频率依赖的发光装置制造方法及图纸

一种本文所描述的电致发光装置，在一方面包括第一电极和第二电极以及位于第一和第二电极之间的发光层。电流注入栅极位于第一电极和发光层之间或第二电极和发光层之间。在一些实施方式中，电流注入栅极包括电子结构的半导体层，该电子结构作为施加至第一和第二电极的交流电压频率的函数，限制来自第一或第二电极的注入电流通过半导体层。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】相关申请的引证本申请依据35U.S.C.§119(e)要求于2013年9月27日提交的美国临时专利申请61/883,710的优先权，其通过引用以其整体结合于此。
本专利技术涉及发光装置，以及特别地涉及表现出与交流电压频率相关的特性的发光装置。
技术介绍
有机薄膜电致发光(EL)装置，包括通常使用恒定电压或直流电(DC)电源操作的有机发光装置(OLED)。电荷载子(载荷子，chargecarrier)(空穴和电子)分别从高功函数和低功函数金属电极直接注入。直流电注入构造中存在多种缺点。例如，直流电注入可以在复合区(重组区，recombinationzone)沉淀电荷积聚(chargeaccumulation)和大的漏电流(泄露电流，leakagecurrent)，导致显著的激子淬息(激子淬熄，excitonquenching)。激子淬息产生低亮度和一系列效率衰减。此外，DC驱动的构造需要整流器并且增加了装置对尺寸变化的灵敏度，这导致了逃逸电流(runawaycurrent)缺陷。更重本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电致发光装置，包括：第一电极和第二电极；位于所述第一电极和所述第二电极之间的发光层；以及位于所述第一电极和所述发光层之间或所述第二电极和所述发光层之间的电流注入栅极，其中，所述电流注入栅极包括电子结构的半导体层，所述电子结构作为施加至所述第一电极和所述第二电极的交流电压频率的函数，限制来自所述第一电极或所述第二电极的注入电流通过所述半导体层。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2013.09.27 US 61/883,7101.一种电致发光装置，包括：
第一电极和第二电极；
位于所述第一电极和所述第二电极之间的发光层；以及
位于所述第一电极和所述发光层之间或所述第二电极和所述发光层之间的电流注入
栅极，其中，所述电流注入栅极包括电子结构的半导体层，所述电子结构作为施加至所述第
一电极和所述第二电极的交流电压频率的函数，限制来自所述第一电极或所述第二电极的
注入电流通过所述半导体层。
2.根据权利要求1所述的电致发光装置，其中，所述第一电极、第二电极或两者是辐射
透射的。
3.根据权利要求1所述的电致发光装置，其中，所述发光层是包括单态发射极相的有机
发光层。
4.根据权利要求3所述的电致发光装置，其中，所述单态发射极相包含一种或多种共轭
聚合物或低聚物、小分子或它们的混合物。
5.根据权利要求3所述的电致发光装置，其中，所述有机发光层进一步包括三态发射极
相。
6.根据权利要求5所述的电致发光装置，其中，所述三态发射极相包含磷光过渡金属复
合物。
7.根据权利要求5所述的电致发光装置，其中，所述三态发射极相分散于所述单态发射
极相中。
8.根据权利要求7所述的电致发光装置，其中，所述有机发光层包括用于所述单态发射
极相和所述三态发射极相的介电基质。
9.根据权利要求5所述的电致发光装置，其中，所述有机发光层进一步包括纳米颗粒
相。
10.根据权利要求9所述的电致发光装置，其中，所述纳米颗粒相碳纳米颗粒、无机纳米
颗粒和它们的混合物。
11.根据权利要求1所述的电致发光装置，其中，所述发光层是无机发光层。
12.根据权利要求11所述的电致发光装置，其中，所述无机发光层由III/V半导体材料
形成。
13.根据权利要求1所述的电致发光装置，其中，通过所述栅极的所述半导体层的注入
电流随施加的所述交流电压的频率升高而降低。
14.根据权利要求1所述的电致发光装置，其中，所述半导体层是包含分散于共轭聚合
物基体中的无机颗粒的复合层。<...

【专利技术属性】
技术研发人员：戴维·卡罗尔，罗伯特·萨默斯，陈永华，
申请(专利权)人：韦克森林大学，
类型：发明
国别省市：美国;US