本发明专利技术涉及分子筛制备，旨在提供一种无溶剂固相合成PERFER沸石层状前驱体的方法。包括：将硅源与氟源、有机胺置于研钵中，研磨后转至反应釜中，在120～200℃条件下晶化；将产物抽滤、烘干，即得到产品。本发明专利技术保持了良好的结晶度和纯度，具有良好的催化反应活性。整个生产过程不仅没有使用溶剂，这样就减少了在生产过程中不必要的损耗。生产所采用的无机原料均对环境友好，价格较低廉，因而本发明专利技术在实际化工生产领域具有重要意义。该方法提高了产率，减少了有机模板剂的使用，在反应体系中所加入的有机模板剂极少。使用不挥发的氟化铵完全代替了HF，而且合成操作简单易行，混合仅仅涉及原料的简单研磨并且研磨时间短。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于分子筛制备方法，特别是涉及无溶剂固相合成PERFER沸石层状前驱体的方法。
技术介绍
在现代沸石分子筛合成中，有不少新结构沸石是通过其层状前驱体经过处理而得到的，例如RRO结构的RUB-41沸石是由层状前驱体RUB-39转化而来，FER沸石可以由PERFER转化而来。鉴于它们在沸石合成中的重要作用，因此研究其合成方法非常有必要。最近，肖丰收教授发展了一种无溶剂法来合成沸石分子筛，此方法已经对硅铝沸石和磷铝沸石进行了详细的报道。这种方法有许多的优点，如非常高的沸石产率，减少废物的排放，操作简单，减少了反应的压力。然而，对于沸石的层状前驱体的合成，此方法还未报道，如PERPER的合成，就目前所报道的文献来看(microporousmaterial；1996；6；259)还是水热合成。这种合成由于有大量的水参与使得沸石产率较低，在此合成中使用了大量的有机模板剂来合成极大的提高了沸石合成的成本，在合成中使用了极其易挥发剧毒的HF，这不利于沸石的生产。因此，改进其合成方法是急需的。在本专利中，我们发展了一种无溶剂固相合成PREFER的方法。这种方法极大地提高了PERFER的产率，减少了有机模板剂的使用，使用不挥发的氟化铵完全代替了HF，而且合成操作简单易行。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是，克服现有技术中的不足，提供一种无溶剂固相合成PERFER沸石层状前驱体的方法。为解决技术问题，本专利技术的解决方案是：提供一种无溶剂固相合成PERFER沸石层状前驱体的方法，具体步骤是：按硅源∶氟源∶有机胺的摩尔比为1∶0.5～2∶0.25，将硅源与氟源、有机胺置于研钵中，研磨5分钟后转至反应釜中，在120～200℃条件下晶化1～10天；将产物抽滤、烘干，即得到PREFER沸石层状前驱体。本专利技术中，还包括加入铝源与各原料一并研磨；当加入铝源时，硅源∶铝源∶氟源∶有机胺的摩尔比为1∶0.05∶0.5～2∶0.25。本专利技术中，所述硅源是固体硅胶或白炭黑。本专利技术中，所述铝源是薄水铝石或氢氧化铝。本专利技术中，所述氟源是氟化铵或氟化氢铵。本专利技术中，所述有机胺是3-氨基-2,2,6,6-四甲基哌啶。为减少晶化时间，可以往体系中加入少量晶种来加快它的晶化速度。与
技术介绍
相比，本专利技术的有益效果是：1、本专利技术保持了良好的结晶度和纯度，具有良好的催化反应活性。2、整个生产过程不仅没有使用溶剂，这样就减少了在生产过程中不必要的损耗。3、生产所采用的无机原料均对环境友好，价格较低廉，因而本专利技术在实际化工生产领域具有重要意义。4、无溶剂固相合成PREFER的方法提高了PERFER的产率，减少了有机模板剂(有机胺)的使用，在反应体系中所加入的有机模板剂极少，仅为现有文献报道的1/4。使用不挥发的氟化铵完全代替了HF，而且合成操作简单易行，混合仅仅涉及原料的简单研磨并且研磨时间短。附图说明图1：无溶剂固相合成PERFER沸石层状前驱体的XRD谱图；图2：无溶剂固相合成PERFER沸石层状前驱体的SEM照片(低倍)；图3：无溶剂固相合成PERFER沸石层状前驱体的SEM照片(高倍)；图4：无溶剂固相合成PERFER沸石层状前驱体焙烧后的XRD谱图。具体实施方式实施例1：无溶剂固相合成PERFER沸石层状前驱体将1.6g固体硅胶，1g氟化铵，1g有机胺(3-氨基-2,2,6,6-四甲基哌啶)置于研钵中，研磨5分钟后转至反应釜中，然后在160℃条件下晶化5d即可完全晶化，产物抽滤，烘干后可得到了产品。反应原料的摩尔配比如下：1SiO2:1NH4F:0.25有机胺经过XRD分析得到其结构为PERFER沸石层状前驱体(图1)，而且通过SEM照片看出此方法得到的PERFER为大块的形貌(图2和图3)。烧后即可得到FER沸石，其XRD如图4。实施例2：无溶剂固相合成PERFER沸石层状前驱体将1.6g固体硅胶，0.5g氟化铵，1g有机胺(3-氨基-2,2,6,6-四甲基哌啶)置于研钵中，研磨5分钟后转至反应釜中，然后在160℃条件下晶化5d即可完全晶化，产物抽滤，烘干后可得到了产品。反应原料的摩尔配比如下：1SiO2:0.5NH4F:0.25有机胺实施例3：无溶剂固相快速合成PERFER沸石层状前驱体将1.6g固体硅胶，1.5g氟化氢铵，1g有机胺(3-氨基-2,2,6,6-四甲基哌啶)以及0.1gPERFER晶种置于研钵中，研磨5分钟后转至反应釜中，然后在160℃条件下晶化1d即可完全晶化，产物抽滤，烘干后可得到了产品。反应原料的摩尔配比如下：1SiO2:1NH4HF2:0.25有机胺实施例4：高温无溶剂固相合成PERFER沸石层状前驱体将1.6g固体硅胶，1g氟化铵，2g有机胺(3-氨基-2,2,6,6-四甲基哌啶)置于研钵中，研磨5分钟后转至反应釜中，然后在200℃高温下快速晶化1d，即可完全晶化，产物抽滤，烘干后可得到了产品。反应原料的摩尔配比如下：1SiO2:2NH4F:0.25有机胺实施例5：低温无溶剂固相合成PERFER沸石层状前驱体将1.6g白炭黑，1g氟化铵，1g有机胺(3-氨基-2,2,6,6-四甲基哌啶)置于研钵中，研磨5分钟后转至反应釜中，然后在120℃条件下晶化10d即可完全晶化，产物抽滤，烘干后可得到了产品。反应原料的摩尔配比如下：1SiO2:1NH4F:0.25有机胺实施例6：无溶剂固相合成含铝PERFER沸石层状前驱体将1.6g固体硅胶，0.2g薄水铝石，0.5g氟化铵，1g有机胺(3-氨基-2,2,6,6-四甲基哌啶)置于研钵中，研磨5分钟后转至反应釜中，然后在120℃条件下晶化10d即可完全晶化，产物抽滤，烘干后可得到产品。反应原料的摩尔配比如下：1SiO2∶0.05薄水铝石∶0.5NH4F∶0.25有机胺实施例7：无溶剂固相合成含铝PERFER沸石层状前驱体将1.6g固体硅胶，0.17g氢氧化铝，1g氟化铵，1g有机胺(3-氨基-2,2,6,6-四甲基哌啶)置于研钵中，研磨5分钟后转至反应釜中，然后在160℃条件下晶化5d即可完全晶化，产物抽滤，烘干后可得到产品。反应原料的摩尔配比如下：1SiO2∶0.05氢氧化铝∶1NH4F∶0.25有机胺实施例8：无溶剂固相合成含铝PERFER沸石层状前驱体将1.6g白炭黑，0.2g薄水铝石，2g氟化铵，1g有机胺(3-氨基-2,2,6,6-四甲基哌啶)置于研钵中，研磨5分钟后转至反应本文档来自技高网...
【技术保护点】
无溶剂固相合成PERFER沸石层状前驱体的方法，其特征在于，具体步骤是：按硅源∶氟源∶有机胺的摩尔比为1∶0.5～2∶0.25，将硅源与氟源、有机胺置于研钵中，研磨5分钟后转至反应釜中，在120～200℃条件下晶化1～10天；将产物抽滤、烘干，即得到PREFER沸石层状前驱体。
【技术特征摘要】
1.无溶剂固相合成PERFER沸石层状前驱体的方法，其特征在于，具体步骤是：
按硅源∶氟源∶有机胺的摩尔比为1∶0.5～2∶0.25，将硅源与氟源、有机胺置于
研钵中，研磨5分钟后转至反应釜中，在120～200℃条件下晶化1～10天；将产物抽
滤、烘干，即得到PREFER沸石层状前驱体。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括加入铝源与各原料一并研磨；
当加入铝源时，硅源∶...
【专利技术属性】
技术研发人员：朱龙凤，吴勤明，曹雪波，谷俐，朱连文，李雷，
申请(专利权)人：嘉兴学院，
类型：发明
国别省市：浙江;33
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