一种土壤盐水温传感器制造技术

本发明专利技术公开了一种土壤盐水温传感器，包括：外壳、外壳底部的探针、以及外壳内部的检测电路，所述检测电路包括主控芯片、震荡单元、信号提取单元、水分检测单元、盐分检测单元、温度检测单元；所述震荡单元用于生成方波信号，输出给水分检测单元；所述水分检测单元接收所述方波信号，并利用所述方波信号周期性的为所述探针和土壤构成的第一等效电容充电；所述信号提取单元用于检测所述第一等效电容的充放电过程中电压信号的变化值；所述温度检测单元用于利用热敏电阻检测土壤的温度变化；所述盐分检测单元用于检测土壤电导率，进而计算得到土壤盐分含量。本发明专利技术测量准确、稳定性好，结构简单且成本较低。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及土壤信息采集领域，尤其涉及土壤盐水温传感器。
技术介绍
土壤水分、盐分及温度等信息的检测对农业生产的意义十分重大，WSN提供了一条对土壤信息进行实时、长期检测的智能化路线。然而，由于WSN需要在野外进行长期布网，所以节点所配备的传感器在满足精度要求之外，还必须具备稳定性高、可长期置于野外工作的特点。因此，若想要WSN系统长期稳定运行，一款合适的土壤传感器至关重要。土壤水分的测定方法有烘干法、射线法、介电特性法、核磁共振法、分离示踪剂法和遥感法等。其中，介电特性法是利用土壤的介电特性进行间接测量的，能实现土壤水分的快速无损测量，具体来说又可分为基于电阻原理、基于电容原理、基于时域反射原理、基于频率反射原理和基于驻波原理的测量方法。但每种实现方法有着各自的优势与不足，综合考虑技术难度、成本、精度和实时性等因素，当前土壤水分测量方法中，以基于电容原理的介电方法较为普遍，并在此方法的基础上研制了许多土壤水分传感器。这些传感器的传感部件以插入式结构居多，几何结构简单，制作方便。土壤电导率的测量大致可分为实验室测量和现场测量两大类，实验室测量首先要制备土壤浸提液，然后利用电极法测量土壤浸提液的电导率，利用土壤浸提液的测量值表征土壤电导率的变化。这种传统的实验室方法作为标准测量方法具有较高的精度，也是评价土壤电导率高低的基准，但测量过程繁琐，且耗费较长时间，实时性差，不能满足现代精细>农业要求在短时间内完成大批量测量的要求。现场测量则主要是将地球物理勘探中的方法引入到了农田土壤测量中，主要有两种基本设计思路：接触式和非接触式。非接触式土壤电导率传感器利用电磁感应现象检测土壤电导率，接触式土壤电导率传感器则是一种电极式传感器，虽为接触测量但却不需要取样，基本不用扰动土体，而且在作物生长前和生长期间都可以设法实现实时测量，很适合现代精细农业对农田土壤信息获取的要求。
技术实现思路
针对相关技术中上述的问题，本专利技术提出一种土壤盐水温传感器，包括：外壳、外壳底部的探针、以及外壳内部的检测电路，该检测电路向探针发出脉冲方波激励信号并接受其两端的电压信号；所述检测电路包括主控芯片、震荡单元、信号提取单元、水分检测单元、盐分检测单元、温度检测单元；所述震荡单元用于生成方波信号，输出给水分检测单元；所述水分检测单元接收所述方波信号，并利用所述方波信号周期性的为所述探针和土壤构成的第一等效电容充电；所述信号提取单元用于检测所述第一等效电容的充放电过程中电压信号的变化值，所述主控芯片根据所述电压信号的变化值得到土壤的湿度值；所述温度检测单元用于利用热敏电阻检测土壤的温度变化；所述盐分检测单元用于检测土壤电导率，在检测土壤电导率时，通过探针对土壤施加两个高度和持续时间相等、极性相反的双极性脉冲，通过测量第二个双极性脉冲结束的瞬间电流获得土壤导电率，进而计算得到土壤盐分含量。所述水分检测单元包括一个第一异或门电路，所述第一异或门电路的两个输入端A和B，振荡单元产生的方波信号一方面接入所述第一异或门电路的输入端A，另一方面经过电阻R接入所述第一异或门电路的另一输入端B和探针；所述探针和土壤构成等效电容，方波信号周期性地对所述等效电容充放电，使所述第一异或门电路的输入端B的电势变化产生延迟，进而导致输入端A和B所探测到的逻辑电平的变化不同，进而输出信号也不同。所述信号提取单元包括两组积分电路和一组电压跟随器，所述两组积分电路对输入的矩形波信号经过平滑处理，且处理后的矩形波信号的电压值大小与矩形波占空比相对应；所述电压跟随器包括运放电路，运放电路的正相输入端接所述两组积分电路的输出，反向输入端经过反馈电阻接至所述运放电路的输出，以将正相输入端的电压跟随输出。所述温度检测单元包括第一电阻、第二电阻、热敏电阻和第一电容，其中，所述第二电阻、热敏电阻和第一电容并联连接，且与第一电阻串联连接；所述温度检测单元采用串并联电阻的方式对热敏电阻的非线性误差进行补偿或者线性化处理。所述盐分检测单元通过双脉冲电导法测量土壤盐分，所述双脉冲电导法利用土壤等效电路测量土壤盐分，所述土壤等效电路包括土壤等效电阻、双电层电容和引线分布电容，土壤等效电阻与双电层电容串联后再与所述引线分布电容并联；所述双极性脉冲信号经过所述土壤等效电路后输出流经土壤的瞬时电流信号，所述瞬时电流信号与土壤的电导率成正比。所述外壳采用环氧树脂胶密封，能够达到IP68的防尘防水等级。所用探针为四根不锈钢探针；其中两根探针用于测量土壤含水量，两根探针用于测量土壤盐分。构成所述检测电路的单片机为STC12C5A60S2。所述温度检测单元利用NTC热敏电阻的温度敏感特性来测量温度数据。本专利技术通过测量土壤等效电容来计算土壤的水分，土壤传感器通过发出高频信号，由检波电路将介电常数转换为电压输出，进而确定与土壤含水量的关系；通过热敏电阻的阻值变化计算温度，NTC热敏电阻是一种具有负温度系数的温度敏感元件，其构成成分为氧化物的烧结体。此种电阻的灵敏度较高，金属热敏电阻的灵敏度只有它的十分之一，应用广泛。但是，也存在比较严重的热电非线性。热敏电阻存在的非线性化缺点，会影响其测量范围和测量精度，为了削弱此缺点的影响，须要对其非线性误差进行补偿或者线性化处理。本传感器采用串并联电阻的方式；通过双脉冲法测量土壤盐分，电导率测量时，对土壤施加两个持续时间很短的脉冲，两脉冲要求高度和持续时间相等，极性相反。流经土壤的电流在第二个脉冲结束的瞬间测量，此处电导池模型考虑了引线分布电容和双电层电容。检测电路包括震荡单元、信号提取单元、静电保护单元，水分检测单元、盐分检测单元、温度检测单元等几部分，所用探针为四根不锈钢探针工作稳定性好，可靠，测量精度高，价格低廉，可以供人们实时监控土壤信息。附图说明图1为本专利技术中土壤盐水温传感器的结构框图。图2为本专利技术中震荡单元的电路结构示意图。图3为本专利技术中水分检测单元的电路结构示意图。图4为本专利技术中信号提取单元的电路结构示意图。图5为本专利技术中温度检测单元的电路结构示意图。图6为本专利技术中盐分检测单元的电路结构示意图。图7为本专利技术中土壤盐水温的检测方法流程图。图8为本专利技术中土壤盐水温传感器的硬件结构示意图。具体实施方式为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种土壤盐水温传感器，其特征在于，包括：外壳、外壳底部的探针、以及外壳内部的检测电路，该检测电路向探针发出脉冲方波激励信号并接受其两端的电压信号；所述检测电路包括主控芯片、震荡单元、信号提取单元、、水分检测单元、盐分检测单元、温度检测单元；所述震荡单元用于生成方波信号，输出给水分检测单元；所述水分检测单元接收所述方波信号，并利用所述方波信号周期性的为所述探针和土壤构成的第一等效电容充电；所述信号提取单元用于检测所述第一等效电容的充放电过程中电压信号的变化值，所述主控芯片根据所述电压信号的变化值得到土壤的湿度值；所述温度检测单元用于利用热敏电阻检测土壤的温度变化；所述盐分检测单元用于检测土壤电导率，在检测土壤电导率时，通过探针对土壤施加两个高度和持续时间相等、极性相反的双极性脉冲，通过测量第二个双极性脉冲结束的瞬间电流获得土壤导电率，进而计算得到土壤盐分含量。

【技术特征摘要】
1.一种土壤盐水温传感器，其特征在于，包括：外壳、外壳底部的
探针、以及外壳内部的检测电路，该检测电路向探针发出脉冲方波激励信
号并接受其两端的电压信号；所述检测电路包括主控芯片、震荡单元、信
号提取单元、、水分检测单元、盐分检测单元、温度检测单元；
所述震荡单元用于生成方波信号，输出给水分检测单元；
所述水分检测单元接收所述方波信号，并利用所述方波信号周期性的
为所述探针和土壤构成的第一等效电容充电；
所述信号提取单元用于检测所述第一等效电容的充放电过程中电压
信号的变化值，所述主控芯片根据所述电压信号的变化值得到土壤的湿度
值；
所述温度检测单元用于利用热敏电阻检测土壤的温度变化；
所述盐分检测单元用于检测土壤电导率，在检测土壤电导率时，通过
探针对土壤施加两个高度和持续时间相等、极性相反的双极性脉冲，通过
测量第二个双极性脉冲结束的瞬间电流获得土壤导电率，进而计算得到土
壤盐分含量。
2.如权利要求1所述的土壤盐水温传感器，其特征在于，所述水分
检测单元包括一个第一异或门电路，所述第一异或门电路的两个输入端A
和B，振荡单元产生的方波信号一方面接入所述第一异或门电路的输入端
A，另一方面经过电阻R接入所述第一异或门电路的另一输入端B和探针；
所述探针和土壤构成等效电容，方波信号周期性地对所述等效电容充放电，
使所述第一异或门电路的输入端B的电势变化产生延迟，进而导致输入端
A和B所探测到的逻辑电平的变化不同，进而输出信号也不同。
3.如权利要求1所述的土壤盐水温传感器，其特征在于，所述信号
提取单元包括两组积分电路和一组电压跟随器，所述两组积分电路对输入

【专利技术属性】
技术研发人员：韩亚男，赵柏秦，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11