单体、聚合物、抗蚀剂组合物和图案化方法技术

提供具有多个叔醇羟基的单体。通过将该单体聚合而得到的有用的聚合物。由包含该聚合物的抗蚀剂组合物，以高分辨率形成在碱显影剂中不可溶并且具有高耐蚀刻性的负型图案。

【技术实现步骤摘要】
【专利说明】 相关申请的交叉引用 本非临时申请在35U.S.C.§119(a)下要求分别于2014年12月18日和2015年9月11 日在日本提交的专利申请No. 2014-256295和2015-179394的优先权，由此通过引用将其全 部内容并入本文。
本专利技术涉及可用作用于功能、药物和农用化学品的起始反应物的单体、包含来源 于该单体的重复单元的聚合物、包含该聚合物的抗蚀剂组合物、和使用该组合物的图案形 成方法。
技术介绍
为了满足对LSI的更高集成密度和运行速度的需求，减小图案尺寸的努力在快速 发展。广泛扩展的闪存市场和对增加的存储能力的需求推动微小型化技术向前发展。随着 微小型化技术的发展，将膜添加到由ArF光刻法产生的抗蚀剂图案的线的相对侧壁以由此 由一个图案形成具有半线宽的两个图案的自对准双重图案化(SADP)法成功地大规模制造 20nm节点的微电子器件。作为下一代1 Onm节点的微电子器件的微小型化技术，作为SADP的 加倍重复的自对准四重图案化(SAQP)为候选者。指出，由于将采用CVD的侧壁膜的形成和采 用干式蚀刻的加工重复几次，因此该方法相当昂贵。波长1本文档来自技高网...

【技术保护点】
具有式(1)的单体：其中R1为氢或甲基，R2和R3各自独立地为直链、支化或环状的C1‑C10一价烃基，R2和R3可彼此键合以与它们结合的碳原子形成脂环族基团；X1为直链、支化或环状的C1‑C20二价烃基，其中任意成分‑CH2‑结构部分可被‑O‑或‑C(＝O)‑替代；Z1为直链、支化或环状的C1‑C20脂族烃基，其中任意成分‑CH2‑结构部分可被‑O‑或‑C(＝O)‑替代；k1为0或1，和k2为2‑4的整数。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：提箸正义，长谷川幸士，片山和弘，畠山润，
申请(专利权)人：信越化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP