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人工种植石斛用的种植基质及其制备方法技术

技术编号:13392182 阅读:45 留言:0更新日期:2016-07-22 17:21
本发明专利技术公布了人工种植石斛用的种植基质,包括由下至上依次叠加设置的基质A、基质B和基质C;按照重量份数比计,基质A为干小麦秸秆10‑20份或干水稻秸秆10‑20份;基质B为中砂5‑10份、腐叶土10‑20份等的混合物;基质C为改性生物炭15‑25份、朽木15‑45份、膨胀珍珠岩5‑15份、松树皮10‑35份等的混合物。种植基质的制备方法为改性生物炭的制备,基质A、B、C的制备,然后叠加而成。本发明专利技术制备方法简单易懂,且本发明专利技术制备的种植基质克服了基质长期使用腐烂不透气,不保水,且成本低,营养全,更有利于铁皮石斛的生长,促使铁皮石斛茎干长得更加粗壮,根系更发达。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种人工种植石斛用的种植基质,其特征在于,包括由下至上依次叠加设置的基质A、基质B和基质C;按照重量份数比计,所述基质A为干小麦秸秆20‑30份和/或干水稻秸秆20‑30份;所述基质B为中砂5‑8份、腐叶土3‑8份、松球5‑10份、刨花5‑8份、杉木树皮5‑10份和木霉菌剂1‑3份的混合物;所述基质C为改性生物炭10‑15份、朽木5‑10份、膨胀珍珠岩5‑10份、松树皮3‑8份、松球5‑10份、葡萄落叶3‑10份、陶粒5‑8份和木霉菌剂1‑3份的混合物;所述基质A的厚度为2‑5cm,所述基质B的厚度为2‑3cm,所述基质C的厚度为2‑5cm;所述改性生物炭是按照重量份数比计,将互花米草25‑40份、膨胀珍珠岩粉2‑5份和瓜子石粉1‑3份混合得到混合物后,用超声波照射3‑5min,然后用红外线照射15‑30s,最后于300℃‑500℃条件下进行热裂解后即可得到改性生物炭。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:覃伟
申请(专利权)人:覃伟
类型:发明
国别省市:广西;45

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