信号线两侧敷设有共面波导地，所述的共面波导信号线和共面波导地之间留有间隙，所述的λg/4型的SIR单元结构，包括相连接的一根较粗的传输线和一根较细的传输线，所述的共面波导结构和λg/4型的SIR单元结构在嵌套成共面波导λg/4型的SIR短路支节单元结构时，所述的较细的传输线一端与所述的共面波导地连接形成短路，所述的较粗的传输线一端与共面波导地、共面波导信号线都不连接，形成开路，所述的共面波导的缺陷结构，包括所述的共面波导结构，在所述的共面波导地上分别开有矩形的缺陷地，缺陷地朝向共面波导信号线一侧，通过一开口与共面波导信号线和共面波导地之间的间隙相连通，所述的共面波导λg/4型的SIR短路支节单元结构和共面波导的缺陷结构在嵌套成共面波导宽阻带滤波器时，所述的共面波导的缺陷结构的缺陷地部分嵌套在共面波导λg/4型的SIR短路支节单元结构中较粗的传输线中。...

【技术特征摘要】
1.一种共面波导宽阻带滤波器，其特征在于，包括共面波导λg/4型的SIR
短路支节单元结构，及嵌套在共面波导λg/4型的SIR短路支节单元结构中的
至少一层共面波导的缺陷结构，
所述的共面波导λg/4型的SIR短路支节单元结构，包括共面波导结构及
嵌套在共面波导结构中的λg/4型的SIR单元结构，
所述的共面波导结构，包括介质基片，在介质基片上表面中间位置处敷设
有共面波导信号线，在共面波导信号线两侧敷设有共面波导地，所述的共面波
导信号线和共面波导地之间留有间隙，
所述的λg/4型的SIR单元结构，包括相连接的一根较粗的传输线和一根较
细的传输线，所述的共面波导结构和λg/4型的SIR单元结构在嵌套成共面波
导λg/4型的SIR短路支节单元结构时，所述的较细的传输线一端与所述的共
面波导地连接形成短路，所述的较粗的传输线一端与共面波导地、共面波导信
号线都不连接，形成开路，
所述的共面波导的缺陷结构，包括所述的共面波导结构，在所述的共面波
导地上分别开有矩形的缺陷地，缺陷地朝向共面波导信号线一侧，通过一开口
与共面波导信号线和共面波导地之间的间隙相连通，
所述的共面波导λg/4型的SIR短路支节单元结构和共面波导的缺陷结构
在嵌套成共面波导宽阻带滤波器时，所述的共面波导的缺陷结构的缺陷地部分
嵌套在共面波导λg/4型的SIR短路支节单元结构中较粗的传输线中。
2.根据权利要求1所述的共面波导宽阻带滤波器，其特征在于，所述的共
面波导λg/4型的SIR短路支节单元结构中嵌套有一层共面波导的缺陷结构，

\t所述的共面波导的缺陷结构的缺陷地部分嵌套在共面波导λg/4型的SIR短路
支节单元结构中较粗的传输线中，共面波导的缺陷结构的缺陷地部分的开口朝
向所述的共面波导信号线一侧。
3.根据权利要求2所述的共面波导宽阻带滤波器，其特征在于，所述的共
面波导的缺陷结构的缺陷地部分为一矩形环。
4.根据权利要求1所述的共面波导宽阻带滤波器，其特征在于，所述的共
面波导λg/4型的SIR短路支节单元结构中嵌套有两层共面波导的缺陷结构，
所述的第一层共面波导的缺陷结构的缺陷地部分嵌套在共面波导λg/4型的SIR
短路支节单元结构中较粗的传输线中，第一层共面波导的缺陷结构的缺陷地部<...

【专利技术属性】
技术研发人员：邓中亮，甘俊，魏浩，郭旭兵，
申请(专利权)人：北京邮电大学，
类型：发明
国别省市：北京;11