含氮饱和杂环化合物制造技术

本发明专利技术提供下述式(I)所表示的化合物或其药学上容许的盐，式中，R1表示可被取代的C1‑4烷基，n表示1～4的整数，R2表示可被取代的C1‑4的烷基或氢原子，R3表示可被取代的C1‑4的烷基，R4a、R4b、R4c及R4d分别相同或不同，表示可被取代的C6‑14芳基、可被取代的C1‑4烷基或氢原子等，A表示可被取代的C6‑14芳基或可被取代的5～11元的杂芳基。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】
下述式(I)所表示的化合物或其药学上容许的盐：[化学式1]式中，R1表示可被1～5个氟原子取代的C1‑4烷基，n为1～4的整数，R2表示可被选自由氟原子及羟基构成的组中的相同或不同的1～5个取代基取代的C1‑4烷基、或氢原子，R3表示可被选自由氟原子及羟基构成的组中的相同或不同的1～5个取代基取代的C1‑4烷基，其中，当n为1、3或4时，R3也可以与R2一起形成可包含1个‑O‑、‑NR5‑、‑SO‑或‑SO2‑的3～6元的饱和环，所述饱和环可被选自由可被1～5个氟原子取代的C1‑4烷基、可被1～5个氟原子取代的C1‑4烷氧基、卤素、羟基、氰基、氧代、CO2R6及CONR7R8构成的组中的1～5个取代基取代，当n为2时，R2及R3没有一起形成所述饱和环，R4a、R4b、R4c及R4d分别相同或不同，表示可被选自由可被1～5个氟原子取代的C1‑4烷基、C3‑6环烷基、卤素、可被1～5个氟原子取代的C1‑4烷氧基、C1‑4烷硫基、羟基及氰基构成的组中的相同或不同的1～5个取代基取代的C6‑14芳基；可被选自由氟原子、羟基及C1‑3烷氧基构成的组中的相同或不同的1～5个取代基取代的C1‑4烷基；可被1～5个氟原子取代的C1‑3烷氧基；氢原子；氟原子；羟基；或CO2R9，其中，当n为2时，R4a、R4b、R4c及R4d为氢原子，当n为1、3或4、且R4a、R4b、R4c及R4d中的任2个以上为可被取代的C1‑4烷基时，2个以上的所述可被取代的C1‑4烷基也可以一起形成4～7元的饱和环，A表示C6‑14芳基或5～11元的杂芳基，所述C6‑14芳基及所述5～11元的杂芳基可被选自由可被1～5个氟原子取代的C1‑4烷基、C3‑6环烷基、卤素、C6‑14芳基、C6‑14芳氧基、可被1～5个氟原子取代的C1‑4烷氧基、C1‑4烷硫基、羟基、氰基、硝基、CO2R10、CONR11R12、NR10COR11、NR10CONR11R12、SOR13、SO2R14、SO2NR11R12及NR11R12构成的组中的相同或不同的1～5个取代基取代，其中，当n为3、R2为氢原子、且R3为叔丁基时，A不为没有被取代基取代的苯基，R5表示氢原子、C1‑4烷基、C3‑6环烷基、CONR15R16、COR17或CO2R18，R6及R9相同或不同，表示氢原子或C1‑4烷基，R7及R8分别相同或不同，表示氢原子、C1‑4烷基、C3‑6环烷基，其中，当R7及R8为C1‑4烷基时，也可以一起形成3～6元的饱和杂环，R10表示氢原子、C1‑4烷基、C3‑6环烷基、或C6‑14芳基，R11及R12分别相同或不同，表示氢原子、C1‑4烷基、C3‑6环烷基或C6‑14芳基，其中，当R11及R12为C1‑4烷基时，也可以一起形成3～6元的饱和杂环，R13表示C1‑4烷基、C3‑6环烷基或C6‑14芳基，R14表示羟基、C1‑4烷基、C3‑6环烷基、C1‑4烷氧基、C6‑14芳氧基或C6‑14芳基，R15及R16分别相同或不同，表示氢原子或C1‑4烷基，其中，当R15及R16为C1‑4烷基时，也可以一起形成3～6元的饱和杂环，R17表示氢原子、C1‑4烷基或C3‑6环烷基，R18表示C1‑4烷基或C3‑6环烷基。...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：房野晓，小林知法，斋藤泰宏，金井利夫，
申请(专利权)人：住友化学株式会社，大日本住友制药株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP