本发明专利技术提供覆有荧光体层的光半导体元件和其制造方法。一种覆有荧光体层的光半导体元件，其特征在于，具备：光半导体元件、覆盖所述光半导体元件的荧光体层、和覆盖所述荧光体层的至少一部分的透明层。
【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种覆有荧光体层的光半导体元件，其特征在于，具备：光半导体元件、覆盖所述光半导体元件的荧光体层、和覆盖所述荧光体层的至少一部分的透明层。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：松田广和，常诚，吉田直子，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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