具有改进的读取动态的硅基图像传感器制造技术

在图像传感器中，借助于计数器‑反馈环路(100)来修改像素的储存节点(NS)的有效容量，其储存了由像素的光敏元件收集的电荷(电子)，反馈环路基于连接到储存节点的跟随器晶体管T3的电源VREFP动作，以这种方式，储存节点的表观容量取决于环路的增益GL。通过修改增益，从而修改了储存节点的容量，且因而修改了电荷‑电压转换因子，该电荷‑电压转换因子与该容量成反比。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】
一种具有有源像素的图像传感器，包括像素和读取电路，每个像素具有至少一个光敏元件、用于储存通过光敏元件产生的电荷的电容性节点(NS)以及跟随器晶体管(Tf)，跟随器晶体管的栅极(g)连接到储存节点，跟随器晶体管的源极(s)连接到列导体(Coli)，列导体本身连接到读取电路(ADC)，并且跟随器晶体管的漏极(d)接收电源电压(VREFP)，其特征在于，设置了反馈环路(100)，环路具有连接到列导体(COL)的输入(101)以及连接到跟随器晶体管的漏极以便为漏极提供电源电压的的输出(102)，以及其特征在于，提供用于根据接收的照明度修改反馈环路的运行的装置。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：S·热塞，
申请(专利权)人：E二V半导体公司，
类型：发明
国别省市：法国;FR