【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种新型真空吸盘。
技术介绍
随着IC制造技术的飞速发展，其主要衬底材料—单晶硅片的直径不断增大，使得传统的硅片加工方法面临许多新问题。其中比较突出的问题是硅片尺寸增大后，其强度变差，容易产生翘曲变形，加工精度不易保证。同时由于多孔陶瓷板磨损需要更换，更换时存在生产成本高。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种新型真空吸盘，其结构简单，更换方便，只需更换磨损的多孔陶瓷板，降低生产成本的同时保证吸盘的平整度。
为了达到上述目的，本技术的技术方案是：
一种新型真空吸盘，包括吸盘底板，所述吸盘底板上分别安装有吸盘上环、密封环、多孔陶瓷板，所述多孔陶瓷板包括上多孔陶瓷层、下多孔陶瓷层，所述上多孔陶瓷层与下多孔陶瓷层相连，所述下多孔陶瓷层顶面开设有下凹槽，所述上多孔陶瓷层侧面开设有上凹槽，所述下凹槽与上凹槽之间安装有直角定位柱。
所述吸盘底板上开设有环状凹槽。
所述下多孔陶瓷层的长度大于上多孔陶瓷层的长度。
所述下凹槽内安装有第一防磨垫。
所述上凹槽内安装有第二防磨垫。
本技术的有益效果是：一种新型真空吸盘，其结构简单，更换方便，只需更换磨损的多孔陶瓷板，降低生产成本的同时保证吸盘的平整度。
附图说明
图1为本技术的结构示意图。
具体实施方式
实施例1
如图1所示一种新型真空吸盘，包括吸盘底板1，所述吸盘底板1上分别安装有吸盘上环2、密封环3、多孔陶瓷板4，所述多孔陶瓷板4包括上多孔陶瓷层5、下多孔陶瓷层6，所述上多...
【技术保护点】
一种新型真空吸盘，其特征在于：包括吸盘底板（1），所述吸盘底板（1）上分别安装有吸盘上环（2）、密封环（3）、多孔陶瓷板（4），所述多孔陶瓷板（4）包括上多孔陶瓷层（5）、下多孔陶瓷层（6），所述上多孔陶瓷层（5）与下多孔陶瓷层（6）相连，所述下多孔陶瓷层（6）顶面开设有下凹槽（7），所述上多孔陶瓷层（5）侧面开设有上凹槽（8），所述下凹槽（7）与上凹槽（8）之间安装有直角定位柱（10）。
【技术特征摘要】
1.一种新型真空吸盘，其特征在于：包括吸盘底板（1），所述吸盘底板（1）上分别安装有吸盘上环（2）、密封环（3）、多孔陶瓷板（4），所述多孔陶瓷板（4）包括上多孔陶瓷层（5）、下多孔陶瓷层（6），所述上多孔陶瓷层（5）与下多孔陶瓷层（6）相连，所述下多孔陶瓷层（6）顶面开设有下凹槽（7），所述上多孔陶瓷层（5）侧面开设有上凹槽（8），所述下凹槽（7）与上凹槽（8）之间安装有直角定位柱（10）。
2.根据权利要求1所...
【专利技术属性】
技术研发人员：马嫣，张新华，鲁志康，尹黎明，卢丽娟，张苏敏，
申请(专利权)人：绍兴文理学院，
类型：新型
国别省市：浙江;33
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