本发明专利技术涉及具有化学式(I)的吡咯酮化合物其中R1、R2、R3、Rb、Rc以及Rd是如在说明书中所定义的。此外，本发明专利技术涉及用于制备具有化学式(I)的化合物的方法和中间体，涉及包含这些化合物的除草组合物并且涉及使用这些化合物控制植物生长的方法。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
【技术保护点】
一种具有化学式(I)的化合物其中X选自S和O；Rb选自氢，卤素，C1‑C4烷基，C2‑C4烯基，C1‑C4卤代烷基，C1‑C6烷氧基，C2‑C4烯氧基，C2‑C4炔氧基，C1‑C4烷氧基‑C1‑C4烷基，C1‑C4卤代烷氧基，C1‑C3烷氧基‑C1‑C3烷氧基，C1‑C4烷硫基，C1‑C4烷基亚磺酰基，C1‑C4烷基磺酰基，基团R5R6N‑，基团R5C(O)N(R6)‑，基团R5S(O2)N(R6)‑，基团R5R6NSO2‑，基团R5R6NC(O)‑，任选地被一个或多个独立地选自卤素、硝基、氰基、C1‑C3烷基、C1‑C3烷氧基、C1‑C3卤代烷基和C1‑C3卤代烷氧基的基团取代的芳基，任选地被一个或多个独立地选自卤素、硝基、氰基、C1‑C3烷基、C1‑C3烷氧基、C1‑C3卤代烷基和C1‑C3卤代烷氧基的基团取代的芳氧基以及任选地被一个或多个独立地选自卤素、硝基、氰基、C1‑C3烷基、C1‑C3烷氧基、C1‑C3卤代烷基和C1‑C3卤代烷氧基的基团取代的杂芳基；Rc选自C1‑C6卤代烷基，并且当Rb是R5R6NC(O)‑时，Rc选自氢、卤素、C1‑C4烷基和C1‑C4卤代烷基；Rd选自氢、卤素、氰基、C1‑C6烷基以及C1‑C6卤代烷基；或Rc和Rd连同它们附接的碳原子一起形成3‑7元饱和或部分不饱和环，该环任选地包含从1至3个独立地选自S、O和N的杂原子并且任选地被从1至3个独立地选自卤素、C1‑C6烷基和C1‑C6卤代烷基的基团取代；R1选自氢、羟基、任选地被NR10R11取代的C1‑C6烷基、C2‑C6烯基、C2‑C6炔基、C1‑C4环烷基、C1‑C4氰基烷基、C1‑C3卤代烷基、C1‑C6烷氧基和C1‑C4烷氧基‑C1‑C4烷基；其中R10和R11独立地选自氢、C1‑C6烷基和C1‑C6卤代烷基；R2选自氢、羟基、卤素、C1‑C6烷基、C2‑C6烯基、C2‑C6炔基、C1‑C6烷氧基、C2‑C6烯氧基、C2‑C6炔氧基、C1‑C6卤代烷基、C1‑C6卤代烷氧基、C1‑C6烷氧基C1‑C6烷基、C1‑C4烷氧基‑C1‑C4烷氧基、C1‑C4羟基烷基、C1‑C6氰基烷基和基团‑NR12R13，其中R12和R13独立地选自氢和C1‑C6烷基；或R1和R2连同它们附接的氮和碳原子一起形成3‑7元饱和或部分不饱和环，该环任选地包含从1至3个独立地选自S、O和N的杂原子并且任选地被从1至3个独立地选自羟基、＝O、C1‑C6烷基和C1‑C6卤代烷基的基团取代；R3选自卤素、羟基、‑NR14R15或以下基团中的任一个R5和R6独立地选自氢、C1‑C6烷基、C1‑C6卤代烷基、C1‑C6氰基烷基、C2‑C6烯基、C2‑C6炔基、C1‑C6烷氧基以及C1‑C6烷氧基‑C1‑C6烷基，或R5和R6连同它们附接的碳原子一起形成3‑6元饱和或部分不饱和环，该环任选地包括从1至3个独立地选自S、O和N的杂原子并且任选地被从1至3个独立地选自卤素和C1‑C6烷基的基团取代；R7和R8独立地选自氢，C1‑C6烷基，C1‑C6卤代烷基，C2‑C6烯基，C2‑C6炔基，任选地被1至3个独立地选自C1‑C3烷基、C2‑C4烯基、C1‑C3卤代烷基和C2‑C4卤代烯基的基团取代的C3‑C6环烷基基团，包含从1至4个独立地选自N、O和S的杂原子并且任选地被1至3个独立地选自卤素、C1‑C3烷基、C1‑C3卤代烷基和C1‑C3烷氧基取代的可以是单环或双环的C5‑C10杂环基基团，包含从1至4个独立地选自N、O和S的杂原子并且任选地被1至3个独立地选自卤素、C1‑C3烷基、C1‑C3卤代烷基和C1‑C3烷氧基的基团取代的可以是单环或双环的C5‑C10杂芳基基团，任选地被1至3个独立地选自卤素、硝基、氰基、C1‑C3烷基、C1‑C3烷氧基、C1‑C3卤代烷基和C1‑C3卤代烷氧基的基团取代的C6‑C10芳基基团，任选地被1至3个独立地选自C1‑C4烷基、C1‑C3烷氧基、C1‑C3卤代烷基和基团‑OC(O)‑C1‑C4烷基取代的C6‑C10芳基烷基基团，或R7和R8连同它们附接的原子一起形成3‑6元饱和或部分不饱和环，该环任选地包含从1至3个独立地选自S、O和N的杂原子并且任选地被从1至3个独立地选自卤素和C1‑C6烷基的基团取代；R9选自C1‑C6烷基和任选地被1至3个独立地选自卤素、硝基、氰基、C1‑C3烷基、C1‑C3烷氧基、C1‑C3卤代烷基和C1‑C3卤代烷氧基的基团取代的苄基；R14和R15独立地选自氢、C1‑C20烷基、C1‑C20卤代烷基、C1‑C20烷氧基、C1‑C20烷氧基‑C1‑C20烷基、C2‑C20烯基、C2‑C20炔基以及苄基，或R14和R15连同它们附接的碳原子一起形成3‑6元饱和或部分不饱和环，该环任选地包括从1至3个独立地选自S、...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：M·费德特，R·索纳韦恩，A·J·亨尼西，J·A·莫里斯，J·E·波赫米尔，A·朗斯塔夫，K·凌，S·E·拉塞尔，T·R·戴森，M·B·霍特森，D·W·莫塞利，
申请(专利权)人：先正达参股股份有限公司，先正达有限公司，
类型：发明
国别省市：瑞士;CH
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