用于形成二氧化硅类层的组成物、用于制造二氧化硅类层的方法以及电子装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种用于形成二氧化硅类层的组成物、用于制造二氧化硅类层的方法以及电子装置。本发明专利技术的用于形成二氧化硅类层的组成物包括含硅化合物和一或多种类别的溶剂。所述含硅化合物包括聚硅氮烷、聚硅氧氮烷或其组合。并且，所述组成物具有小于或等于0.13的浊度增加率。本发明专利技术可以提供一种具有极好储存稳定性的用于形成二氧化硅类层的组成物。

【技术实现步骤摘要】
相关申请案的交叉参考本申请案主张2014年12月19日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请案第10-2014-0184766号的优先权和权益，所述申请案的全部内容以引用的方式并入本文中。
本揭露书涉及用于形成二氧化硅类(silica-based)层的组成物、制造二氧化硅类层的方法以及包含所述二氧化硅类层的电子装置。
技术介绍
平板显示器使用包含栅极电极、源极电极、漏极电极以及半导体的薄膜晶体管(thinfilmtransistor，TFT)作为切换装置，并且配备有传递用于控制薄膜晶体管的扫描信号的栅极线和传递施加到像素电极的信号的数据线。另外，在半导体与若干电极之间形成绝缘层以将半导体与若干电极隔开。绝缘层可通过使用二氧化硅类组成物而形成。于此，绝缘层可能在制造工艺期间由于多种原因而具有缺陷，并且所述缺陷可能对装置的良率和可靠性具有负面影响。
技术实现思路
一个实施例提供一种用于形成二氧化硅类层的组成物，所述组成物使层中缺陷的产生减到最少。另一个实施例提供一种使用所述用于形成二氧化硅类层的组成物制造二氧化硅类层的方法。又一个实施例提供一种电子装置，所述电子装置包含根据所述方法制造的二氧化硅类层。根据一个实施例，提供一种用于形成二氧化硅类层的组成物，所述组成物包括：含硅化合物，其包含聚硅氮烷、聚硅氧氮烷或其组合；和一或多种类别的溶剂，并且所述组成物具有小于或等于约0.13的浊度增加率。然而，浊度增加率是由关系方程式1定义，并且胶凝时间是在约23℃±约2℃下，在约50％±约10％的相对湿度下测量得到。[关系方程式1]浊度增加率(NTU/hr)＝(胶凝时的浊度-初始浊度)/胶凝时间含硅化合物可以包含聚硅氮烷〔polysilazane〕，聚硅氮烷包含由化学式1表示的部分。[化学式1]在化学式1中，R1到R3独立地为氢、经取代或未经取代的C1到C30烷基、经取代或未经取代的C3到C30环烷基、经取代或未经取代的C6到C30芳基、经取代或未经取代的C7到C30芳基烷基、经取代或未经取代的C1到C30杂烷基、经取代或未经取代的C2到C30杂环烷基、经取代或未经取代的C2到C30烯基、经取代或未经取代的烷氧基、羧基、醛基(aldehydegroup)、羟基或其组合，以及“*”指示连接点。含硅化合物可以包含聚硅氧氮烷〔polysiloxazane〕，聚硅氧氮烷包含由化学式2表示的部分。[化学式2]其中化学式2的R4到R7独立地为氢、经取代或未经取代的C1到C30烷基、经取代或未经取代的C3到C30环烷基、经取代或未经取代的C6到C30芳基、经取代或未经取代的C7到C30芳基烷基、经取代或未经取代的C1到C30杂烷基、经取代或未经取代的C2到C30杂环烷基、经取代或未经取代的C2到C30烯基、经取代或未经取代的烷氧基、羧基、醛基、羟基或其组合，以及“*”指示连接点。溶剂可以包含三甲苯、三乙苯、十氢萘(decahydronaphthalene)、四氢萘(tetrahydronaphthalene)、茚(indene)、二乙苯以及甲基萘(methylnaphthalene)中的至少一个。所述组成物可具有小于或等于约0.125的浊度增加率。根据另一个实施例，提供一种用于制造二氧化硅类层的方法，所述方法包含在衬底上涂布所述用于形成二氧化硅类层的组成物，干燥涂布有所述用于形成二氧化硅类层的组成物的衬底，以及在惰性氛围下，在大于或等于约150℃的温度下，固化所述衬底。所述用于形成二氧化硅类层的组成物可以使用旋涂法涂布。根据又一个实施例，提供一种电子装置，包含使用所述组成物制造的二氧化硅类层。可以提供一种具有极好储存稳定性的用于形成二氧化硅类层的组成物。具体实施方式本专利技术的示例性实施例将在下文中被详细描述，并且可以由具有所述领域技术人员容易地进行。然而，本揭露书可以多种不同形式实施，并且不应解释为局限于本文中所阐述的示例性实施例。在附图中，为清楚起见放大层、膜、面板、区域等的厚度。在说明书通篇，相同元件符号表示相同元件。应理解，当如层、膜、区域或衬底的元件被称作“在”另一元件“上”时，其可以直接在另一元件上或还可以存在插入元件。相比之下，当元件被称作“直接在”另一元件“上”时，不存在插入元件。如本文所用，当未另外提供定义时，术语‘经取代’是指经由以下选出的取代基取代：卤素原子(F、Br、Cl或I)、羟基(hydroxygroup)、烷氧基(alkoxygroup)、硝基(nitrogroup)、氰基(cyanogroup)、氨基(aminogroup)、叠氮基(azidogroup)、脒基(amidinogroup)、肼基(hydrazinogroup)、亚肼基(hydrazonogroup)、羰基(carbonylgroup)、氨甲酰基(carbamylgroup)、硫醇基(thiolgroup)、酯基(estergroup)、羧基或其盐、磺酸基或其盐、磷酸或其盐、烷基、C2到C16烯基(alkenylgroup，)、C2到C16炔基(alkynylgroup)、芳基(arylgroup)、C7到C13芳基烷基(arylalkylgroup)、C1到C4氧基烷基(oxyalkylgroup)、C1到C20杂烷基(heteroall(ylgroup)、C3到C20杂芳基烷基(heteroarylalkylgroup)、环烷基(cycloalkylgroup)、C3到C15环烯基(cycloalkenylgroup)、C6到C15环炔基(cycloalkynylgroup)、杂环烷基(heterocycloalkylgroup)以及其组合，代替化合物的氢。如本文所用，当未另外提供定义时，术语‘杂’是指包含1到3个由N、O、S以及P中选出的杂原子。另外，在说明书中，标志“*”是指某物在何处与相同或不同的原子或化学式连接。在下文中，描述根据本专利技术的一个实施例的用于形成二氧化硅类层的组成物。根据本专利技术的一个实施例的用于形成二氧化硅类层的组成物包括：含硅化合物，所述含硅化合物包含聚硅氮烷、聚硅氧氮烷或其组合；和溶剂。根据一个实施例，提供一种用于形成二氧化硅类层的组成物，所述组成物包含：含硅化合物，包含聚硅氮烷、聚硅氧氮烷或其组合；和一或多种类别的溶剂，并且所述组成物具有小于或等于约0.13的浊度本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于形成二氧化硅类层的组成物，包括含硅化合物以及一或多种类别的溶剂，所述含硅化合物包含聚硅氮烷、聚硅氧氮烷或其组合；以及具有小于或等于0.13的浊度增加率，其中所述浊度增加率是由关系方程式1定义，并且所述关系方程式1中的胶凝时间是在23℃±2℃下，在50％±10％的相对湿度下测量得到：[关系方程式1]浊度增加率＝(胶凝时的浊度‑初始浊度)/胶凝时间，其中所述浊度增加率的单位为NTU/小时。

【技术特征摘要】
2014.12.19 KR 10-2014-01847661.一种用于形成二氧化硅类层的组成物，
包括含硅化合物以及一或多种类别的溶剂，所述含硅化合物包含聚硅氮
烷、聚硅氧氮烷或其组合；以及
具有小于或等于0.13的浊度增加率，
其中所述浊度增加率是由关系方程式1定义，并且所述关系方程式1中
的胶凝时间是在23℃±2℃下，在50％±10％的相对湿度下测量得到：
[关系方程式1]
浊度增加率＝(胶凝时的浊度-初始浊度)/胶凝时间，
其中所述浊度增加率的单位为NTU/小时。
2.根据权利要求1所述的用于形成二氧化硅类层的组成物，其中所述含
硅化合物包括含有由化学式1表示的部分的聚硅氮烷：
[化学式1]
其中，在化学式1中，R1到R3独立地为氢、经取代或未经取代的C1到
C30烷基、经取代或未经取代的C3到C30环烷基、经取代或未经取代的C6
到C30芳基、经取代或未经取代的C7到C30芳基烷基、经取代或未经取代
的C1到C30杂烷基、经取代或未经取代的C2到C30杂环烷基、经取代或未
经取代的C2到C30烯基、经取代或未经取代的烷氧基、羧基、醛基、羟基
或其组合，以及
“*”指示连接点。
3.根据权利要求1所述的用于形成二氧化硅类层的组成物，其中所述含
硅化合物包...

【专利技术属性】
技术研发人员：任浣熙，郭泽秀，李汉松，朴银秀，姜善惠，金补宣，金相均，朴玺美，裵镇希，徐珍雨，张俊英，赵娟振，韩权愚，黄丙奎，
申请(专利权)人：三星SDI株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR